根據(jù)材料的不同，場(chǎng)效應(yīng)管可以分為MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）和JFET（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）兩種。MOSFET是目前應(yīng)用*****的場(chǎng)效應(yīng)管，它由金屬柵極、絕緣層和半導(dǎo)體構(gòu)成。JFET則是由PN結(jié)構(gòu)構(gòu)成，柵極與半導(dǎo)體之間沒有絕緣層。MOSFET具有輸入電容小、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于高頻放大和開關(guān)電路；而JFET具有輸入電容大、噪聲低等特點(diǎn)，適用于低頻放大和調(diào)節(jié)電路。場(chǎng)效應(yīng)管具有許多獨(dú)特的特點(diǎn)，使其在電子器件中得到廣泛應(yīng)用。首先，場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗高，可以減小輸入信號(hào)源的負(fù)載效應(yīng)，提高電路的靈敏度。其次，場(chǎng)效應(yīng)管的輸出阻抗低，可以提供較大的輸出電流，適用于驅(qū)動(dòng)負(fù)載電路。此外，場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲低，可以提高電路的信噪比。此外，場(chǎng)效應(yīng)管還具有體積小、功耗低、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，適用于集成電路和便攜式設(shè)備。從門極向漏極擴(kuò)展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。嘉興貼片場(chǎng)效應(yīng)管接線圖

場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET運(yùn)用：MOSFET普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于：首先驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用電路電路比較簡(jiǎn)單。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集電極開路TTL驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)；其次MOSFET的開關(guān)速度比較迅速，能夠以較高的速度工作，因?yàn)闆]有電荷存儲(chǔ)效應(yīng)；另外MOSFET沒有二次擊穿失效機(jī)理，它在溫度越高時(shí)往往耐力越強(qiáng)，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低，還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性 能。MOSFET已經(jīng)得到了大量應(yīng)用，在消費(fèi)電子、工業(yè)產(chǎn)品、機(jī)電設(shè)備、智能手機(jī)以及其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見。東莞貼片場(chǎng)效應(yīng)管廠家場(chǎng)效應(yīng)管的作用是放大電信號(hào)或作為開關(guān)控制電路中的電流。

場(chǎng)效應(yīng)管使用時(shí)應(yīng)注意:（1）器件出廠時(shí)通常裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個(gè)塑料袋裝。也可用細(xì)銅線把各個(gè)引腳連接在一起，或用錫紙包裝。（2）取出的器件不能在塑料板上滑動(dòng)，應(yīng)用金屬盤來(lái)盛放待用器件。（3）焊接用的電烙鐵必須良好接地。（4）在焊接前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接，再M(fèi)OS器件焊接完成后在分開。（5）器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機(jī)時(shí)順序相反。（6）電路板在裝機(jī)之前，要用接地的線夾子去碰一下機(jī)器的各接線端子，再把電路板接上去。（7）場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極在允許條件下，比較好接入保護(hù)二極管。在檢修電路時(shí)應(yīng)注意查證原有的保護(hù)二極管是否損壞。

用測(cè)電阻法判別場(chǎng)效應(yīng)管的好壞：測(cè)電阻法是用萬(wàn)用表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電阻值同場(chǎng)效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬(wàn)用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100檔，測(cè)量源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊(cè)中可知，各種不同型號(hào)的管，其電阻值是各不相同的），如果測(cè)得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測(cè)得阻值是無(wú)窮大，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬(wàn)用表置于Ｒ×１０ｋ檔，再測(cè)柵極Ｇ1與Ｇ2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當(dāng)測(cè)得其各項(xiàng)電阻值均為無(wú)窮大，則說明管是正常的；若測(cè)得上述各阻值太小或?yàn)橥罚瑒t說明管是壞的。要注意，若兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極，可用元件代換法進(jìn)行檢測(cè)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。

替換法是一種簡(jiǎn)單而有效的場(chǎng)效應(yīng)管好壞測(cè)量方法。它通過將待測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管與一個(gè)已知好壞的場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行替換，觀察電路的工作狀態(tài)來(lái)判斷待測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管的好壞。如果替換后電路正常工作，則說明待測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管正常，反之，則說明待測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管存在問題。熱敏電陽(yáng)法是一種通過測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的溫度來(lái)評(píng)估其好壞的方法。場(chǎng)效應(yīng)管在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生一定的熱量，如果場(chǎng)效應(yīng)管存在問題，其溫度會(huì)異常升高。通過測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的溫度變化，可以判斷其好壞。這種方法需要使用專門的熱敏電阻傳感器進(jìn)行測(cè)量。場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源，通過控制柵極電壓，可以實(shí)現(xiàn)輸出電流的穩(wěn)定控制。南京常用場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)商

場(chǎng)效應(yīng)管的尺寸小，適合集成電路應(yīng)用。嘉興貼片場(chǎng)效應(yīng)管接線圖

絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中的MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）是目前應(yīng)用為的一種場(chǎng)效應(yīng)管。它具有制造工藝簡(jiǎn)單、集成度高、性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。MOSFET可以分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。增強(qiáng)型MOSFET在柵極電壓為零時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài)，只有當(dāng)柵極電壓高于一定閾值時(shí)才導(dǎo)通；耗盡型MOSFET在柵極電壓為零時(shí)已經(jīng)有一定的導(dǎo)電溝道，當(dāng)柵極電壓為負(fù)時(shí)可以使溝道變窄甚至截止。MOSFET的這些特性使其在各種電子設(shè)備中都有著廣泛的應(yīng)用，如手機(jī)、平板電腦、電視等。嘉興貼片場(chǎng)效應(yīng)管接線圖