MEMS制作工藝-太赫茲特性:
1.相干性由于它是由相千電流驅動的電偶極子振蕩產生,或又相千的激光脈沖通過非線性光學頻率差頻產生,因此有很好的相干性。THz的相干測量技術能夠直接測量電場振幅和相位,從而方便提取檢測樣品的折射率,吸收系數等。
2.低能性:THz光子的能量只有10^-3量級,遠小于X射線的10^3量級,不易破壞被檢測的物質,適合于生物大分子與活性物質結構的研究。
3.穿透性:THz輻射對于很多非極性物質,如塑料,紙箱,布料等包裝材料有很強的穿透能力,在環境控制與安全方面能有效發揮作用
4.吸收性:大多數極性分子對THz有強烈的吸收作用,可以用來進行醫療診斷與產品質量監控
5.瞬態性:相比于傳統電磁波與光波,THz典型脈寬在皮秒量級,通過光電取樣測量技術,能夠有效抑制背景輻射噪聲的干擾,在小于3THz時信噪比達10人4:1。
6.寬帶性:THz脈沖光源通常包含諾千個周期的電磁振蕩,!單個脈沖頻寬可以覆蓋從GHz至幾+THz的范圍,便于在大的范圍內分析物質的光譜信息。 柔性電極表面改性技術通過 PEG 復合涂層,降低蛋白吸附 90% 并提升體內植入生物相容性。中國臺灣MEMS微納米加工誠信合作
MEMS四種刻蝕工藝的不同需求:
絕緣層上的硅蝕刻即SOI器件刻蝕:先進的微機電組件包含精細的可移動性零組件,例如應用于加速計、陀螺儀、偏斜透鏡(tiltingmirrors).共振器(resonators)、閥門、泵、及渦輪葉片等組件的懸臂梁。這些許多的零組件,是以深硅蝕刻方法在晶圓的正面制造,接著藉由橫方向的等向性底部蝕刻的方法從基材脫離,此方法正是典型的表面細微加工技術。而此技術有一項特點是以掩埋的一層材料氧化硅作為針對非等向性蝕刻的蝕刻終止層,達成以等向性蝕刻實現組件與基材間脫離的結構(如懸臂梁)。由于二氧化硅在硅蝕刻工藝中,具有高蝕刻選擇比且在各種尺寸的絕緣層上硅晶材料可輕易生成的特性,通常被采用作為掩埋的蝕刻終止層材料。 中國澳門MEMS微納米加工圖片多圖拼接測量技術通過 SEM 圖像融合,實現大尺寸微納結構的亞微米級精度全景表征。
MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點:
1.由于聲表面波器件是在單晶材料上用半導體平面工藝制作的,所以它具有很好的一致性和重復性,易于大量生產,而且當使用某些單晶材料或復合材料時,聲表面波器件具有極高的溫度穩定性。
2.聲表面波器件的抗輻射能力強,動態范圍很大,可達100dB。這是因為它利用的是晶體表面的彈性波而不涉及電子的遷移過程此外,在很多情況下,聲表面波器件的性能還遠遠超過了很好的電磁波器件所能達到的水平。比如用聲表面波可以作成時間-帶寬乘積大于五千的脈沖壓縮濾波器,在UHF頻段內可以作成Q值超過五萬的諧振腔,以及可以作成帶外抑制達70dB、頻率達1低Hz的帶通濾波器
MEMS制作工藝-聲表面波器件SAW:
聲表面波是一種沿物體表面傳播的彈性波,它能夠在兼作傳聲介質和電聲換能材料的壓電基底材料表面進行傳播。它是聲學和電子學相結合的一門邊緣學科。由于聲表面波的傳播速度比電磁波慢十萬倍,而且在它的傳播路徑上容易取樣和進行處理。因此,用聲表面波去模擬電子學的各種功能,能使電子器件實現超小型化和多功能化。隨著微機電系統(MEMS)技術的發展進步,聲表面波研究向諸多領域進行延伸研究。上世紀90年代,已經實現了利用聲表面波驅動固體。進入二十一世紀,聲表面波SAW在微流體應用研究取得了巨大的發展。應用聲表面波器件可以實現固體驅動、液滴驅動、微加熱、微粒集聚\混合、霧化。 基于 0.35/0.18μm 高壓工藝的神經電刺激 SoC 芯片,實現多通道控制與生物相容性優化。
柔性電極的生物相容性表面改性技術:柔性電極的長期植入性能依賴于表面生物相容性改性,公司采用多層涂層工藝解決蛋白吸附與炎癥反應問題。以PI基柔性電極為基底,首先通過等離子體處理引入羥基基團,然后接枝硅烷偶聯劑(如APTES)形成活性界面,再通過層層自組裝技術沉積PEG(聚乙二醇)與殼聚糖復合層,**終涂層厚度5-15nm。該涂層可使水接觸角從85°降至50°,蛋白吸附量從100ng/cm2降至<10ng/cm2,中性粒細胞黏附率下降80%。在動物植入實驗中,改性后的電極在體內留置3個月,周圍組織纖維化程度較未處理組減輕60%,信號衰減<15%,而對照組衰減達40%。該技術適用于神經電極、心臟起搏電極等植入器件,結合MEMS加工的超薄化設計(電極厚度<10μm),降低手術創傷與長期植入風險。公司支持定制化涂層配方,可根據應用場景調整親疏水性、電荷性質及生物活性分子(如生長因子)接枝,為植入式醫療設備提供個性化表面改性解決方案。微納加工產業化能力覆蓋設計、工藝、量產全鏈條,月產能達 50,000 片并持續技術創新。甘肅MEMS微納米加工原料
MEMS傳感器的主要應用領域有哪些?中國臺灣MEMS微納米加工誠信合作
微流控芯片的自動化檢測與統計分析:公司建立了基于機器視覺的微流控芯片自動化檢測系統,實現尺寸測量、缺陷識別與性能統計的全流程智能化。檢測設備配備6MPUSB3.0攝像頭與遠心光學鏡頭,配合步進電機平移臺(精度±1μm),可對芯片流道、微孔、電極等結構進行掃描。通過自研算法自動識別特征區域,測量參數包括高度(分辨率0.1μm)、周長、面積、寬度、半徑等,數據重復性誤差<±0.5%。缺陷檢測模塊采用深度學習模型,可識別<5μm的毛刺、缺口、氣泡等缺陷,準確率>99%。檢測系統實時生成統計報告,包含CPK、均值、標準差等質量參數,支持SPC過程控制。在PDMS芯片檢測中,單芯片檢測時間<2分鐘,效率較人工檢測提升20倍,良品率統計精度達0.1%。該系統已集成至量產產線,實現從原材料入庫到成品出廠的全鏈路質量追溯,為微流控芯片的標準化生產提供了可靠保障,尤其適用于高精度醫療檢測芯片與工業控制芯片的質量管控。中國臺灣MEMS微納米加工誠信合作