在電子工程領(lǐng)域，二極管作為基礎(chǔ)的電子元件，其種類繁多，功能各異。其中，穩(wěn)壓二極管和普通二極管因其獨(dú)特的特性和應(yīng)用場(chǎng)景而備受關(guān)注。本文將詳細(xì)比較穩(wěn)壓二極管與普通二極管的不同之處，以便讀者更好地理解和應(yīng)用這兩種元件。功能區(qū)別，穩(wěn)壓二極管，也被稱為齊納二極管，其主要功能是維持電路中的穩(wěn)定電壓值。它利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài)，在電流可在很大范圍內(nèi)變化時(shí)保持電壓基本不變，從而實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓功能。這種特性使得穩(wěn)壓二極管在電路中起到了關(guān)鍵的穩(wěn)定作用，為電子設(shè)備提供了可靠的電壓支撐。相比之下，普通二極管則主要作為一個(gè)開關(guān)器件或整流器使用。在正向電壓下，普通二極管導(dǎo)通，允許電流通過；而在反向電壓下，則截止，阻止電流通過。這種單向?qū)щ娦允沟闷胀ǘO管在開關(guān)電路和整流電路中發(fā)揮著重要作用。硅二極管和鍺二極管的工作溫度范圍和耐壓能力不同，需要根據(jù)具體要求選擇。廣州電子電路二極管市場(chǎng)價(jià)格

點(diǎn)接觸式二極管，點(diǎn)接觸式二極管和下文所述的面接觸式二極管工作原理類似，不過構(gòu)造較為簡(jiǎn)單。主要結(jié)構(gòu)即為一個(gè)由第三主族金屬制成的導(dǎo)電的頂端，和一塊與其相接觸的N型半導(dǎo)體。一些金屬會(huì)進(jìn)入半導(dǎo)體，接觸面的這一小片區(qū)域就成為了P型半導(dǎo)體。長(zhǎng)期流行的1N34鍺型二極管，目前還在無線電接收器中的檢波器中使用，并有時(shí)會(huì)在一些應(yīng)用模擬電子的場(chǎng)合使用。整流動(dòng)作，當(dāng)二極管兩邊施加電壓時(shí)，耗盡區(qū)的寬度，PN結(jié)勢(shì)壘高低均會(huì)發(fā)生變化，導(dǎo)致二極管的電阻發(fā)生變化。廣州電子電路二極管市場(chǎng)價(jià)格當(dāng)二極管的正極連接到P區(qū)，負(fù)極連接到N區(qū)時(shí)，電流可以流過二極管，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電。

二極管的反向特性：當(dāng)外加反向電壓時(shí)，所加的反向電壓加強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多數(shù)載流子的阻擋，所以二極管中幾乎沒有電流通過。但是這時(shí)的外電場(chǎng)能促使少數(shù)載流子漂移，所以少數(shù)載流子形成很小的反向電流。由于少數(shù)載流子數(shù)量有限，只要加不大的反向電壓就可以使全部少數(shù)載流子越過PN結(jié)而形成反向飽和電流，繼續(xù)升高反向電壓時(shí)反向電流幾乎不再增大。當(dāng)反向電壓增大到某一值（曲線中的D點(diǎn)）以后，反向電流會(huì)突然增大，這種現(xiàn)象叫反向擊穿，這時(shí)二極管失去單向?qū)щ娦浴Ｋ砸话愣O管在電路中工作時(shí)，其反向電壓任何時(shí)候都必須小于其反向擊穿時(shí)的電壓。即：當(dāng)V＜0時(shí)，二極管處于反向特性區(qū)域。

二極管是否損壞如何判斷：（1）極性的判別，將萬用表置于R×100檔或R×1k檔，兩表筆分別接二極管的兩個(gè)電極，測(cè)出一個(gè)結(jié)果后，對(duì)調(diào)兩表筆，再測(cè)出一個(gè)結(jié)果。兩次測(cè)量的結(jié)果中，有一次測(cè)量出的阻值較大（為反向電阻），一次測(cè)量出的阻值較小（為正向電阻）。在阻值較小的一次測(cè)量中，黑表筆接的是二極管的正極，紅表筆接的是二極管的負(fù)極。溫度對(duì)二極管的性能有較大的影響，溫度升高時(shí)，反向電流將呈指數(shù)規(guī)律增加，如硅二極管溫度每增加8℃，反向電流將約增加一倍；鍺二極管溫度每增加12℃，反向電流大約增加一倍。另外，溫度升高時(shí)，二極管的正向壓降將減小，每增加1℃，正向壓降VD大約減小2 mV，即具有負(fù)的溫度系數(shù)。二極管的體積小、重量輕，便于集成和安裝。

反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢(shì)壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時(shí)，破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢(shì)壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。雪崩擊穿，另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí)，外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快，從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞，把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場(chǎng)加速后又撞出其它價(jià)電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對(duì)其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)長(zhǎng)久性損壞。二極管在電源電路中作為整流器使用，可以將交流電轉(zhuǎn)換為直流電。廣州電子電路二極管市場(chǎng)價(jià)格

在選擇二極管時(shí)，應(yīng)根據(jù)實(shí)際需求和工作環(huán)境進(jìn)行綜合考慮。廣州電子電路二極管市場(chǎng)價(jià)格

快恢復(fù)二極管英文名稱為Fast Recovery Diodes，簡(jiǎn)稱FRD，是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同，它屬于PIN結(jié)型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成PIN硅片。因基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，所以快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓（耐壓值）較高。快恢復(fù)二極管的外形和普通二極管相同，原理圖和PCB庫的參照整流二極管。廣州電子電路二極管市場(chǎng)價(jià)格