晶體二極管分類如下：1、點接觸型二極管，點接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過電流法而形成的。因此，其PN結的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結型相比較，點接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流。因為構造簡單，所以價格便宜。對于小信號的檢波、整流、調制、混頻和限幅等一般用途而言，它是應用范圍較廣的類型。2、外延型二極管，用外延面長的過程制造PN結而形成的二極管。制造時需要非常高超的技術。因能隨意地控制雜質的不同濃度的分布，故適宜于制造高靈敏度的變容二極管。二極管還可以用于設計逆變器、振蕩器、繼電器、光電設備等電子器件。廣州二極管工作原理

變容二極管： 變容二極管是利用PN結的電容隨外加偏壓而變化這一特性制成的非線性電容元件，被普遍地用于參量放大器，電子調諧及倍頻器等微波電路中。瞬態電壓抑制二極管TVS： 一種固態二極管，專門用于ESD保護。TVS二極管是和被保護電路并聯的，當瞬態電壓超過電路的正常工作電壓時，二極管發生雪崩，為瞬態電流提供通路，使內部電路免遭超額電壓的擊穿。發光二極管LED： 用磷化鎵、磷砷化鎵材料制成，體積小，正向驅動發光。工作電壓低，工作電流小，發光均勻、壽命長、可發紅、黃、綠單色光。深圳二極管作用高頻二極管可以用于射頻電路中，具有快速開關特性和低噪聲。

反向偏置（Reverse Bias），在陽極側施加相對陰極負的電壓，就是反向偏置，所加電壓為反向偏置。這種情況下，因為N型區域被注入空穴，P型區域被注入電子，兩個區域內的主要載流子都變為不足，因此結合部位的耗盡層變得更寬，內部的靜電場也更強，擴散電位也跟著變大。這個擴散電位與外部施加的電壓互相抵銷，讓反向的電流更難以通過。更多的細節請參閱“PN結”條目。實際的元件雖然處于反向偏置狀態，也會有微小的反向電流（漏電流、漂移電流）通過。當反向偏置持續增加時，還會發生 隧道擊穿 或 雪崩擊穿 或 崩潰 ，發生急遽的電流增加。開始產生這種擊穿現象的（反向）電壓被稱為 擊穿電壓 。超過擊穿電壓以后反向電流急遽增加的區域被稱為 擊穿區 （ 崩潰區 ）。在擊穿區內，電流在較大的范圍內變化而二極管反向壓降變化較小。穩壓二極管就利用這個區域的動作特性而制成，可以作為電壓源使用。

二極管，（英語：Diode），電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極管（Varicap Diode）則用來當作電子式的可調電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流（Rectifying）”功能。二極管較普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷 （稱為逆向偏壓）。因此，二極管可以想成電子版的逆止閥。二極管的種類非常多，常見的有以下幾種，看看有沒有你不認識呢？1．整流二極管，整流二極管英文名稱為Rectifier diode，它是一種用于將交流電轉變為直流電的半導體器件，是電子行業中應用較普遍的一種二極管，整流二極管1N系列的比較多，比如1N4001-1N4007。整流二極管有SMT和THT兩種封裝形式，SMT封裝常見的有SMA、SMB、SMC和SOD123等。整流二極管的原理圖和PCB庫封裝（SMA）。部分二極管還具有光電轉換功能，用于光電器件和光通信。

二極管特性及參數：1、二極管伏安特性，導通后分電壓值約為 0.7 V（硅管）或0.3V（鍺管）（LED 約為 1-2 V，電流 5-20 mA）。反向不導通，但如果達到反向擊穿電壓，那將導通（超過反向較大電壓可能燒壞）。正向電壓很小時不導通（0.5 V 以上時才導通）。2、主要參數：較大整流電流 I_FIF： 表示長期運行允許的較大正向平均電流，超出可能因結溫過高燒壞。較高反向工作電壓 U_RUR：允許施加的較大反向電壓，超出可能擊穿。（U_RUR 通常為擊穿電壓的一半）。反向電流 I_RIR： 未擊穿時的反向電流，越小導電性越好。較高工作頻率 f_MfM： 上線截止頻率。因結電容作用，超出可能不能很好體現的單向導電性。二極管是一種電子器件，具有正向導、反向截止的特性。光敏二極管供應

當二極管的正極連接到P區，負極連接到N區時，電流可以流過二極管，實現導電。廣州二極管工作原理

變容二極管：變容二極管英文名稱為Varactor Diodes，又稱可變電抗二極管，是利用PN結反偏時結電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時結電容減小、反之結電容增大，變容二極管的電容量一般較小，其較大值為幾十pF到幾百pF，較大電容與較小電容之比約為5:1。它主要在高頻電路中用作自動調諧、調頻、調相等、例如在電視接收機的調諧回路中作可變電容。變容二極管的外形與普通二極管相同，原理圖的封裝在K極會有兩根豎線的標記。廣州二極管工作原理