晶閘管智能調壓模塊的使用方法

1、各功能端相對com端必須為正，若com端為負極，極性相反，則晶閘管智能調壓模塊主回路輸出端可能失控。

2、晶閘管智能調壓模塊各功能端的控制特性均為正極性，即控制電壓越高，模塊強電主回路輸出電壓越高。

3、晶閘管智能調壓模塊在某一時刻宜使用一種輸入控制方式，若2種以上方式同時輸入使用，則輸入信號較強的一種起主要作用。

4、晶閘管智能調壓模塊電源為上進下出，三相交流電路的進線R、S、T無相序要求，導線粗細按實際使用電流選擇。

5、晶閘管智能調壓模塊N線僅為模塊內部開關電源用，用1平方細導線即可，N線與各輸入控制端之間為全隔離絕緣設計。

6、晶閘管智能調壓模塊在使用過程中若發生過流現象，應首先檢查負載有無短路等故障。可在模塊的進線R、S、T端之前安裝快速熔斷器進行過流保護，規格可按實際負載電流的1.5倍選配。

7、智能晶閘管智能調壓模塊應與散熱器配合使用，在機柜中與其他器件之間有足夠的散熱空間。必要時可安裝風扇強制散熱。 正高電氣技術力量雄厚，工裝設備和檢測儀器齊備，檢驗與實驗手段完善。MTDC750晶閘管智能模塊廠家

    晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發出世界上晶閘管產品，并于1958年使其商業化；晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。晶閘管的種類晶閘管有多種分類方法。（一）按關斷、導通及控制方式分類晶閘管按其關斷、導通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導晶閘管、門極關斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種。（二）按引腳和極性分類晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。（三）按封裝形式分類晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中。濱州MTDC250晶閘管智能模塊品牌正高電氣以誠信為根本，以質量服務求生存。

    1)安裝1)按電路元件明細表配齊元件，并對元件進行檢測。2)在面包板上根據電路圖合理安排元件的位置。3)安裝元件，確認無誤后調試。(2)調試安裝完畢的電路經檢查確認無誤后，接通電源進行調試。先調控制電路，然后再調試主電路。控制電路的調試步驟是：在控制電路接上電源后，先用示波器觀察穩壓管兩端的電壓波形，應為梯形波；再觀察電容器兩端的電壓波形，應為鋸齒波；調節電位器RP，鋸齒波的頻率有均勻的變化。表12—2所示為觸發電路各點的波形圖。主電路的調試步驟是：用調壓器給主電路加一個低電壓(40～50V)，用示波器觀察晶閘管陽、陰極之間的電壓波形。波形上有一部分是一條平線，它是晶閘管的導通部分；調節電位器RP，波形中平線的長度隨之變化，表示晶閘管導通角可調，電路工作正常。否則要檢查原因，排除故障后，重新調試。待檢查無誤后，給主電路加工作電壓，燈泡EL發光。調節RP，當增大RP時，則EL變暗；當減小RP時，則EL變亮，說明電路工作正常。

    晶閘管是晶體閘流管的簡稱，原名可控硅整流器（SCR），簡稱可控硅，其派生器件有雙向晶閘管和可關斷晶閘管。晶閘管的出現，使半導體器件從弱電領域進入強電領域。主要應用于整流、逆變、調壓、開關等方面，應用最多在晶閘管可控整流。1.單向晶閘管具有3個PN結的四層結構的器件，引出的電極分別為陽極A、陰極K和控制極G。右邊為其等效電路。通斷轉換條件：主要參數1）額定正向平均電流。在規定環境溫度和散熱條件下，允許通過陽極和陰極之間的電流平均值。2）維持電流。在規定環境溫度、控制極斷開的條件下，保持晶閘管處于導通狀態所需要的最小正向電流。3）門極觸發電壓。在規定環境溫度及一定正向電壓條件下，使晶閘管從阻斷到導通，控制極所需的最小電壓，一般為1~5V。4）門極觸發電流。在規定環境溫度即一定正向電壓條件下，使晶閘管從阻斷到導通，控制極所需的最小電流，一般為幾十到幾百毫安。5）正向重復峰值電壓。在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復加在晶閘管兩端的正向峰值電壓，稱為正向重復峰值電壓。6）正向重復峰值電流。在控制極斷路時，可以重復加在晶閘管上的反向峰值電壓。正高電氣從國內外引進了一大批先進的設備，實現了工程設備的現代化。

    限流作用的強弱調節使靜止的。無接觸的。非機械式的，這就為微電子技術打開了大門。所以，在工作原理上磁控軟起動和晶閘管軟起動是完全相同的。說磁飽和軟起動能實現軟停止，能夠具有晶閘管軟起動所具有的幾乎全部功能，其原因概出于此。高壓磁飽和電抗器在原理和結構上與低壓（380V）磁飽和電抗器沒有本質的區別，只是在某些方面需要采取一些特殊的處理罷了。磁飽和電抗器具有，這使磁控軟起動的快速性比晶閘管慢一個數量級。對于電動機系統的大慣性來說，磁控軟起動的慣性是不足為慮的。有人說磁控軟起動不產生高次諧波，這是錯誤的。只要飽和。就一定會有非線性，就一定會引起高次諧波，只是磁飽和電抗器產生的高次諧波會比工作于斬波狀態的晶閘管要小一些。磁控軟起動裝置需要有相對較大功率的輔助電源，噪聲較大則是其不足之處。三、晶閘管軟起動晶閘管軟起動產品的問世是當今電力電子器件長足進步的結果。在很多年以前電氣工程界就有人指出，晶閘管軟起動將引發軟起動行業的一場革命。晶閘管軟啟動器主要性能優于液阻軟起動。與液阻軟起動相比，它體積小，結構緊湊，維護量小，功能齊全，菜單豐富，起動重復性好，保護周全，這些都是液阻軟起動難以望其項背的。正高電氣始終以適應和促進工業發展為宗旨。淄博MTDC250晶閘管智能模塊廠家

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    由與非門的邏輯關系可知此時YFA3腳輸出為高電平，經過YF2反相變為低電平，D1截止后級電路不動作。晚上光線暗RG阻值變大，YFA1腳電位升高，如果此時有聲音被MIC接收，經C1耦合T1放大，在R3上形成音頻電壓，此電壓如高于1/2電源電壓，則YF13腳輸出低電平，經YFB反相，4腳輸出的高電平經D1向C2瞬間充電，使YFC輸入端接近電源電壓，10腳輸出低電平，由YFD反相緩沖后經R6觸發可控硅導通，電燈正常點亮。（此時則由C3向電路供電）如此后無聲被MIC接收，則YFA輸出恢復為高電平，C2通過R5緩慢放電，當C2電壓下降到低于1/2電源電壓時（按圖中參數約一分鐘）YFC反轉、YFD反轉，可控硅（SCR）截止電燈關閉，等待下次觸發。元件選擇：MIC用駐極體話筒，RG用一般光敏電阻即可，YFA-YFD用一片低工S四與非門電路TC4011，T1用9014低頻管，放大倍數越大靈敏度越高，D1用IN4148，D2是，C2、C3用電解電容、SCR可選用MCR100-61A的單向可控硅，電阻均為1/8w炭膜電阻，阻值按圖。D4-D7用IN4007，反向漏電必須小。電燈的功率不能超過60W。MTDC750晶閘管智能模塊廠家

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