1．正、反向電阻值的測量用萬用表R×1k或R×10k檔，測量雙向觸發二極管正、反向電阻值。正常時其正、反向電阻值均應為無窮大。若測得正、反向電阻值均很小或為0，則說明該二極管已擊穿損壞。2．測量轉折電壓測量雙向觸發二極管的轉折電壓有二種方法。弟一種方法是：將兆歐表的正極（E）和負極（L）分別接雙向觸發二極管的兩端，用兆歐表提供擊穿電壓，同時用萬用表的直流電壓檔測量出電壓值，將雙向觸發二極管的兩極對調后再測量一次。比較一下兩次測量的電壓值的偏差（一般為3~6V）。此偏差值越小，說明此二極管的性能越好。弟二種方法是：先用萬用表測出市電電壓U，然后將被測雙向觸發二極管串入萬用表的交流電壓測量回路后，接入市電電壓，讀出電壓值U1，再將雙向觸發二極管的兩極對調連接后并讀出電壓值U2。若U1與U2的電壓值相同，但與U的電壓值不同，則說明該雙向觸發二極管的導通性能對稱性良好。若U1與U2的電壓值相差較大時，則說明該雙向觸發二極管的導通性不對稱。若U1、U2電壓值均與市電U相同時，則說明該雙向觸發二極管內部已短路損壞。若U1、U2的電壓值均為0V，則說明該雙向觸發二極管內部已開路損壞。深圳市凱軒業科技致力于晶體管產品研發及方案設計，期待您的光臨！整流二極管比較便宜

二極管、三極管、場效應管都是半導體器件，在電子電路中擔任著十分重要的作用，現在我來和朋友們聊聊它們之間的聯系和區別吧。場效應管（MOS管）我先說說MOS（場效應管）管，MOS管在半導體基片的兩側也是有兩個PN結。從P型（或者N型）半導體上面引出一個電極并將這個電極連接起來作為MOS管的柵極（G）。然后在基片的兩端再引出兩個電極分別稱為源極（S）和漏極（D）。如下圖所表示的那樣。從圖中我們可以知道，柵極（G）和源極（S）和漏極（D）是不導電的，所以我們給它起個名字就叫絕緣柵型場效應管，這個器件的名字就是這樣的來的。整流二極管比較便宜按照所用的半導體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。

三極管基極偏置電路分析較為困難，掌握一些電路分析方法可以方便基極偏置電路的分析。1、電路分析的***步是在電路中找出三極管的電路符號，如圖所示，然后在三極管電路符號中后找出基極，這是分析基極偏置電路的關鍵一步。2、弟二步從基極出發，將與基極和電源端相連的所有元器件找出來，如圖所示，電路中的RB1，再將基極與地端相連的所有元器件找出來，如電路中的RB2，這些元器件構成基極偏置電路的主體電路。上述與基極相連的元器件中，要區別哪些元器件可能是偏置電路中的元器件。電阻器有可能構成偏置電路，電容器具有隔直作用而視為開路，所以在分析基極直流偏置電路時，不必考慮電容器。3、弟三步確定偏置電路中的元器件后，進行基極電流回路的分析，如圖所示。基極電流回路是：直流工作電壓VCC→偏置電阻RB1→VT1基極→VT1發射極→VT1發射極電阻RE→地端。

激光二極管的檢測1．阻值測量法拆下激光二極管，用萬用表R×1k或R×10k檔測量其正、反向電阻值。正常時，正向電阻值為20~40kΩ之間，反向電阻值為∞（無窮大）。若測得正向電阻值已超過50kΩ，則說明激光二極管的性能已下降。若測得的正向電阻值大于90kΩ，則說明該二極管已嚴重老化，不能再使用了。2．電流測量法用萬用表測量激光二極管驅動電路中負載電阻兩端的電壓降，再根據歐姆定律估算出流過該管的電流值，當電流超過100mA時，若調節激光功率電位器（見圖4-76），而電流無明顯的變化，則可判斷激光二極管嚴重老化。若電流劇增而失控，則說明激光二極管的光學諧振腔已損壞。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。

L型濾波器又稱為K常數濾波器。倘若一濾波器的構成部分，較K常數型具有較尖銳的截止頻率（即對頻率范圍選擇性強），而同時對此截止頻率以外的其他頻率只有較小的衰減率者，稱為m常數濾波器。所謂截止頻率，亦即與濾波器有尖銳諧振的頻率。通帶與帶阻濾波器都是m常數濾波器，m為截止頻率與被衰減的其他頻率之衰減比的函數。每一m常數濾波器的阻抗與K常數濾波器之間的關系，均由m常數決定，此常數介于0～1之間。當m接近零值時，截止頻率的尖銳度增高，但對于截止頻的倍頻之衰減率將隨著而減小。合于實用的m值為。至于那一頻率需被截止，可調節共振臂以決定之。m常數濾波器對截止頻率的衰減度，決定于共振臂的有效Q值之大小。若達K常數及m常數濾波器組成級聯電路，可獲得尖銳的濾波作用及良好的頻率衰減。晶體管設計，就選深圳市凱軒業科技。整流二極管比較便宜

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10、半導體二極管的伏安特性：二極管的基本特性是單向導電性（注：硅管的導通電壓為0.6－0.8V；鍺管的導通電壓為0.2－0.3V），而工程分析時通常采用的是0.7V.11、半導體二極管的伏安特性曲線：（通過二極管的電流Ｉ與其兩端電壓Ｕ的關系曲線為二極管的伏安特性曲線。）見圖三.圖三硅和鍺管的伏安特性曲線12、半導體二極管的好壞判別:用萬用表(指針表)R﹡100或R﹡1K檔測量二極管的正,反向電阻要求在1K左右,反向電阻應在100K以上.總之,正向電阻越小,越好.反向電阻越大越好.若正向電阻無窮大,說明二極管內部斷路,若反向電阻為零,表明二極管以擊穿,內部斷開或擊穿的二極管均不能使用。整流二極管比較便宜