MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：

1.體硅刻蝕：一些塊體蝕刻些微機電組件制造過程中需要蝕刻挖除較大量的Si基材，如壓力傳感器即為一例，即通過蝕刻硅襯底背面形成深的孔洞，但未蝕穿正面，在正面形成一層薄膜。還有其他組件需蝕穿晶圓，不是完全蝕透晶背而是直到停在晶背的鍍層上。基于Bosch工藝的一項特點，當要維持一個近乎于垂直且平滑的側壁輪廓時，是很難獲得高蝕刻率的。因此通常為達到很高的蝕刻率，一般避免不了伴隨產生具有輕微傾斜角度的側壁輪廓。不過當采用這類塊體蝕刻時，工藝中很少需要垂直的側壁。

2.準確刻蝕：精確蝕刻精確蝕刻工藝是專門為體積較小、垂直度和側壁輪廓平滑性上升為關鍵因素的組件而設計的。就微機電組件而言，需要該方法的組件包括微光機電系統及浮雕印模等。一般說來，此類特性要求，蝕刻率的均勻度控制是遠比蝕刻率重要得多。由于蝕刻劑在蝕刻反應區附近消耗率高，引發蝕刻劑密度相對降低，而在晶圓邊緣蝕刻率會相應地增加，整片晶圓上的均勻度問題應運而生。上述問題可憑借對等離子或離子轟擊的分布圖予以校正，從而達到均鐘刻的目的。 MEMS被認為是21世紀很有前途的技術之一。湖南MEMS微納米加工一體化

MEMS特點：

1.微型化：MEMS器件體積小、重量輕、耗能低、慣性小、諧振頻率高、響應時間短。

2.以硅為主要材料，機械電器性能優良：硅的強度、硬度和楊氏模量與鐵相當，密度類似鋁，熱傳導率接近鉬和鎢。

3.批量生產：用硅微加工工藝在一片硅片上可同時制造成百上千個微型機電裝置或完整的MEMS。批量生產可降低生產成本。

4.集成化：可以把不同功能、不同敏感方向或致動方向的多個傳感器或執行器集成于一體，或形成微傳感器陣列、微執行器陣列，甚至把多種功能的器件集成在一起，形成復雜的微系統。微傳感器、微執行器和微電子器件的集成可制造出可靠性、穩定性很高的MEMS。

5.多學科交叉：MEMS涉及電子、機械、材料、制造、信息與自動控制、物理、化學和生物等多種學科，并集約了當今科學技術發展的許多成果。 湖南MEMS微納米加工一體化可降解聚合物加工工藝儲備，為體內短期植入檢測芯片提供生物相容性材料解決方案。

國內政策大力推動MEMS產業發展：國家政策大力支持傳感器發展，國內MEMS企業擁有好的發展環境。我國高度重視MEMS和傳感器技術發展，在2017年工信部出臺的《智能傳感器產業三年行動指南（2017-2019）》中，明確指出要著力突破硅基MEMS加工技術、MEMS與互補金屬氧化物半導體（CMOS）集成、非硅模塊化集成等工藝技術，推動發展器件級、晶圓級MEMS封裝和系統級測試技術。國家政策高度支持MEMS制造企業研發創新，政策驅動下，國內MEMS制造企業獲得發展良機。

MEMS制作工藝壓電器件的常用材料：

氧化鋅是一種眾所周知的寬帶隙半導體材料（室溫下3.4eV，晶體），它有很多應用，如透明導體，壓敏電阻，表面聲波，氣體傳感器，壓電傳感器和UV檢測器。并因為可能應用于薄膜晶體管方面正受到相當的關注。同時氧化鋅還具有相當良好的生物相容性，可降解性。E.Fortunato教授介紹了基于氧化鋅的新型薄膜晶體管所帶來的主要優勢，這些薄膜晶體管在下一代柔性電子器件中非常有前途。除此之外，還有眾多的二維材料被應用于柔性電子領域，包括石墨烯、半導體氧化物，納米金等。2014年發表在chemicalreview和naturenanotechnology上的兩篇經典綜述詳盡闡述了二維材料在柔性電子的應用。 MEMS的繼電器與開關是什么？

微針器件與生物傳感集成：公司采用干濕法混合刻蝕工藝制備的微針陣列，兼具納米級前列銳度（曲率半徑<100 nm）與微米級結構強度（抗彎剛度≥1 GPa），可穿透角質層無創提取組織間液或實現透皮給藥。在藥物遞送領域，載藥微針通過可降解高分子涂層（如PLGA）實現藥物的緩釋控制。例如，胰島素微針貼片可在30分鐘內完成藥物釋放，生物利用度較皮下注射提升40%。此外，微針表面可修飾金納米顆粒或導電聚合物，集成阻抗/伏安傳感模塊，實時檢測炎癥因子（如IL-6）或病原體抗原，檢測限低至1 pg/mL。在電化學檢測場景中，微針陣列與微流控芯片聯用，可同步完成樣本提取、預處理與信號分析，將皮膚間質液檢測的全程時間縮短至15分鐘，為POCT設備的小型化奠定基礎。跨尺度加工技術結合 EBL 與紫外光刻，在單一基板構建納米至毫米級復合微納結構。山東MEMS微納米加工批量定制

MEMS 微納米加工的成本效益隨著技術的成熟逐漸提高，為其大規模商業化應用奠定了基礎。湖南MEMS微納米加工一體化

硅基金屬電極加工工藝與生物相容性優化：在硅片、LN（鈮酸鋰）、LT（鉭酸鋰）、藍寶石、石英等基板上加工金屬電極，需兼顧電學性能與生物相容性。公司采用濺射沉積與剝離工藝，首先在基板表面沉積50-200nm的鈦/金種子層，增強金屬與基板的附著力；然后旋涂光刻膠并曝光顯影，形成電極圖案；再濺射1-5μm厚度的金/鉑金屬層，***通過**剝離得到完整電極結構。電極線條寬度可控制在10-500μm，邊緣粗糙度＜5μm，接觸電阻＜1Ω?cm2。針對植入式醫療器件，表面采用聚乙二醇（PEG）涂層處理，通過硅烷偶聯劑共價鍵合，涂層厚度5-10nm，可將蛋白吸附量降低90%以上，炎癥反應發生率下降60%。該技術應用于神經電極時，16通道電極陣列的信號噪聲比＞20dB，可穩定記錄單個神經元放電信號達3個月以上。在傳感器領域，硅基金電極對葡萄糖的檢測靈敏度達100μA?mM?1?cm?2，線性范圍0.01-10mM，適用于血糖監測芯片。公司支持多種金屬材料（如鈦、鉑、銥）與基板的組合加工，滿足不同應用場景對電極導電性、耐腐蝕性的需求。湖南MEMS微納米加工一體化