場效應管是一種三端器件，由柵極、漏極和源極組成。它的工作原理是通過柵極電壓的變化來把控漏極和源極之間的電流。因此，了解場效應管的好壞對于電子電路的設計和維護至關重要。靜杰參數測量法是較常用的場效應管好壞測量方法之一。它通過測量場效應管的靜態工作點參數來評估其性能。其中，靜態工作點參數包括漏極電流《ID)、柵極電壓(VG)和漏極電壓(VD)等。通過測量這些參數，可以判斷場效應管是否正常工作，以及是否存在漏電、過載等問題。動態參數測量法是另一種常用的場效應管好壞測量方法。它通過測量場效應管在不同頻率下的響應特性來評估其性能。常用的動態參數包括增益、帶寬、輸入輸出阻抗等。通過測量這些參數，可以判斷場效應管的放大能力、頻率響應等，從而評估其好壞。

隨著半導體技術的不斷發展，場效應管的性能在持續提升，為電子設備的進一步發展奠定了基礎。紹興耗盡型場效應管命名

   MOS場效應半導體三極管雙極性三極管是電流控制器件，其輸入電阻不夠高，在許多場合下不能滿足人們的要求，經過不斷的探索和實踐，人們研制出一種仍具有PN結，但工作機理全然不同的新型半導體器件--場效應管(FET)。

場效應三極管用電場效應來控制電流，故此命名，它的特點是輸入阻抗高、噪音低、熱穩定性好且抗幅射能力強，在工藝上便于集成，因此得到廣的應用根據結構和原理的不同，場效應三極管可分為以下兩大類。
①結型場效應三極管(JFET)②絕緣柵型場效應三極管(MOS管)結型場效應管（JFET）以N溝道結型場效應管為例，以一塊N型(多子為電子)半導體作基片，在它的兩側各光刻出一塊區域，進行高濃度P+擴散(三價的硼)，在兩側形成兩個PN結。兩個P+區的引出線連在一起，作為一個電極，稱之為柵極G。在N型半導體的兩端引出兩個電極，分別叫源極S和漏極D。3個電極G、S、D的作用，可以近似地認為分別相當于半導體三極管的基極B、射極E和集電極C。
兩個PN結之間的區域，稱為導電溝道，當在漏極和源極間加上電壓，這個區域就是載流子流過的渠道，也就是電流的通道。由于這里的導電通道是N型半導體，所以這種管子叫N溝道結型場效應管. 臺州加強型場效應管供應商場效應管的失真較小，音質好。

主板上用的場效應管的屬性：1、工作條件：Ｄ極要有供電，Ｇ極要有控制電壓2、主板上的場管Ｎ溝道多，Ｇ極電壓越高，Ｓ極輸出電壓越高3、主板上的場管Ｇ極電壓達到12Ｖ時，ＤＳ全然導通，個別主板上5Ｖ導通4、場管的ＤＳ機能可對調Ｎ溝道場管的導通截止電壓：導通條件：ＶＧ>ＶＳ，ＶＧＳ=Ｖ時，處于導通狀況，且ＶＧＳ越大，ＩＤ越大截止條件：ＶＧＳ，ＩＤ并未電流或有很小的電流1、測量極性及管型判斷紅筆接Ｓ、黑筆接Ｄ值為（300-800）為Ｎ溝道紅筆接Ｄ、黑筆接Ｓ值為（300-800）為ｐ溝道如果先沒Ｇ、Ｄ再沒Ｓ、Ｄ會長響，表筆放在Ｇ和短腳相接放電，如果再長響為擊穿貼片場管與三極管難以區別，先按三極管沒，如果不是按場管測場管測量時，取下去測，在主板上測量會不準2、好壞判斷測Ｄ、Ｓ兩腳值為（300-800）為正常，如果顯示“０”且長響，場管擊穿；如果顯示“１”，場管為開路軟擊穿(測量是好的，換到主板上是壞的），場管輸出不受G極控制。

在網上查了一番資料才知道，它是由生產工藝造成的，大功率MOS管漏極從硅片底部引出，就會有這個寄生二極管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結構，漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向，沒有這個二極管。模擬電路書里講得就是小功率MOS管的結構，所以沒有這個二極管。但D極和襯底之間都存在寄生二極管，如果是單個晶體管，襯底當然接S極，因此自然在DS之間有二極管。如果在IC里面，N—MOS襯底接比較低的電壓，P—MOS襯底接最高電壓，不一定和S極相連，所以DS之間不一定有寄生二極管。那么寄生二極管起什么作用呢?當電路中產生很大的瞬間反向電流時，可以通過這個二極管導出來，不至于擊穿這個MOS管。(起到保護MOS管的作用)寄生二極管方向判定：3、MOS管的應用1）開關作用現在電子主板上用得多的電子器件便是MOS管，可見MOS管在低功耗方面應用得非常廣。 汽車電子領域，場效應管應用于汽車的電子控制系統、音響系統等，為汽車的智能化和舒適性提供支持。

場效應管在眾多領域都有廣泛的應用。在電源管理方面，它常用于直流-直流轉換器和電源開關，實現高效的電能轉換和控制。在音頻放大器中，場效應管能夠提供出色的音質，減少失真。在計算機硬件中，如主板和顯卡，場效應管用于控制電流和電壓，確保各個部件的正常運行。比如，在服務器的電源系統中，高性能的場效應管能夠保障穩定的電力供應，滿足大量計算任務的需求。選擇合適的場效應管需要考慮多個因素。首先是工作電壓和電流，必須確保場效應管能夠承受電路中的最大電壓和電流。其次是導通電阻，較小的導通電阻有助于降低功率損耗和提高效率。封裝形式也很重要，要根據電路板的布局和散熱要求來選擇。例如，在設計一款大功率充電器時，需要選擇耐壓高、導通電阻小且散熱性能良好的場效應管。場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換，常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。湖州結型場效應管作用

場效應管在數字電路中用于構建邏輯門電路，實現數字信號的處理和邏輯運算。紹興耗盡型場效應管命名

絕緣柵型場效應管中的MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應管）是目前應用為的一種場效應管。它具有制造工藝簡單、集成度高、性能穩定等優點。MOSFET可以分為增強型和耗盡型兩種。增強型MOSFET在柵極電壓為零時處于截止狀態，只有當柵極電壓高于一定閾值時才導通；耗盡型MOSFET在柵極電壓為零時已經有一定的導電溝道，當柵極電壓為負時可以使溝道變窄甚至截止。MOSFET的這些特性使其在各種電子設備中都有著廣泛的應用，如手機、平板電腦、電視等。紹興耗盡型場效應管命名