二極管特性及參數：1、二極管伏安特性，導通后分電壓值約為 0.7 V（硅管）或0.3V（鍺管）（LED 約為 1-2 V，電流 5-20 mA）。反向不導通，但如果達到反向擊穿電壓，那將導通（超過反向較大電壓可能燒壞）。正向電壓很小時不導通（0.5 V 以上時才導通）。2、主要參數：較大整流電流 I_FIF： 表示長期運行允許的較大正向平均電流，超出可能因結溫過高燒壞。較高反向工作電壓 U_RUR：允許施加的較大反向電壓，超出可能擊穿。（U_RUR 通常為擊穿電壓的一半）。反向電流 I_RIR： 未擊穿時的反向電流，越小導電性越好。較高工作頻率 f_MfM： 上線截止頻率。因結電容作用，超出可能不能很好體現的單向導電性。二極管是一種電子器件，具有正向導、反向截止的特性。江門平面型二極管加工

二極管反向區也分兩個區域：當VBR＜V＜0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS。當V≥VBR時，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。在反向區，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡，反向飽和電流也很小；鍺二極管的反向擊穿特性比較軟，過渡比較圓滑，反向飽和電流較大。從擊穿的機理上看，硅二極管若|VBR|≥7 V時，主要是雪崩擊穿；若VBR≤4 V則主要是齊納擊穿，當在4 V～7 V之間兩種擊穿都有，有可能獲得零溫度系數點。江門平面型二極管加工氮化鎵二極管使用于高溫、高頻、高電壓和高功率的應用場合，具有較高的工作效率。

晶體二極管分類如下：1、臺面型二極管，PN結的制作方法雖然與擴散型相同，但是，只保留PN結及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現出臺面形，因而得名。初期生產的臺面型，是對半導體材料使用擴散法而制成的。因此，又把這種臺面型稱為擴散臺面型。對于這一類型來說，似乎大電流整流用的產品型號很少，而小電流開關用的產品型號卻很多。2、合金擴散型二極管，它是合金型的一種。合金材料是容易被擴散的材料。把難以制作的材料通過巧妙地摻配雜質，就能與合金一起過擴散，以便在已經形成的PN結中獲得雜質的恰當的濃度分布。此法適用于制造高靈敏度的變容二極管。

整個真空管時代，這種二極管應用于模擬信號，并在消費電子產品（如收音機、電視機、音響系統）的直流供電設備中當做整流器。20世紀40年代，在那些供電設備內的真空管開始被硒整流器所替代，然后在1960年代又被半導體二極管替代。如今，二極管仍然在一些高功率應用場合中使用，由于能夠承受瞬變和較好的魯棒性，使得他們比半導體器件的優勢能夠顯現出來。尤其是音頻處理上，真空管基本不存在瞬態互調失真、開關失真及交越失真等影響音質的問題。反向偏置時，PN結的耗盡區增大，導致電流截止。

在較初被發明的那個年代，二極管通常被稱作“整流器”。在1919年四極管被人發明后，威廉·亨利·埃克爾斯創造了術語 Diode ，是從希臘語詞根（ δ? ，di，“二”）和（ ?δ?? ，ode，“路徑”）兩者結合而來的。盡管二極管基本都有著“整流”作用，但是現在“整流器”一詞通常在特定情況下才會被使用。如電源供應所需要的“半波整流”或“全波整流”設備；或者是陰極射線管所需的高壓電續流二極管。熱離子二極管，一個熱離子二極管就是一個真空管（也稱“電子管”），由一個包含著兩個電極的密封真空玻璃殼組成：由燈絲加熱的陰極，和一個陽極。早期產品的外觀和現在的白熾燈泡相當類似。二極管使用過程中應避免受潮、受震動和受高溫影響，以延長其使用壽命。江門阻尼二極管市場價格

二極管是一種電子器件，具有單向導電性，可用于整流、開關和信號調節等應用。江門平面型二極管加工

光電二極管，光電二極管又稱光敏二極管，英文名稱為Photo-Diode，光電二極管是在反向電壓作用之下工作的，在一般照度的光線照射下，所產生的電流叫光電流。如果在外電路上接上負載，負載上就獲得了電信號，而且這個電信號隨著光的變化而相應變化。光電二極管和發光二極管外形很像，只不過前者是被動接受光源導通電路，后者是主動發出光源，因此光電二極管的發光方向是向內的，表示是外部照時進來的光源，原理圖庫和發光二極管有點不同。江門平面型二極管加工