場(chǎng)效應(yīng)管產(chǎn)品特性：(1)轉(zhuǎn)移特性：柵極電壓對(duì)漏極電流的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性。(2)輸出特性： UDS與ID的關(guān)系稱為輸出特性。(3)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的放大作用：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的放大作用一般指的是電壓放大作用。電氣特性：場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管在電氣特性方面的主要區(qū)別有以下幾點(diǎn)：貼片場(chǎng)效應(yīng)管：1：場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低。晶體管是電流控制器件，管子的導(dǎo)電情況取決于基極電流的大小。 2：場(chǎng)效應(yīng)管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量，晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量。3：場(chǎng)效應(yīng)管電流IDS與柵極UGS之間的關(guān)系由跨導(dǎo)Gm 決定，晶體管電流Ic與Ib 之間的關(guān)系由放大系數(shù)β決定。也就是說，場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力用Gm 衡量，晶體管的放大能力用β衡量。4：場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗很大，輸入電流極小；晶體管輸入阻抗很小，在導(dǎo)電時(shí)輸入電流較大。5：一般場(chǎng)效應(yīng)管功率較小，晶體管功率較大。場(chǎng)效應(yīng)管的類型包括N溝道和P溝道兩種，可以根據(jù)具體需求選擇。南京強(qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)管定制價(jià)格

MOS管的工作原理，在開關(guān)電源中常用MOS管的漏極開路電路，如圖2漏極原封不動(dòng)地接負(fù)載，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓，都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流。是理想的模擬開關(guān)器件。這就是MOS管做開關(guān)器件的原理。當(dāng)然MOS管做開關(guān)使用的電路形式比較多了。NMOS管的開路漏極電路，在開關(guān)電源應(yīng)用方面，這種應(yīng)用需要MOS管定期導(dǎo)通和關(guān)斷。比如，DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依賴兩個(gè)MOS管來執(zhí)行開關(guān)功能，這些開關(guān)交替在電感里存儲(chǔ)能量，然后把能量釋放給負(fù)載。我們常選擇數(shù)百kHz乃至1MHz以上的頻率，因?yàn)轭l率越高，磁性元件可以更小更輕。在正常工作期間，MOS管只相當(dāng)于一個(gè)導(dǎo)體。因此，我們電路或者電源設(shè)計(jì)人員較關(guān)心的是MOS的較小傳導(dǎo)損耗。珠海半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管定制價(jià)格場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)勢(shì)之一是具有高輸入阻抗，可以減少對(duì)輸入信號(hào)源的負(fù)載。

電極，所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個(gè)端，分別大致對(duì)應(yīng)BJT的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）。這個(gè)第四端可以將晶體管調(diào)制至運(yùn)行；在電路設(shè)計(jì)中，很少讓體端發(fā)揮大的作用，但是當(dāng)物理設(shè)計(jì)一個(gè)集成電路的時(shí)候，它的存在就是重要的。在圖中柵極的長(zhǎng)度（length）L，是指源和漏的距離。寬度（width）是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長(zhǎng)度大得多。長(zhǎng)度1微米的柵極限制較高頻率約為5GHz，0.2微米則是約30GHz。

靜態(tài)電特性：注①：Vgs（off）其實(shí)就是開啟電壓Vgs（th），只不過這里看的角度不一樣。注②：看完前文的讀者應(yīng)該知道為什么這里兩個(gè)Rds（on）大小有差異，不知道的回去前面重新看。動(dòng)態(tài)點(diǎn)特性：注①：Ciss = Cgs + Cgd ；Coss = Cds ；Crss = Cgd；注②：MOS管開啟速度較主要關(guān)注的參數(shù)是Qg，也就是形成反型層需要的總電荷量！注③：接通/斷開延遲時(shí)間t d(on/off)、上升/下降時(shí)間tr / tf，各位工程時(shí)使用的時(shí)候請(qǐng)根據(jù)實(shí)際漏級(jí)電路ID，柵極驅(qū)動(dòng)電壓Vg進(jìn)行判斷。場(chǎng)效應(yīng)管的使用方法需要注意輸入電壓和功率的限制，避免損壞器件。

Source和drain不同摻雜不同幾何形狀的就是非對(duì)稱MOS管，制造非對(duì)稱晶體管有很多理由，但所有的較終結(jié)果都是一樣的，一個(gè)引線端被優(yōu)化作為drain，另一個(gè)被優(yōu)化作為source，如果drain和source對(duì)調(diào)，這個(gè)器件就不能正常工作了。晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS管也存在，是一個(gè)由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。如果這個(gè)晶體管的GATE相對(duì)于BACKGATE正向偏置，電子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就積累，沒有channel形成。場(chǎng)效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件，通過外部電場(chǎng)調(diào)節(jié)電導(dǎo)。肇慶P溝道場(chǎng)效應(yīng)管廠家

場(chǎng)效應(yīng)管可構(gòu)成恒流源，為負(fù)載提供穩(wěn)定的電流，應(yīng)用于精密測(cè)量、激光器等領(lǐng)域。南京強(qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)管定制價(jià)格

雪崩失效分析（電壓失效），底什么是雪崩失效呢，簡(jiǎn)單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導(dǎo)致的一種失效模式。簡(jiǎn)而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達(dá)到一定的能量限度而導(dǎo)致的一種常見的失效模式。下面的圖片為雪崩測(cè)試的等效原理圖，做為電源工程師可以簡(jiǎn)單了解下。可能我們經(jīng)常要求器件生產(chǎn)廠家對(duì)我們電源板上的MOSFET進(jìn)行失效分析，大多數(shù)廠家都光給一個(gè)EAS.EOS之類的結(jié)論，那么到底我們?cè)趺磪^(qū)分是否是雪崩失效呢，下面是一張經(jīng)過雪崩測(cè)試失效的器件圖，我們可以進(jìn)行對(duì)比從而確定是否是雪崩失效。南京強(qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)管定制價(jià)格