大體意義上講，PN結的定義為：采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體基片上，一般半導體的材料選擇為硅或者鍺，在它們的交界面就形成空間電荷區稱為PN結。具體介紹PN結的形成大體分為三步，首先擴散運動，P區的空穴濃度遠大于N區的自由電子濃度，因此，P區的空穴必然向N區擴散，并與N區中的自由電子復合而消失；同樣，N區的自由電子必然向P區漂移，并與P區中的空穴復合而消失。其次是空間電荷區的產生，擴散運動導致了P區一側失去空穴而留下負離子，N區一側失去電子而留下正離子，這些不能移動的帶電離子稱為空間電荷，相應地這個區域稱為空間電荷區，較后由于有正離子和負離子，這樣在空間電荷區內就會產生一個內電場，內電場的產生讓多子的擴散和少子的漂移達到了一個動態平衡，較后形成了PN結。凱軒業的肖特基二極管采用先進制造工藝打造。遼寧優勢肖特基二極管

14、快速關斷（階躍恢復）二極管 （Step Recovary Diode）它也是一種具有 PN 結的二極管。其結構上的特點是：在 PN 結邊界處具有陡峭的雜質分布區，從而形成“自助電場”。由于 PN 結在正向偏壓下，以少數載流子導電，并在 PN 結附近具有電荷存貯效應，使其反向電流需要經歷一個“存貯時間”后才能降至較小值（反向飽和電流值）。階躍恢復二極管的“自助電場”縮短了存貯時間，使反向電流快速截止，并產生豐富的諧波分量。利用這些諧波分量可設計出梳狀頻譜發生電路。快速關斷（階躍恢復）二極管用于脈沖和高次諧波電路中。江西肖特基二極管的用途凱軒業通過嚴格質量把控，確保肖特基二極管品質上乘。

一般的二極管是利用PN接合來發揮二極管特性，而肖特基勢壘二極管是利用了金屬和半導體接合產生的肖特基勢壘。與一般的PN結二極管相比，具有正向電壓 (VF) 低，開關速度快的特點。但漏電流 (IR) 大，有如果熱設計錯誤則引起熱失控的缺點。肖特基勢壘二極管在特性上會因正向電流大而導致發熱。發熱則漏電流 (IR) 變大，同時外殼溫度、環境溫度也上升。如果熱設計錯誤，發熱將高于散熱，達不到熱平衡持續發熱。其結果漏電流 (IR) 也持續增加，較終元器件遭到損壞。這種現象叫做熱失控。使用穩壓二極管的關鍵是設計好它的電流值。穩壓二極管的特點就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。 這樣，當把穩壓管接入電路以后，若由于電源電壓發生波動，或其它原因造成電路中各點電壓變動時，負載兩端的電壓將基本保持不變。

二極管的工作原理晶體二極管為一個由 p 型半導體和 n 型半導體形成的 p-n 結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于 p-n 結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流 I0。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n 結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。肖特基二極管有效減少電路中的能量損耗，讓電路更節能。

較基本的分類方法。二極管根據其特性分為整流二極管、開關二極管、肖特基勢壘二極管、齊納二極管、用于高頻的高頻二極管。另外，作為保護元件一般使用齊納二極管，但隨著周邊電路的精密化、應用微細化，被要求使用更高性能的保護元件 — TVS (Transient Voltage Suppressor)。按原子構造來分類，主要分為現在主流的平面型和耐高壓的臺面型。二極管有各種各樣的形裝，大體分為插件形和貼片形使用穩壓二極管的關鍵是設計好它的電流值。穩壓二極管的特點就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。 這樣，當把穩壓管接入電路以后，若由于電源電壓發生波動，或其它原因造成電路中各點電壓變動時，負載兩端的電壓將基本保持不變。肖特基二極管在凱軒業的推動下不斷完善升級。遼寧優勢肖特基二極管

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如此反復,由于兩個整流元件D1、D2輪流導電,結果負載電阻Rfz 上在正、負兩個半周作用期間,都有同一方向的電流通過,如圖5-4(b)所示的那樣,因此稱為全波整流,全波整流不但利用了正半周,而且還巧妙地利用了負半周,從而較大地提高了整流效率(Usc=0.9e2,比半波整流時大一倍)。圖5-3所示的全波整濾電路,需要變壓器有一個使兩端對稱的次級中心抽頭,這給制作上帶來很多的麻煩。另外,這種電路中,每只整流二極管承受的較大反向電壓,是變壓器次級電壓較大值的兩倍,因此需用能承受較高電壓的二極管。遼寧優勢肖特基二極管