晶體二極管分類如下：鍵型二極管，鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接或銀的細絲而形成的。其特性介于點接觸型二極管和合金型二極管之間。與點接觸型相比較，雖然鍵型二極管的PN結電容量稍有增加，但正向特性特別優良。多作開關用，有時也被應用于檢波和電源整流（不大于50mA）。在鍵型二極管中，熔接金絲的二極管有時被稱金鍵型，熔接銀絲的二極管有時被稱為銀鍵型。4、擴散型二極管，在高溫的P型雜質氣體中，加熱N型鍺或硅的單晶片，使單晶片表面的一部變成P型，以此法PN結。因PN結正向電壓降小，適用于大電流整流。較近，使用大電流整流器的主流已由硅合金型轉移到硅擴散型。二極管具有體積小、成本低的優勢，普遍應用于電子產品中。平面型二極管工作原理

肖特基二極管，利用金屬和半導體二者的接合面的'肖特基效應'的整流作用。由于正向的切入電壓較低，導通回復時間也短，適合用于高頻率的整流。一般而言漏電流較多，突波耐受度較低。也有針對此缺點做改善的品種推出。穩壓二極管（Reference Diode）（常用稱法：齊納二極管），施加反向偏置，超過特定電壓時發生的反向擊穿電壓隨反向電流變化很小，具有一定的電壓穩定能力。利用此性質做成的元件被用于電壓基準。借由摻雜物的種類、濃度，決定擊穿電壓（破壞電壓）。其正向偏置與一般的二極管相同。led發光二極管供應商二極管的反向漏電流較小，有助于提高電路的穩定性。

恒流二極管 （ 英語 ： Constant Current Diode ） （或稱定電流二極管，CRD、Current Regulative Diode），被施加順方向電壓的場合，無論電壓多少，可以得到一定的電流的元件。通常的電流容量在1~15mA的范圍。雖然被稱為二極管，但是構造、動作原理都與接合型電場效應晶體管相似。變容二極管，施加反向偏置，二極管PN接合的耗盡層厚度會因電壓不同而變化，產生靜電容量（接合容量）的變化，可當作由電壓控制的可變電容器使用。沒有機械零件所以可靠度高，普遍應用于壓控振蕩器或可變電壓濾波器，也是電視接收器和移動電話不可缺少的零件。

變容二極管： 變容二極管是利用PN結的電容隨外加偏壓而變化這一特性制成的非線性電容元件，被普遍地用于參量放大器，電子調諧及倍頻器等微波電路中。瞬態電壓抑制二極管TVS： 一種固態二極管，專門用于ESD保護。TVS二極管是和被保護電路并聯的，當瞬態電壓超過電路的正常工作電壓時，二極管發生雪崩，為瞬態電流提供通路，使內部電路免遭超額電壓的擊穿。發光二極管LED： 用磷化鎵、磷砷化鎵材料制成，體積小，正向驅動發光。工作電壓低，工作電流小，發光均勻、壽命長、可發紅、黃、綠單色光。高頻二極管可以用于射頻電路中，具有快速開關特性和低噪聲。

反向偏置（Reverse Bias），在陽極側施加相對陰極負的電壓，就是反向偏置，所加電壓為反向偏置。這種情況下，因為N型區域被注入空穴，P型區域被注入電子，兩個區域內的主要載流子都變為不足，因此結合部位的耗盡層變得更寬，內部的靜電場也更強，擴散電位也跟著變大。這個擴散電位與外部施加的電壓互相抵銷，讓反向的電流更難以通過。更多的細節請參閱“PN結”條目。實際的元件雖然處于反向偏置狀態，也會有微小的反向電流（漏電流、漂移電流）通過。當反向偏置持續增加時，還會發生 隧道擊穿 或 雪崩擊穿 或 崩潰 ，發生急遽的電流增加。開始產生這種擊穿現象的（反向）電壓被稱為 擊穿電壓 。超過擊穿電壓以后反向電流急遽增加的區域被稱為 擊穿區 （ 崩潰區 ）。在擊穿區內，電流在較大的范圍內變化而二極管反向壓降變化較小。穩壓二極管就利用這個區域的動作特性而制成，可以作為電壓源使用。二極管的價格相對較低，使得二極管在電子制造中普遍應用。廣州面接觸型二極管價位

二極管正向導通時具有低電阻，反向截止時具有高電阻，具有整流和限流功能。平面型二極管工作原理

二極管是否損壞如何判斷：單負導電性能的檢測及好壞的判斷，通常，鍺材料二極管的正向電阻值為1kΩ左右，反向電阻值為300左右。硅材料二極管的電阻值為5kΩ左右，反向電阻值為（無窮大）。正向電阻越小越好，反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊，說明二極管的單向導電特性越好。若測得二極管的正、反向電阻值均接近0或阻值較小，則說明該二極管內部已擊穿短路或漏電損壞。若測得二極管的正、反向電阻值均為無窮大，則說明該二極管已開路損壞。平面型二極管工作原理