通過W1微調電位器可整定過流電平。當三相交流輸入缺相時，本控制板均能對電源實現保護和指示。其原理是：由4#、6#、2#晶閘管的陰極（K）分別取A、B、C三相電壓信號（通過門極引線），經過光電耦合器的隔離送到IC6進行檢測和判別，一旦出現“缺相”故障時，除了整流觸發脈沖外，還驅動“”LED指示燈以及報警繼電器。為了使控制電路能夠更可靠準確的運行，控制電路上還設置了啟動定時器和控制電源欠壓檢測保護。在開機的瞬間，控制電路的工作是不穩定的，設置一個3秒鐘左右的定時器，待定時過后，才容許輸出觸發脈沖。這部分電路由IC2B等元件構成。若由于某種原因造成控制板上直流供電電壓過低，穩壓器不能穩壓，亦會使控制出錯。設置一個欠壓檢測電路（由IC2A等組成），當電壓低于整流觸發脈沖，防止不正確的觸發，同時點亮“”LED批示燈和驅動報警繼電器。自動重復起動電路在IC8內部。微動開關DIP-1用于關閉自動重復起動電路。Q2組成中頻過電壓檢測，輸入到IC6的29P，整流觸發脈沖；驅動“”LED指示燈亮和驅動報警繼電器；同時使過壓保護振蕩器起振。過電壓保護動作后，也像過流保護一樣，只有通過復位信號或通過關機后再開機進行“上電復位”，方可再次運行。正高電氣始終以適應和促進工業發展為宗旨。MTDC1000晶閘管智能模塊生產廠家

    限流作用的強弱調節使靜止的。無接觸的。非機械式的，這就為微電子技術打開了大門。所以，在工作原理上磁控軟起動和晶閘管軟起動是完全相同的。說磁飽和軟起動能實現軟停止，能夠具有晶閘管軟起動所具有的幾乎全部功能，其原因概出于此。高壓磁飽和電抗器在原理和結構上與低壓（380V）磁飽和電抗器沒有本質的區別，只是在某些方面需要采取一些特殊的處理罷了。磁飽和電抗器具有，這使磁控軟起動的快速性比晶閘管慢一個數量級。對于電動機系統的大慣性來說，磁控軟起動的慣性是不足為慮的。有人說磁控軟起動不產生高次諧波，這是錯誤的。只要飽和。就一定會有非線性，就一定會引起高次諧波，只是磁飽和電抗器產生的高次諧波會比工作于斬波狀態的晶閘管要小一些。磁控軟起動裝置需要有相對較大功率的輔助電源，噪聲較大則是其不足之處。三、晶閘管軟起動晶閘管軟起動產品的問世是當今電力電子器件長足進步的結果。在很多年以前電氣工程界就有人指出，晶閘管軟起動將引發軟起動行業的一場革命。晶閘管軟啟動器主要性能優于液阻軟起動。與液阻軟起動相比，它體積小，結構緊湊，維護量小，功能齊全，菜單豐富，起動重復性好，保護周全，這些都是液阻軟起動難以望其項背的。MTDC1000晶閘管智能模塊生產廠家正高電氣以快的速度提供好的產品質量和好的價格及完善的售后服務。

模塊內部晶閘管主要參數

（1）正反向峰值耐壓：≥1400V；

（2）di／dt：100A／μs；

（3）dv／dt：500V／μs

晶閘管智能模塊的應用方法

模塊的控制功能端口

模塊可應用于各行各業需要對電力能量大小進行調整和變換的場合。如變壓器調壓；加熱行業調溫；金屬加工行業的電鍍、電解；電源行業電池充放電、電源穩壓；電磁行業的勵磁以及各行業使用的直流電機調速、交流電機軟起動等。

模塊如何使用？

模塊的使用非常簡單，只需用一個可調的電壓或者電流信號即可對模塊輸出電壓的大小進行平滑調節，從而實現弱電對強電的控制。

電壓或電流信號可取自各種控制儀表、計算機D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種方法。控制信號可以有0～5V，0～10V，4～20mA，0～10mA四種形式。

+12V：外接 +12V直流電源正極。

GND：直流電源地線。

GND1: 控制信號地線，與GND 相通。

CON10V: 0～10V 控制信號輸入

TESTE：檢測電源,方便用戶檢測模塊功能時用。可外接 4.7K～20K電位器，取出0～10V 信號。

CON20mA：4～20mA控制信號輸入

晶閘管智能模塊工作原理

晶閘管智能模塊用于電加熱控制柜內，通過溫控儀表的溫度傳感器來采集爐內溫度，然后由恒溫儀表來控制智能可控硅調壓模塊的輸出電壓，形成一個溫度閉環系統，來保持爐內溫度恒定。

晶閘管智能模塊過壓保護：

晶閘管智能模塊工作時由導通到截止時或因雷擊及其他原因都會產生能量較大，持續時間較長的過電壓，此電壓直接作用與晶閘管上會使晶閘管超過額定電壓而擊穿，為了保護晶閘管，常采用壓敏電阻吸收與阻容吸收的方法來吸收過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。 選擇正高電氣，就是選擇質量、真誠和未來。

    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯電阻和電容在實際晶閘管(可控硅)電路中，常在其兩端并聯RC串聯網絡，該網絡常稱為RC阻容吸收電路。我們知道，晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數－斷態電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結溫和門極斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態轉入通態的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發生這種情況。因為晶閘管(可控硅)可以看作是由三個PN結組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態下，因各層相距很近，其J2結結面相當于一個電容C0。當晶閘管(可控硅)陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容C0，并通過J3結，這個電流起了門極觸發電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關斷時，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發信號的情況下，晶閘管(可控硅)誤導通現象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管(可控硅)上的陽極電壓上升率應有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管(可控硅)安全運行，常在晶閘管(可控硅)兩端并聯RC阻容吸收網絡。正高電氣熱忱歡迎新老客戶惠顧。濟南MTAC40晶閘管智能模塊價格

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    對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。2．檢查觸發能力如圖2(a)所示，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極，紅表筆接K極，電阻為無窮大；然后用黑表筆尖也同時接觸G極，加上正向觸發信號，表針向右偏轉到低阻值即表明GTO已經導通；脫開G極，只要GTO維持通態，就說明被測管具有觸發能力。3．檢查關斷能力現采用雙表法檢查GTO的關斷能力，如圖2(b)所示，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔，紅表筆接G極，黑表筆接K極，施以負向觸發信號，如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置，證明GTO具有關斷能力。4．估測關斷增益βoff進行到第3步時，先不接入表Ⅱ，記下在GTO導通時表Ⅰ的正向偏轉格數n1；再接上表Ⅱ強迫GTO關斷，記下表Ⅱ的正向偏轉格數n2。根據讀取電流法按下式估算關斷增益：βoff=IATM/IGM≈IAT/IG＝K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數；K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數。βoff≈10×n1/n2此式的優點是，不需要具體計算IAT、IG之值，只要讀出二者所對應的表針正向偏轉格數，即可迅速估測關斷增益值。注意事項：（1）在檢查大功率GTO器件時，建議在R×1檔外邊串聯一節′，以提高測試電壓和測試電流，使GTO可靠地導通。。MTDC1000晶閘管智能模塊生產廠家

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