可控硅模塊在電子行業中應用以及發展比較廣,它已經應用到了很多電子設備中,不同設備中使用的可控硅模塊類型也是不同的,下面可控硅模塊廠家就來來您了解一下。
1.選擇可控硅模塊的類型可控硅模塊有多種類型,應根據應用電路的具體要求合理選用。
若用于交直流電壓控制、可控整流、交流調壓、逆變電源、開關電源保護電路等,可選用普通可控硅模塊。
若用于交流開關、交流調壓、交流電動機線性調速、燈具線性調光及固態繼電器、固態接觸器等電路中,應選用雙向可控硅模塊。
若用于交流電動機變頻調速、斬波器、逆變電源及各種電子開關電路等,可選用門極關斷可控硅模塊。
若用于鋸齒波器、長時間延時器、過電壓保護器及大功率晶體管觸發電路等,可選用BTG可控硅模塊。
若用于電磁灶、電子鎮流器、超聲波電路、超導磁能儲存系統及開關電源等電路,可選用逆導可控硅模塊。
若用于光電耦合器、光探測器、光報警器、光計數器、光電邏輯電路及自動生產線的運行監控電路,可選用光控可控硅模塊。 淄博正高電氣有限公司重信譽、守合同,嚴把產品質量關,熱誠歡迎廣大用戶前來咨詢考察,洽談業務!福建高壓可控硅模塊報價
滿足可控硅模塊工作的必要條件:
(1)+12V直流電源:可控硅模塊內部控制電路的工作電源。
①可控硅模塊輸出電壓要求:+12V電源:12±0.5V ,紋波電壓小于20mv 。
②可控硅模塊輸出電流要求:標稱電流小于500安培產品:I+12V>0.5A,標稱電流大于500安培產品:I+12V> 1A。
(2)可控硅模塊控制信號:0~10V或4~20mA控制信號,用于對輸出電壓大小進行調整的控制信號,正極接CON10V或CON20mA,負極接GND1。
(3)可控硅模塊供電電源和負載:供電電源一般為電網電源,電壓460V以下的或者供電變壓器,接可控硅模塊的輸入端子;負載為用電器,接可控硅模塊的輸出端子。 青島雙向可控硅模塊批發淄博正高電氣有限公司以誠信為根本,以質量服務求生存。
可控硅模塊采用陶瓷覆銅工藝,電流承載能力大,熱循環負載次數是國標的進10倍,焊接工藝獨特,絕緣強度高,導熱性能好。可控硅模塊的工作場所應干燥、無腐蝕性氣體、通風、無塵,環境溫度范圍-25℃--45℃,下面為大家介紹可控硅模塊的安裝步驟: 1、散熱器和風機按通風要求裝配于機箱合適位置。散熱器表面必須平整光潔。在模塊導熱底板與散熱器表面均勻涂覆一層導熱硅脂,然后用螺釘把模塊固定于散熱器上,四個螺釘用力要均等。
2、用接線端頭環帶將銅線扎緊,浸錫,套上絕緣熱縮管,用熱風或熱水加熱收縮,導線截面積按電流密度<4A/mm2選取,禁止將銅線直接壓接在可控硅模塊電極上。
3、 將接線端頭平放于可控硅模塊電極上用螺釘緊固,保持良好的平面壓力接觸。
4、可控硅模塊的電極易掀起折斷,接線時應防止重力將電極拉起折斷。
可控硅模塊屬于電氣元器件,目前雙向可控硅模塊是比較理想的交流開關器件,它是從普通可控硅模塊的基礎上發展而來的,使用更加方便、安全可靠。下面正高來帶您了解下雙向可控硅模塊的特點與性能。
雙向可控硅模塊是由一對反并聯連接的普通可控硅的集成,工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅模塊有兩個主電極T1和T2和一個門極G, 門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發導通,所以雙向可控硅在第 1和第 3象限有對稱的伏安特性。雙向可控硅模塊門極加正、負觸發脈沖都能使管子觸發導通,因此有四種觸發方式。雙向可控硅應用為正常使用雙向可控硅模塊,需定量掌握其主要參數,對雙向可控硅模塊進行適當選用并采取相應措施以達到各參數的要求。 淄博正高電氣有限公司一切從實際出發、注重實質內容。
可控硅模塊選購注意事項:
(1)注明您需要的產品的型號、結構(螺栓、凹臺、凸臺)、配置散熱器型號。
(2)注明您關注的參數要求。
(3)選擇電流電壓時要留有適當的余量;
可控硅模塊使用注意事項:
(1)線路中須有過壓過流保護措施,串并聯使用時必須有均流措施。
(2)用萬用表簡單判斷器件是否損壞: 門陰極間電阻,應有十幾或幾十Ω,否則門極已短路或開路。陰陽極間電阻,應大于1MΩ,(整流管正向除外),電阻小于1MΩ表明器件極間絕緣性能不良,電阻近零時表明器件已擊穿。發現有短路或斷路現象時,應立即更換。
(3)嚴禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。
(4)電流為5A以上的可控硅模塊要裝散熱器,并且保證所規定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅模塊管心接觸良好,它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂,以幫于良好的散熱。
(5)按規定對主電路中的可控硅模塊采用過壓及過流保護裝置。
(6)要防止可控硅模塊控制極的正向過載和反向擊穿。
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單向可控硅模塊有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有一陽極A1(T1),二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時,方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態,陽極A與陰極K間壓降約1V。
單向可控硅導通后,控制器G即使失去觸發電壓,只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續處于低阻導通狀態。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發生改變(交流過零)時,單向可控硅才由低阻導通狀態轉換為高阻截止狀態。單向可控硅一旦截止,即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓,仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態相當于開關的閉合與斷開狀態,用它可制成無觸點開關。 福建高壓可控硅模塊報價
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