眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源極和漏極較大程度上致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管則不同，其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):頭一，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；第二，具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動(dòng)，而是自重?fù)诫sN+區(qū)（源極S）出發(fā)，經(jīng)過(guò)P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，然后垂直向下到達(dá)漏極D。因?yàn)榱魍ń孛娣e增大，所以能通過(guò)大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場(chǎng)效應(yīng)管。場(chǎng)效應(yīng)管的靈敏度較高，可以實(shí)現(xiàn)精確的電流控制。南京場(chǎng)效應(yīng)管尺寸

以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個(gè)高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連通，二者總保持等電位。當(dāng)漏接電源正極，源極接電源負(fù)極并使VGS=0時(shí)，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個(gè)擴(kuò)散區(qū)之間就感應(yīng)出帶負(fù)電的少數(shù)載流子，形成從漏極到源極的N型溝道，當(dāng)VGS大于管子的開(kāi)啟電壓VTN（一般約為+2V）時(shí)，N溝道管開(kāi)始導(dǎo)通，形成漏極電流ID。場(chǎng)效應(yīng)晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明，但是實(shí)用的器件一直到1952年才被制造出來(lái)（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，Junction-FET，JFET）。1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect transistor, MOSFET），從而大部分代替了JFET，對(duì)電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠(yuǎn)的意義。廣州增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)價(jià)格場(chǎng)效應(yīng)管在高頻電路中表現(xiàn)出色，能夠保持較低的失真和較高的效率。

場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)：場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類(lèi)。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）因有兩個(gè)PN結(jié)而得名，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完整絕緣而得名。它們由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。我們常說(shuō)的MOS管就是絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中的一種，它也是應(yīng)用較普遍的一種，所以這一節(jié)接下的內(nèi)容我們主要通過(guò)介紹MOS管來(lái)了解場(chǎng)效應(yīng)晶體管。MOSFET有分為增強(qiáng)型和耗盡型兩大類(lèi)，增強(qiáng)型和耗盡型每一類(lèi)又有NMOS和PMOS，和三極管中的PNP和NPN類(lèi)似。

在過(guò)渡層由于沒(méi)有電子、空穴的自由移動(dòng)，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動(dòng)。但是此時(shí)漏極-源極間的電場(chǎng)，實(shí)際上是兩個(gè)過(guò)渡層接觸漏極與門(mén)極下部附近，由于漂移電場(chǎng)拉去的高速電子通過(guò)過(guò)渡層。因漂移電場(chǎng)的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次，VGS向負(fù)的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時(shí)過(guò)渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且VDS的電場(chǎng)大部分加到過(guò)渡層上，將電子拉向漂移方向的電場(chǎng)，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。MOSFET是最常見(jiàn)的場(chǎng)效應(yīng)管，其優(yōu)勢(shì)在于高輸入電阻和低功耗。

功耗低場(chǎng)效應(yīng)管在電動(dòng)汽車(chē)電池管理系統(tǒng)中的應(yīng)用：電動(dòng)汽車(chē)的續(xù)航里程和電池壽命很大程度上取決于電池管理系統(tǒng)，功耗低場(chǎng)效應(yīng)管在其中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。電池管理系統(tǒng)需要實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電池的電壓、電流、溫度等參數(shù)，精確控制充放電過(guò)程，以確保電池的安全和高效使用。功耗低場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用于系統(tǒng)電路后，能夠明顯降低自身能耗，減少電池的額外負(fù)擔(dān)。同時(shí)，其穩(wěn)定的性能確保了電池狀態(tài)監(jiān)測(cè)的準(zhǔn)確性，避免因監(jiān)測(cè)誤差導(dǎo)致的電池過(guò)充、過(guò)放等問(wèn)題，從而延長(zhǎng)電池使用壽命。這不僅提升了電動(dòng)汽車(chē)的整體性能，讓用戶(hù)無(wú)需擔(dān)憂(yōu)續(xù)航問(wèn)題，還推動(dòng)了新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，為實(shí)現(xiàn)綠色出行、減少碳排放做出了積極貢獻(xiàn)。場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是通過(guò)控制柵極電壓來(lái)調(diào)節(jié)源極和漏極之間的電流。南京場(chǎng)效應(yīng)管尺寸

場(chǎng)效應(yīng)管可以用作放大器，可以放大輸入信號(hào)的幅度。南京場(chǎng)效應(yīng)管尺寸

MOS管開(kāi)關(guān)電路圖：頭一種應(yīng)用，由PMOS來(lái)進(jìn)行電壓的選擇，當(dāng)V8V存在時(shí)，此時(shí)電壓全部由V8V提供，將PMOS關(guān)閉，VBAT不提供電壓給VSIN，而當(dāng)V8V為低時(shí)，VSIN由8V供電。注意R120的接地，該電阻能將柵極電壓穩(wěn)定地拉低，確保PMOS的正常開(kāi)啟，這也是前文所描述的柵極高阻抗所帶來(lái)的狀態(tài)隱患。D9和D10的作用在于防止電壓的倒灌。D9可以省略。這里要注意到實(shí)際上該電路的DS接反，這樣由附生二極管導(dǎo)通導(dǎo)致了開(kāi)關(guān)管的功能不能達(dá)到，實(shí)際應(yīng)用要注意。南京場(chǎng)效應(yīng)管尺寸