晶體二極管分類如下：鍵型二極管，鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接或銀的細(xì)絲而形成的。其特性介于點(diǎn)接觸型二極管和合金型二極管之間。與點(diǎn)接觸型相比較，雖然鍵型二極管的PN結(jié)電容量稍有增加，但正向特性特別優(yōu)良。多作開關(guān)用，有時(shí)也被應(yīng)用于檢波和電源整流（不大于50mA）。在鍵型二極管中，熔接金絲的二極管有時(shí)被稱金鍵型，熔接銀絲的二極管有時(shí)被稱為銀鍵型。4、擴(kuò)散型二極管，在高溫的P型雜質(zhì)氣體中，加熱N型鍺或硅的單晶片，使單晶片表面的一部變成P型，以此法PN結(jié)。因PN結(jié)正向電壓降小，適用于大電流整流。較近，使用大電流整流器的主流已由硅合金型轉(zhuǎn)移到硅擴(kuò)散型。快恢復(fù)二極管在開關(guān)電源中應(yīng)用普遍，具有快速恢復(fù)、低反向峰值電流和低反向漏電流等特點(diǎn)。東莞平面型二極管檢查方法

二極管的反向特性：當(dāng)外加反向電壓時(shí)，所加的反向電壓加強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多數(shù)載流子的阻擋，所以二極管中幾乎沒有電流通過。但是這時(shí)的外電場(chǎng)能促使少數(shù)載流子漂移，所以少數(shù)載流子形成很小的反向電流。由于少數(shù)載流子數(shù)量有限，只要加不大的反向電壓就可以使全部少數(shù)載流子越過PN結(jié)而形成反向飽和電流，繼續(xù)升高反向電壓時(shí)反向電流幾乎不再增大。當(dāng)反向電壓增大到某一值（曲線中的D點(diǎn)）以后，反向電流會(huì)突然增大，這種現(xiàn)象叫反向擊穿，這時(shí)二極管失去單向?qū)щ娦浴Ｋ砸话愣O管在電路中工作時(shí)，其反向電壓任何時(shí)候都必須小于其反向擊穿時(shí)的電壓。即：當(dāng)V＜0時(shí)，二極管處于反向特性區(qū)域。東莞平面型二極管檢查方法在選擇二極管時(shí)，應(yīng)根據(jù)實(shí)際需求和工作環(huán)境進(jìn)行綜合考慮。

PIN二極管，PIN二極管英文名稱為Pin diode，是一種在光通信中普遍使用的光電二極管。它是在P區(qū)和N區(qū)之間夾一層本征半導(dǎo)體（或低濃度雜質(zhì)的半導(dǎo)體）構(gòu)造出來的一種晶體二極管。PIN中的I是"本征"意義的英文略語。當(dāng)其工作頻率超過100MHz時(shí)，由于少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)和"本征"層中的渡越時(shí)間效應(yīng)，其二極管失去整流作用而變成阻抗元件，并且，其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時(shí)，"本征"區(qū)的阻抗很高；在直流正向偏置時(shí)，由于載流子注入"本征"區(qū)，而使"本征"區(qū)呈現(xiàn)出低阻抗?fàn)顟B(tài)。因此，可以把PIN二極管作為可變阻抗元件使用。它常被應(yīng)用于高頻開關(guān)（即微波開關(guān)）、移相、調(diào)制、限幅等電路中。

穩(wěn)壓二極管和普通二極管應(yīng)用場(chǎng)景區(qū)別，由于穩(wěn)壓二極管具有穩(wěn)定的電壓支撐作用，因此它主要應(yīng)用于需要高精度控制電壓的電路中。例如，在通信設(shè)備中，穩(wěn)壓二極管可以確保電路中的電壓穩(wěn)定，從而保證通信質(zhì)量；在電源設(shè)備中，穩(wěn)壓二極管可以穩(wěn)定輸出電壓，保護(hù)電子設(shè)備免受電壓波動(dòng)的影響；在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中，穩(wěn)壓二極管可以確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行，提高生產(chǎn)效率。而普通二極管則普遍應(yīng)用于各種開關(guān)電路和整流電路中。例如，在電源電路中，普通二極管可以作為整流器使用，將交流電轉(zhuǎn)換為直流電；在數(shù)字電路中，普通二極管可以作為開關(guān)元件使用，控制電流的通斷；在照明電路中，普通二極管可以作為L(zhǎng)ED燈的驅(qū)動(dòng)元件，實(shí)現(xiàn)節(jié)能降耗。二極管使用過程中應(yīng)避免受潮、受震動(dòng)和受高溫影響，以延長(zhǎng)其使用壽命。

二極管反向區(qū)也分兩個(gè)區(qū)域：當(dāng)VBR＜V＜0時(shí)，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時(shí)的反向電流也稱反向飽和電流IS。當(dāng)V≥VBR時(shí)，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。在反向區(qū)，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡，反向飽和電流也很小；鍺二極管的反向擊穿特性比較軟，過渡比較圓滑，反向飽和電流較大。從擊穿的機(jī)理上看，硅二極管若|VBR|≥7 V時(shí)，主要是雪崩擊穿；若VBR≤4 V則主要是齊納擊穿，當(dāng)在4 V～7 V之間兩種擊穿都有，有可能獲得零溫度系數(shù)點(diǎn)。二極管的工作穩(wěn)定性和可靠性受到制工藝和材料質(zhì)量的影響。東莞平面型二極管檢查方法

高頻二極管可以用于射頻電路中，具有快速開關(guān)特性和低噪聲。東莞平面型二極管檢查方法

1874年，德國(guó)物理學(xué)家卡爾·布勞恩在卡爾斯魯厄理工學(xué)院發(fā)現(xiàn)了晶體的整流能力。因此1906年開發(fā)出的頭一代二極管——“貓須二極管”是由方鉛礦等礦物晶體制成的。早期的二極管還包含了真空管，真空管二極管具有兩個(gè)電極 ，一個(gè)陽極和一個(gè)熱式陰極。在半導(dǎo)體性能被發(fā)現(xiàn)后，二極管成為了世界上頭一種半導(dǎo)體器件。現(xiàn)如今的二極管大多是使用硅來生產(chǎn)，鍺等其它半導(dǎo)體材料有時(shí)也會(huì)用到。目前較常見的結(jié)構(gòu)是，一個(gè)半導(dǎo)體性能的結(jié)芯片通過PN結(jié)連接到兩個(gè)電終端。東莞平面型二極管檢查方法