正向偏置（Forward Bias），二極管的陽極側施加正電壓，陰極側施加負電壓，這樣就稱為正向偏置，所加電壓為正向偏置。如此N型半導體被注入電子，P型半導體被注入空穴。這樣一來，讓多數載流子過剩，耗盡層縮小、消滅，正負載流子在PN接合部附近結合并消滅。整體來看，電子從陰極流向陽極（電流則是由陽極流向陰極）。在這個區域，電流隨著偏置的增加也急遽地增加。伴隨著電子與空穴的再結合，兩者所帶有的能量轉變為熱（和光）的形式被放出。能讓正向電流通過的必要電壓被稱為開啟電壓，特定正向電流下二極管兩端的電壓稱為正向壓降。在數字電路中，二極管可用作邏輯門電路的組成部分，實現邏輯運算。惠州續流二極管檢查方法

反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。雪崩擊穿，另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結長久性損壞。廣州發光二極管定制價格二極管在電路中的位置和方向對電路功能有重要影響。

二極管串聯的情況。顯然在理想條件下,有幾只管子串聯,每只管子承受的反向電壓就應等于總電壓的幾分之一。但因為每只二極管的反向電阻不盡相同,會造成電壓分配不均:內阻大的二極管,有可能由于電壓過高而被擊穿,并由此引起連鎖反應,逐個把二極管擊穿。在二極管上并聯的電阻R,可以使電壓分配均勻。均壓電阻要取阻值比二極管反向電阻值小的電阻器,各個電阻器的阻值要相等。ESD二極管和TVS二極管都是電路保護器件，工作原理是一樣的，但功率和封裝是不一樣的，ESD二極管主要是用來防靜電，防靜電就要求電容值低，一般是1-3.5PF之間為較好；而TVS二極管就做不到這一點，TVS二極管的電容值比較高。靜電放電二極管常用的是3個引腳的，ESD二極管的正負接在電源引腳，公共端接在被保護引腳上起到釋放靜電的作用。

二極管是否損壞如何判斷：單負導電性能的檢測及好壞的判斷，通常，鍺材料二極管的正向電阻值為1kΩ左右，反向電阻值為300左右。硅材料二極管的電阻值為5kΩ左右，反向電阻值為（無窮大）。正向電阻越小越好，反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊，說明二極管的單向導電特性越好。若測得二極管的正、反向電阻值均接近0或阻值較小，則說明該二極管內部已擊穿短路或漏電損壞。若測得二極管的正、反向電阻值均為無窮大，則說明該二極管已開路損壞。逆向擊穿時應避免超過較大額定反向電壓，以免損壞器件。

反向偏置（Reverse Bias），在陽極側施加相對陰極負的電壓，就是反向偏置，所加電壓為反向偏置。這種情況下，因為N型區域被注入空穴，P型區域被注入電子，兩個區域內的主要載流子都變為不足，因此結合部位的耗盡層變得更寬，內部的靜電場也更強，擴散電位也跟著變大。這個擴散電位與外部施加的電壓互相抵銷，讓反向的電流更難以通過。更多的細節請參閱“PN結”條目。實際的元件雖然處于反向偏置狀態，也會有微小的反向電流（漏電流、漂移電流）通過。當反向偏置持續增加時，還會發生 隧道擊穿 或 雪崩擊穿 或 崩潰 ，發生急遽的電流增加。開始產生這種擊穿現象的（反向）電壓被稱為 擊穿電壓 。超過擊穿電壓以后反向電流急遽增加的區域被稱為 擊穿區 （ 崩潰區 ）。在擊穿區內，電流在較大的范圍內變化而二極管反向壓降變化較小。穩壓二極管就利用這個區域的動作特性而制成，可以作為電壓源使用。二極管的價格相對較低，適合大規模生產和應用。廣州發光二極管定制價格

二極管采用PN結構，正向偏置時電子和空穴結合，反向偏置時形成勢壘，導致電流很小。惠州續流二極管檢查方法

二極管是否損壞如何判斷：反向擊穿電壓的檢測，二極管反向擊穿電壓（耐壓值）可以用晶體管直流參數測試表測量。其方法是：測量二極管時，應將測試表的“NPN/PNP”選擇鍵設置為NPN狀態，再將被測二極管的正極接測試表的“C”插孔內，負極插入測試表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”鍵，測試表即可指示出二極管的反向擊穿電壓值。也可用兆歐表和萬用表來測量二極管的反向擊穿電壓、測量時被測二極管的負極與兆歐表的正極相接，將二極管的正極與兆歐表的負極相連，同時用萬用表（置于合適的直流電壓檔）監測二極管兩端的電壓。搖動兆歐表手柄（應由慢逐漸加快），待二極管兩端電壓穩定而不再上升時，此電壓值即是二極管的反向擊穿電壓。惠州續流二極管檢查方法