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楊浦區(qū)優(yōu)勢(shì)二極管服務(wù)熱線

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025年07月11日

它們?cè)诜聪螂妷鹤饔孟聟⒓悠七\(yùn)動(dòng),使反向電流明顯變大,光的強(qiáng)度越大,反向電流也越大。這種特性稱為“光電導(dǎo)”。光敏二極管在一般照度的光線照射下,所產(chǎn)生的電流叫光電流。如果在外電路上接上負(fù)載,負(fù)載上就獲得了電信號(hào),而且這個(gè)電信號(hào)隨著光的變化而相應(yīng)變化。光敏二極管是電子電路中***采用的光敏器件。光敏二極管和普通二極管一樣具有一個(gè)PN結(jié),不同之處是在光敏二極管的外殼上有一個(gè)透明的窗口以接收光線照射,實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換,在電路圖中文字符號(hào)一般為VD。 [1]二極管具有單向?qū)щ娦阅埽瑢?dǎo)通時(shí)電流方向是由陽(yáng)極通過(guò)管子流向陰極。楊浦區(qū)優(yōu)勢(shì)二極管服務(wù)熱線

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PN結(jié)單向?qū)щ娦栽赑N結(jié)外加正向電壓V,在這個(gè)外加電場(chǎng)的作用下,PN結(jié)的平衡狀態(tài)被打破,P區(qū)中的空穴和N區(qū)的電子都往PN結(jié)方向移動(dòng),空穴和PN結(jié)P區(qū)的負(fù)離子中和,電子和PN結(jié)N區(qū)的正離子中和,這樣就使PN結(jié)變窄。隨著外加電場(chǎng)的增加,擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)進(jìn)一步增強(qiáng),漂移運(yùn)動(dòng)減弱。當(dāng)外加電壓超過(guò)門檻電壓,PN結(jié)相當(dāng)于一個(gè)阻值很小的電阻,也就是PN結(jié)導(dǎo)通。 [6]點(diǎn)接觸型二極管點(diǎn)接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積小,不能通過(guò)較大的正向電流和承受較高的反向電壓,但它的高頻性能好,適宜在高頻檢波電路和開關(guān)電路中使用 [5]。楊浦區(qū)國(guó)產(chǎn)二極管服務(wù)熱線一般硅管的反向電流比鍺管小得多,小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級(jí),小功率鍺管在μA數(shù)量級(jí)。

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常用的紅外發(fā)光二極管有SIR系列、SIM系列、PLT系列、GL系列、HIR系列和HG系列等。紫外發(fā)光二極管基于半導(dǎo)體材料的紫外發(fā)光二極管(UV LED)具有節(jié)能、環(huán)保和壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),在殺菌消毒、醫(yī)療和生化檢測(cè)等領(lǐng)域有重大的應(yīng)用價(jià)值。近年來(lái),半導(dǎo)體紫外光電材料和器件在全球引起越來(lái)越多的關(guān)注,成為研發(fā)熱點(diǎn)。 2018年12月9一12日,由中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所主辦的第三屆“國(guó)際紫外材料與器件研討會(huì)” (IWUMD一2018)在云南昆明召開,來(lái)自十二個(gè)國(guó)家的270余位**出席了會(huì)議。本次會(huì)議匯聚了國(guó)內(nèi)外在紫外發(fā)光二極管材料和器件相關(guān)領(lǐng)域的多位前列**的***研發(fā)成果報(bào)告

一般硅管的反向電流比鍺管小得多,小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級(jí),小功率鍺管在μA數(shù)量級(jí)。溫度升高時(shí),半導(dǎo)體受熱激發(fā),少數(shù)載流子數(shù)目增加,反向飽和電流也隨之增加。 [4]擊穿特性外加反向電壓超過(guò)某一數(shù)值時(shí),反向電流會(huì)突然增大,這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時(shí)二極管失去單向?qū)щ娦浴H绻O管沒有因電擊穿而引起過(guò)熱,則單向?qū)щ娦圆灰欢〞?huì)被長(zhǎng)久破壞,在撤除外加電壓后,其性能仍可恢復(fù),否則二極管就損壞了。因而使用時(shí)應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過(guò)高。光電二極管作為光控元件可用于各種物體檢測(cè)、光電控制、自動(dòng)報(bào)警等方面。

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N型半導(dǎo)體形成的原理和P型原理相似。在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)原子,如磷等。摻入后,它與硅原子形成共價(jià)鍵,產(chǎn)生了自由電子。在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。 [6]PN結(jié)因此,在本征半導(dǎo)體的兩個(gè)不同區(qū)域摻入三價(jià)和五價(jià)雜質(zhì)元素,便形成了P型區(qū)和N型區(qū),根據(jù)N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的特性,可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異,電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴(kuò)散,它們的擴(kuò)散使原來(lái)交界處的電中性被破壞。 [6]通過(guò)在制造過(guò)程中的工藝措施和使用時(shí)限制反向電流的大小,能保證穩(wěn)壓管在反向擊穿狀態(tài)下不會(huì)因過(guò)熱而損壞。楊浦區(qū)優(yōu)勢(shì)二極管服務(wù)熱線

當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后,PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)被克服,二極管正向?qū)ǎ娏麟S電壓增大而迅速上升。楊浦區(qū)優(yōu)勢(shì)二極管服務(wù)熱線

當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后,PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)被克服,二極管正向?qū)ǎ娏麟S電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi),導(dǎo)通時(shí)二極管的端電壓幾乎維持不變,這個(gè)電壓稱為二極管的正向電壓。 [4]當(dāng)二極管兩端的正向電壓超過(guò)一定數(shù)值 ,內(nèi)電場(chǎng)很快被削弱,特性電流迅速增長(zhǎng),二極管正向?qū)ā?叫做門坎電壓或閾值電壓,硅管約為0.5V,鍺管約為0.1V。硅二極管的正向?qū)▔航导s為0.6~0.8V,鍺二極管的正向?qū)▔航导s為0.2~0.3V。 [4]反向特性外加反向電壓不超過(guò)一定范圍時(shí),通過(guò)二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運(yùn)動(dòng)所形成反向電流。由于反向電流很小,二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。這個(gè)反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流,二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]楊浦區(qū)優(yōu)勢(shì)二極管服務(wù)熱線

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標(biāo)簽: 驅(qū)動(dòng)電路
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