功耗低場(chǎng)效應(yīng)管完美順應(yīng)了當(dāng)今節(jié)能減排的時(shí)代趨勢(shì)。通過(guò)對(duì)溝道結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì),采用新型的低電阻材料,明顯降低了導(dǎo)通電阻,從而大幅減少了電流通過(guò)時(shí)的能量損耗。在可穿戴設(shè)備領(lǐng)域,電池續(xù)航一直是困擾用戶的難題。以智能手環(huán)為例,其內(nèi)部空間有限,電池容量不大,但卻需要持續(xù)運(yùn)行多種功能,如心率監(jiān)測(cè)、運(yùn)動(dòng)追蹤、信息提醒等。功耗低場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用于智能手環(huán)的電源管理和信號(hào)處理電路后,能夠大幅降低整體功耗。原本只能續(xù)航 1 - 2 天的智能手環(huán),采用此類場(chǎng)效應(yīng)管后,續(xù)航可提升至 7 - 10 天,極大地提升了用戶使用的便利性,讓用戶無(wú)需頻繁充電,能夠持續(xù)享受智能手環(huán)帶來(lái)的便捷服務(wù),有力地推動(dòng)了可穿戴設(shè)備的普及與發(fā)展,讓健康監(jiān)測(cè)與便捷生活時(shí)刻相伴。在進(jìn)行場(chǎng)效應(yīng)管電路調(diào)試時(shí),應(yīng)逐步調(diào)整柵極電壓,觀察輸出變化,以確保電路性能達(dá)到預(yù)期。廣州金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格
計(jì)算導(dǎo)通損耗。MOSFET器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計(jì)算,由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化,因此功率耗損也會(huì)隨之按比例變化。對(duì)便攜 式設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō),采用較低的電壓比較容易(較為普遍),而對(duì)于工業(yè)設(shè)計(jì),可采用較高的電壓。注意RDS(ON)電阻會(huì)隨著電流輕微上升。關(guān)于RDS(ON)電 阻的各種電氣參數(shù)變化可在制造商提供的技術(shù)資料表中查到。計(jì)算系統(tǒng)的散熱要求。設(shè)計(jì)人員必須考慮兩種不同的情況,即較壞情況和真實(shí)情況。建議采用針對(duì)較壞情況的計(jì)算結(jié)果,因?yàn)檫@個(gè)結(jié)果提供更大的安全余量,能 確保系統(tǒng)不會(huì)失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測(cè)量數(shù)據(jù);比如封裝器件的半導(dǎo)體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻,以及較大的結(jié)溫。開(kāi)關(guān)損耗其實(shí)也是一個(gè)很重要的指標(biāo)。從下圖可以看到,導(dǎo)通瞬間的電壓電流乘積相當(dāng)大。一定程度上決定了器件的開(kāi)關(guān)性能。不過(guò),如果系統(tǒng)對(duì)開(kāi)關(guān)性能要求比較高,可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET。馬鞍山P溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET在數(shù)字電路、功率放大器等領(lǐng)域普遍應(yīng)用。
與雙極型晶體管相比,場(chǎng)效應(yīng)管具有如下特點(diǎn)。(1)場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,它通過(guò)VGS(柵源電壓)來(lái)控制ID(漏極電流);(2)場(chǎng)效應(yīng)管的控制輸入端電流極小,因此它的輸入電阻(107~1012Ω)很大。(3)它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,因此它的溫度穩(wěn)定性較好;(4)它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù);(5)場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng);(6)由于它不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲,所以噪聲低。
場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)是電子技術(shù)中普遍使用的一種半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、噪聲低和低功耗等優(yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)管的用途:一、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。二、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。三、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。四、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。五、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān)。總結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管在電子應(yīng)用中非常普遍,了解基礎(chǔ)知識(shí)之后我們接下來(lái)就可以運(yùn)用它做一些電子開(kāi)發(fā)了。場(chǎng)效應(yīng)管在電路設(shè)計(jì)中常作為信號(hào)放大器使用,能夠有效地放大微弱信號(hào)。
MOS管開(kāi)關(guān)電路圖:頭一種應(yīng)用,由PMOS來(lái)進(jìn)行電壓的選擇,當(dāng)V8V存在時(shí),此時(shí)電壓全部由V8V提供,將PMOS關(guān)閉,VBAT不提供電壓給VSIN,而當(dāng)V8V為低時(shí),VSIN由8V供電。注意R120的接地,該電阻能將柵極電壓穩(wěn)定地拉低,確保PMOS的正常開(kāi)啟,這也是前文所描述的柵極高阻抗所帶來(lái)的狀態(tài)隱患。D9和D10的作用在于防止電壓的倒灌。D9可以省略。這里要注意到實(shí)際上該電路的DS接反,這樣由附生二極管導(dǎo)通導(dǎo)致了開(kāi)關(guān)管的功能不能達(dá)到,實(shí)際應(yīng)用要注意。場(chǎng)效應(yīng)管具有高頻響應(yīng)特性,適用于高頻、高速電路,如雷達(dá)、衛(wèi)星通信等。馬鞍山P溝道場(chǎng)效應(yīng)管
場(chǎng)效應(yīng)管的電阻特性取決于柵極電壓,可實(shí)現(xiàn)精確控制。廣州金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格
雙柵極場(chǎng)效應(yīng)管在衛(wèi)星通信中的功能:衛(wèi)星通信面臨著復(fù)雜的電磁環(huán)境,雙柵極場(chǎng)效應(yīng)管肩負(fù)著重要的職責(zé)。衛(wèi)星與地面站通信時(shí),不僅要接收來(lái)自遙遠(yuǎn)衛(wèi)星的微弱信號(hào),還要應(yīng)對(duì)宇宙射線、電離層干擾等諸多挑戰(zhàn)。雙柵極場(chǎng)效應(yīng)管的雙柵極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)精妙,一個(gè)柵極專門(mén)用于接收微弱的衛(wèi)星信號(hào),如同敏銳的耳朵,不放過(guò)任何一絲信息;另一個(gè)柵極則根據(jù)干擾情況動(dòng)態(tài)調(diào)整增益,抑制干擾信號(hào),增強(qiáng)有用信號(hào)強(qiáng)度。在衛(wèi)星電視信號(hào)傳輸中,雙柵極場(chǎng)效應(yīng)管確保信號(hào)清晰,讓用戶能夠收看到高清、流暢的電視節(jié)目;在衛(wèi)星電話通話中,保障通話質(zhì)量,使遠(yuǎn)在太空的宇航員與地面指揮中心能夠順暢溝通。它為全球通信網(wǎng)絡(luò)的穩(wěn)定運(yùn)行提供了有力支撐,讓信息能夠跨越浩瀚的宇宙,實(shí)現(xiàn)無(wú)縫傳遞。廣州金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格