晶閘管調光電路主電路部分由二極管V5、V6和晶閘管V8、V9構成單相半控橋式整流電路，其輸出的直流可調電壓作為燈泡EL的電源。改變V8、V9控制極脈沖電壓的相位，即改變V8、V9控制角的大小，便可以改變輸出直流電壓的大小，進而改變燈泡EL的亮度?？刂齐娐酚蓡谓Y晶體管觸發電路構成，其作用是為V8、V9的控制極提供觸發脈沖電壓。調節電位器RP的大小可改變觸發脈沖的相位。脈沖形成是梯形同步電壓，經RP、R3對C充電，C兩端電壓上升到單結晶體管峰點電壓Up時，單結晶體管由截止變為導通，由電容C通過e—b，、R5放電。放電電流在電阻R5上產生一組尖頂脈沖電壓，由R5輸出一組觸發脈沖，其中個脈沖使晶閘管觸發導通，后面的脈沖對晶閘管的工作沒有影響。隨著C的放電，當電容兩端電壓下降至單結晶體管谷點電壓Uv時，單結晶體管重新截止；電容C重新充電，重復上述過程，R5上又輸出一組尖頂脈沖電壓，這個過程反復進行。當梯形電壓過零點時，電容C兩端電壓也為零，因此電容每一次連續充放電的起點，就是電源電壓過零點，這樣就保證輸出脈沖電壓頻率和電源頻率同步。三、工具與測量儀表及電路元件明細表電路元件明細表晶閘管調光電路的元件明細表如表12—1所示。四、安裝與調試。正高電氣不斷從事技術革新，改進生產工藝，提高技術水平。淄博MTDC200晶閘管智能模塊組件

    當周圍光線較弱時，RG呈現高電阻，VD5右端電位升高，電容C充電速率加快，振蕩頻率變高，VS導通角增大，電燈兩端電壓升高、高度增大。當周圍光線增強時，RG電阻變小，與上述相反，電燈兩端電壓變低，高度減小。元器件選擇與制作調試調試時，將RP調到阻值為零位置，S置于位置2，用萬用表測電燈兩端交流電應在200V以上，如低于200V可略減小R1或增大R3阻值，使之達到要求。光敏電阻RG應安裝在臺燈底座側面臺燈光線不能直接照射的地方，用來感受周圍環境照度。調光臺燈的燈泡宜用40W的白熾燈。調整好的電路即可投入使用；S撥向2為普通調光臺燈，調RP可選擇適當的高密度；S撥向1為自動臺燈，先調RP選擇好適當亮度，如環境照度變暗時，臺燈亮度會逐漸變亮，增大照度。光敏電阻光控燈電路圖（四）如圖所示是一種簡易的光控開關。在一些公共場所，如樓道、路燈等裝上自動光控開關，不僅方便而且也節電。它在天黑時會自動開燈，天亮時自動熄滅。調節Ω電位器，可適用于不同型號的光敏電阻及在一定的條件（黑暗程度）下亮燈。光敏電阻光控燈電路圖（五）該太陽能光控定時節能照明燈電路是由太陽能電池、蓄電池、光控電路、定時電路和節能燈驅動電路幾部分組成。淄博MTDC200晶閘管智能模塊組件正高電氣擁有先進的產品生產設備，雄厚的技術力量。

    以具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。目前，GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力。可關斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結構及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發導通原理相同，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即外于深度飽和狀態，而GTO在導通后只能達到臨界飽和，所以GTO門極上加負向觸發信號即可關斷。GTO的一個重要參數就是關斷增益，βoff，它等于陽極比較大可關斷電流IATM與門極比較大負向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發能力和關斷能力、估測關斷增益βoff的方法。1．判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻，*當黑表筆接G極，紅表筆接K極時，電阻呈低阻值。

    使C5上的電壓達到雙向觸發二極管的轉折電壓，以保證在低輸出電壓下雙向晶閘管仍能導通。適當調節R4，就可以得到較低的起調電壓。另一個缺點是雙向晶閘管導通瞬間的突變電流形成的脈沖干擾，會影響調幅收音機和一些通信設備的正常工作，簡易型調壓器不能這種脈沖干擾。怎么晶閘管導通瞬間產生的電磁干擾呢？可以利用濾波電路。電感L串聯在主電路上，對突變電流呈現很大的阻抗，起到了平滑濾波作用；R1、C1支路并聯在電源線上，將高頻干擾電流旁路。此外，與負載RL并聯的R2、C3支路進一步濾除了負載電流突變產生的脈沖干擾。這樣，由于采用了雙重濾波電路，起到了較強的干擾的作用。調壓器的氖管閃光電路的原理我還不太明白。由二極管VD、氖管ND、電容器C2和電阻R3組成了氖管閃光指示電路，它并聯在負載兩端，負載RL兩端的交流電壓，經二極管VD半波整流后得到的半波脈動直流電壓給C2充電，當C2上的電壓達到氖管的導通電壓時，C2通過氖管迅速放電，使氖管閃亮一下。C2放電后又繼續被充電，氖管就會不停地閃亮。我提個問題。如果手頭上沒有雙向觸發二極管?？梢杂媚男┰骷鷵Q呢？雙向晶閘管觸發電路的形式是多種多樣的一種是用試電筆里的氖管替換雙向觸發二極管。正高電氣產品適用范圍廣，產品規格齊全，歡迎咨詢。

 某加熱爐控制柜，需要控制額定電壓為380V，比較大工作電流為150A的加熱爐，應使用什么規格型號的模塊？

《使用說明書》中的選型計算公式：I>K×I負載×U比較大/U實際

K：安全系數，阻性負載K=1點5，感性負載K=2

I負載：負載流過的比較大電流

U比較大：負載上的**小電壓

U實際：模塊能輸出的比較大電壓（三相整流模塊為輸入電壓的1點35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0點9倍，其余規格均為1點0倍）

I：需要選擇模塊的**小電流，模塊標稱的電流必須大于該值。 正高電氣通過專業的知識和可靠技術為客戶提供服務。淄博MTDC200晶閘管智能模塊組件

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    限流作用的強弱調節使靜止的。無接觸的。非機械式的，這就為微電子技術打開了大門。所以，在工作原理上磁控軟起動和晶閘管軟起動是完全相同的。說磁飽和軟起動能實現軟停止，能夠具有晶閘管軟起動所具有的幾乎全部功能，其原因概出于此。高壓磁飽和電抗器在原理和結構上與低壓（380V）磁飽和電抗器沒有本質的區別，只是在某些方面需要采取一些特殊的處理罷了。磁飽和電抗器具有，這使磁控軟起動的快速性比晶閘管慢一個數量級。對于電動機系統的大慣性來說，磁控軟起動的慣性是不足為慮的。有人說磁控軟起動不產生高次諧波，這是錯誤的。只要飽和。就一定會有非線性，就一定會引起高次諧波，只是磁飽和電抗器產生的高次諧波會比工作于斬波狀態的晶閘管要小一些。磁控軟起動裝置需要有相對較大功率的輔助電源，噪聲較大則是其不足之處。三、晶閘管軟起動晶閘管軟起動產品的問世是當今電力電子器件長足進步的結果。在很多年以前電氣工程界就有人指出，晶閘管軟起動將引發軟起動行業的一場**。晶閘管軟啟動器主要性能優于液阻軟起動。與液阻軟起動相比，它體積小，結構緊湊，維護量小，功能齊全，菜單豐富，起動重復性好，保護周全，這些都是液阻軟起動難以望其項背的。淄博MTDC200晶閘管智能模塊組件

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