可控硅模塊的發展及應用來源，可控硅模塊簡稱可控硅，又名晶閘管，通常被稱之為功率半導體模塊，可控硅模塊的優點顯而易見，體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝。下面來看看可控硅模塊的發展和應用。可控硅模塊在電路中能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，并且不象繼電器那樣控制時有火花產生，且動作快、壽命長、可靠性好。在調速、調光、調壓、調溫以及其他各種控制電路中都有可控硅的身影。可控硅模塊分為單向可控硅和雙向可控硅，符號也不同。單向可控硅模塊有三個PN結，由外層的P極和N極引出兩個電極，它們分別稱為陽極和陰極，由中間的P極引出一個控制極。單向可控硅模塊有其獨特的特性：當陽極接反向電壓，或者陽極接正向電壓但控制極不加電壓時，它都不導通，而陽極和控制極同時接正向電壓時，它就會變成導通狀態。一旦導通，控制電壓便失去了對它的控制作用，不論有沒有控制電壓，也不論控制電壓的極性如何，將一直處于導通狀態。要想關斷，只有把陽極電壓降低到某一臨界值或者反向。雙向可控硅模塊的引腳多數是按T1、T2、G的順序從左至右排列（電極引腳向下。面對有字符的一面時）。淄博正高電氣不斷從事技術革新，改進生產工藝，提高技術水平。四川晶閘管調壓模塊分類

可控硅模塊的作用和優勢大家都知道，它的應用范圍是非常廣的，在不同設備上的使用方法也是不一樣的，那么在整流電路中可控硅模塊的使用方法是什么呢？下面正高來講一下在整流電路中可控硅模塊的使用方法。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發脈沖Ug時，可控硅模塊被觸發導通。只有在觸發脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導通的時間就早；Ug到來得晚，可控硅模塊導通的時間就晚。只有在觸發脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導通的時間就早；Ug到來得晚，可控硅模塊導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間，就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內可控硅模塊導通的電角度叫導通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ。四川晶閘管調壓模塊分類淄博正高電氣產品適用范圍廣，產品規格齊全，歡迎咨詢。

可控硅模塊廠家談單向可控硅模塊和雙向可控硅模塊的區別隨著電氣行業的不斷發展，可控硅模塊在調速、調光、調壓、調溫以及其他各種控制電路中都有它的身影。能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，并且不像繼電器那樣控制時有火花產生，而且動作快、壽命長、可靠性好。可控硅模塊又分為單向可控硅模塊和雙向可控硅模塊，它們有什么區別呢，下面可控硅模塊廠家為你講解。可控硅模塊分為單向的和雙向的，符號也不同。單向可控硅有三個pn結，由外層的p極和n極引出兩個電極，分別稱為陽極和陰極，由中間的p極引出一個控制極。然而單項的可控硅模塊具有其獨特的特性：當陽極接反向電壓，或者陽極接正向電壓但控制極不加電壓時，它都不導通，而陽極和控制極同時接正向電壓時，它就會變成導通狀態。一旦導通，控制電壓便失去了對它的控制作用，不論有沒有控制電壓，也不論控制電壓的極性如何，將一直處于導通狀態。要想關斷，只有把陽極電壓降低到某一臨界值或者反向。雙向的可控硅模塊的引腳多數是按t1、t2、g的順序從左至右排列（電極引腳向下，面對有字符的一面時）。加在控制極g上的觸發脈沖的大小或時間改變時，就能改變其導通電流的大小。

可控硅智能模塊是一種非常重要的電子配件，它的應用也非常廣，它的出現解決了電路上的很多問題，下面正高電氣就來介紹一下可控硅智能模塊在電氣控制領域中的應用。在電氣控制領域的可控硅智能模塊，其實就是將可控硅晶閘管主電路與移相觸發電路、控制電路進行集成封裝的新型模塊，目前國際上通用的晶閘管智能模塊的移相觸發電路為全數字電路，功能電路由單片機完成，并且內置有多路電流、電壓、溫度傳感器，通過模塊上的接插件可將各種控制線引到鍵盤，進行各種功能和電氣參數設定，并可進行LED或LCD顯示。這種全新的智能可控硅晶閘管模塊在體積、容量以及智能化程度方面，都與傳統的裝置有了明顯的不同。在了解了這種可控硅模塊的發展情況之后，接下來我們再來看一下這種智能可控硅模塊的基礎結構是怎樣的。通常情況下，一個較為完整的可控硅模塊一般由電力晶閘管，移相觸發器，軟件控制的單片機，電流、電壓、溫度傳感器以及操作鍵盤，LED或LCD顯示等部分組成。智能可控硅模塊具有相當不錯的智能水平和適應性，因此這種晶閘管模塊也能夠充分適應電氣控制系統的應用需要。淄博正高電氣多方位滿足不同層次的消費需求。

可控硅模塊在電源設備中的應用可以說是相當廣了，它的優勢也是人人皆知的，那么可控硅模塊具體電流應用是怎么的您知道嗎？下面正高電氣在給您講解一下。可控硅模塊可以用在交流電路中，也可以用在直流電路中。用于直流電路時好使用直流下可關斷可控硅，可控硅模塊主回路的在導通情況下關斷時，要滿足主回路電流小于其維持電流的條件才能被關斷，一般可控硅模塊的維持電流在幾毫安——幾十毫安范圍內。控制交流電路時，由于交流電流有過零時刻，可控硅模塊主回路電流小于維持電流，因此能夠滿足關斷條件。直流電路中也可以采用產生反向電流的電路使主回路電流瞬間小于維持電流，而被關斷。用可控硅模塊控制交流的應用很廣，單結晶體管交流調壓電路就是一種典型的交流調壓電路。調壓原理是：通過改變單結晶體管發出觸發脈沖的導通角度來控制可控硅的導通時間，來實現交流調壓。此電路中，單結晶體管是接在交流電路中的，通過半波整流和降壓獲取工作電源。通常在調壓電路中，觸發電路由控制電路產生，控制電路工作在直流電路中。其實，不必深究是否是直流控制交流，只要知道可控硅模塊的控制原理就行了，其基本的原理就是用觸發脈沖控制可控硅的導通。淄博正高電氣重信譽、守合同，嚴把產品質量關，熱誠歡迎廣大用戶前來咨詢考察，洽談業務！四川晶閘管調壓模塊分類

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正高教你區分可控硅模塊損壞的原因當可控硅模塊損壞后，一定要及時找到損壞的原因，然后立即進行故障處理，下面正高教你如何區分可控硅模塊損壞的原因。當可控硅模塊損壞后需求查看剖析其緣由時，可把管芯從冷卻套中取出，翻開芯盒再取出芯片，調查其損壞后的痕跡，以判別是何緣由。下面介紹幾種常見表象剖析。電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其方位在遠離操控極上。電壓擊穿。可控硅因不能接受電壓而損壞，其芯片中有一個光亮的小孔，有時需用擴展鏡才干看見。其緣由可能是管子自身耐壓降低或被電路斷開時發生的高電壓擊穿。電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞一樣，而其方位在操控極鄰近或就在操控極上。邊際損壞。他發生在芯片外圓倒角處，有細微光亮小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制作廠家裝置不小心所形成的。它致使電壓擊穿。以上4種緣由都是可控硅模塊的常見損壞緣由，遇到可控硅模塊損壞事情，應剖析。四川晶閘管調壓模塊分類

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