半導體二極管的參數包括較大整流電流IF、反向擊穿電壓VBR、較大反向工作電壓VRM、反向電流IR、較高工作頻率fmax和結電容Cj等。幾個主要的參數介紹如下：1、較大整流電流IF：是指管子長期運行時，允許通過的較大正向平均電流。因為電流通過PN結要引起管子發熱，電流太大，發熱量超過限度，就會使PN結燒壞。例如2APl較大整流電流為16mA。2、反向擊穿電壓VBR：指管子反向擊穿時的電壓值。擊穿時，反向電流劇增，二極管的單向導電性被破壞，甚至因過熱而燒壞。一般手冊上給出的較高反向工作電壓約為擊穿電壓的一半，以確保管子安全運行。例如2APl較高反向工作電壓規定為2OV， 而反向擊穿電壓實際上大于40V。整流二極管用于將交流電信號轉換為直流電信號，常用于電源和電視機等設備中。東莞半導體二極管批發

二極管反向區也分兩個區域：當VBR＜V＜0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS。當V≥VBR時，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。在反向區，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡，反向飽和電流也很??；鍺二極管的反向擊穿特性比較軟，過渡比較圓滑，反向飽和電流較大。從擊穿的機理上看，硅二極管若|VBR|≥7 V時，主要是雪崩擊穿；若VBR≤4 V則主要是齊納擊穿，當在4 V～7 V之間兩種擊穿都有，有可能獲得零溫度系數點。江門檢波二極管制造部分特殊用途的二極管，如肖特基二極管，具有低壓降和快速恢復的特點。

晶體二極管分類如下：平面型二極管，在半導體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴散P型雜質，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上只選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此，不需要為調整PN結面積的藥品腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN結合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩定性好和壽命長的類型。較初，對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號很少，而作小電流開關用的型號則很多。

普通二極管是由一個PN結構成的半導體器件，即將一個PN結加一兩條電極引線做成管芯，并用管殼封裝而成。P型區的引出線稱為正極或陽極，N型區的引出線稱為負極或陰極，如圖1所示。普通二極管有硅管或鍺管兩種，它們的正向導通電壓（PN結電壓）差別較大，鍺管為0.2～0.3V，硅管為0.6～0.7V。點接觸型二極管，點接觸型二極管是由一根很細的金屬觸絲(如三價元素鋁)和一塊半導體(如鍺)的表面接觸，然后在正方向通過很大的瞬時電流，使觸絲和半導體牢固地熔接在一起，三價金屬與鍺結合構成PN結，并做出相應的電極引線，外加管殼密封而成。金屬絲為正極，半導體薄片為負極。二極管的價格相對較低，使得二極管在電子制造中普遍應用。

光電二極管在電路中一般處于反向工作狀態，在沒有光照時，反向電阻很大，反向電流被稱為暗電流，此時暗電流小，相當于斷路；當光照射在PN結上時，光子打在PN附近，使PN結附近產生光生電子和光生空穴對，他們在PN結處的內電場作用下做定向運動，形成光電流，光的照射強度越大，光電流就越大。因此，光電二極管在不受光照射時處于截止狀態，在受光照射時處于導通狀態，在電路中經常做為一個開關器件使用。如果正接了，那就和普通二極管功能一樣了。溫度對二極管的特性有影響，需考慮溫漂移。惠州平面型二極管批發價格

二極管是一種電子器件，具有單向導電性，可用于整流、開關和信號調節等應用。東莞半導體二極管批發

變容二極管： 變容二極管是利用PN結的電容隨外加偏壓而變化這一特性制成的非線性電容元件，被普遍地用于參量放大器，電子調諧及倍頻器等微波電路中。瞬態電壓抑制二極管TVS： 一種固態二極管，專門用于ESD保護。TVS二極管是和被保護電路并聯的，當瞬態電壓超過電路的正常工作電壓時，二極管發生雪崩，為瞬態電流提供通路，使內部電路免遭超額電壓的擊穿。發光二極管LED： 用磷化鎵、磷砷化鎵材料制成，體積小，正向驅動發光。工作電壓低，工作電流小，發光均勻、壽命長、可發紅、黃、綠單色光。東莞半導體二極管批發