按電壓等級分類600VIGBT模塊：屬于中低壓范疇，一般用于對電壓要求不高的場合，像家用空調、電磁爐等家電的變頻控制，還有一些小型的工業(yè)變頻設備等，能滿足這些設備中對電機驅動、電源轉換等功能的需求。1200VIGBT模塊：應用較為，在工業(yè)電機驅動、光伏逆變器、電焊機等領域常見。比如在一般的工業(yè)自動化生產(chǎn)線中，驅動各類交流電機的變頻器很多都采用1200V的IGBT模塊來實現(xiàn)對電機的變頻調速控制。1700V及以上IGBT模塊：主要用于高壓、大功率場景，如高壓直流輸電、軌道交通的牽引變流器等。在高壓直流輸電的換流站中，1700V及以上的IGBT模塊能承受高電壓、處理大電流，實現(xiàn)高壓直流電與交流電之間的轉換。IGBT模塊經(jīng)過嚴苛測試，確保在各種復雜環(huán)境下保持穩(wěn)定。松江區(qū)標準兩單元igbt模塊

熱管散熱原理：利用熱管內(nèi)部工作液體的蒸發(fā)與冷凝循環(huán)來傳遞熱量。熱管一端與IGBT模塊的發(fā)熱部位接觸，吸收熱量后，內(nèi)部的工作液體蒸發(fā)成蒸汽，蒸汽在微小的壓力差下快速流向熱管的另一端，在那里遇冷又凝結成液體，通過毛細作用或重力作用，液體回流到蒸發(fā)端，繼續(xù)循環(huán)帶走熱量。特點：具有極高的導熱性能，能夠快速將IGBT模塊的熱量傳遞到散熱鰭片等散熱部件上。熱管散熱系統(tǒng)體積小、重量輕，且無需外部動力驅動，運行安靜、可靠。適用于對空間要求較高、散熱要求也較高的場合，如一些緊湊型的電力電子設備、航空航天領域的IGBT模塊散熱等。不過，熱管的制造工藝要求較高，成本相對較高，且熱管一旦損壞，維修較為困難。Standard 1-packigbt模塊PIM功率集成模塊IGBT模塊作為高性能功率半導體器件，在電力電子領域具有廣泛應用前景。

電力領域高壓直流輸電：在高壓直流輸電系統(tǒng)中，IGBT模塊用于換流站的換流器，實現(xiàn)交流電與直流電之間的高效轉換。其能夠承受高電壓和大電流，可控制大功率電能的傳輸，提高輸電效率，減少傳輸損耗，實現(xiàn)遠距離、大容量的電力輸送。智能電網(wǎng)：在智能電網(wǎng)的分布式發(fā)電、儲能系統(tǒng)以及電能質量調節(jié)等環(huán)節(jié)，IGBT模塊發(fā)揮著關鍵作用。如用于靜止無功補償器（SVC）和靜止同步補償器（STATCOM）中，快速調節(jié)電網(wǎng)的無功功率，穩(wěn)定電網(wǎng)電壓，提高電網(wǎng)的穩(wěn)定性和可靠性。

基本結構芯片層面：IGBT模塊內(nèi)部主要包含IGBT芯片和FWD芯片。IGBT芯片是部分，它由輸入級的MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）和輸出級的雙極型晶體管（BJT）組成，結合了MOSFET的高輸入阻抗、低驅動功率和BJT的低導通壓降、大電流處理能力的優(yōu)點。FWD芯片則主要用于提供反向電流通路，在電路中起到續(xù)流等作用，防止出現(xiàn)反向電壓損壞IGBT等情況。封裝層面：通常采用多層結構進行封裝。內(nèi)層是芯片，通過金屬鍵合線將芯片的電極與封裝內(nèi)部的引線框架連接起來，實現(xiàn)電氣連接。然后，使用絕緣材料將芯片和引線框架進行隔離，保證電氣絕緣性能。外部則是塑料或陶瓷等材質的外殼，起到保護內(nèi)部芯片和引線框架的作用，同時也便于安裝和固定在電路板或其他設備上。IGBT模塊外殼實現(xiàn)絕緣性能，要求耐高溫、不易變形。

按芯片技術分類平面型IGBT模塊：是較早出現(xiàn)的技術，其芯片結構簡單，成本相對較低，但在性能上有一定局限性，如開關速度、通態(tài)壓降等方面。常用于一些對性能要求不是特別高、成本敏感的應用場景，像普通的工業(yè)加熱設備等。溝槽型IGBT模塊：采用溝槽結構來增加芯片的有效面積，提高了電流密度，降低了通態(tài)壓降，同時開關速度也有所提升。在新能源汽車、光伏等對效率和性能要求較高的領域應用多樣，能有效提高系統(tǒng)的效率和功率密度。場截止型IGBT模塊：通過在芯片內(nèi)部設置場截止層，優(yōu)化了IGBT的關斷特性，減少了關斷損耗，提高了模塊的開關頻率和效率。適用于高頻、高壓、大功率的應用場合，如高壓變頻器、風力發(fā)電變流器等。IGBT模塊市場高度集中，國內(nèi)企業(yè)加速發(fā)展促進國產(chǎn)替代。黃浦區(qū)igbt模塊PIM功率集成模塊

IGBT模塊封裝過程中焊接技術影響運行時的傳熱性。松江區(qū)標準兩單元igbt模塊

考慮IGBT模塊的性能參數(shù)開關特性：開關速度是IGBT模塊的重要性能指標之一，包括開通時間和關斷時間。較快的開關速度可以降低開關損耗，提高變頻器的效率，但也可能會增加電磁干擾（EMI）。因此，需要在開關速度和EMI之間進行權衡。一般來說，對于高頻運行的變頻器，應選擇開關速度較快的IGBT模塊；而對于對EMI要求較高的場合，則需要適當降低開關速度或采取相應的EMI抑制措施。導通壓降：導通壓降越小，IGBT模塊在導通狀態(tài)下的功率損耗就越小，效率也就越高。在長時間連續(xù)運行的變頻器中，選擇導通壓降小的IGBT模塊可以降低能耗，提高系統(tǒng)的可靠性。短路耐受能力：IGBT模塊應具備一定的短路耐受時間，以應對變頻器可能出現(xiàn)的短路故障。一般要求IGBT模塊在短路時能夠承受數(shù)微秒到幾十微秒的短路電流而不損壞，這樣可以為保護電路提供足夠的時間來切斷故障電流，避免IGBT模塊因短路而損壞。松江區(qū)標準兩單元igbt模塊