場效應管的測試判定估測場效應管的放大能力: 將萬用表撥到R×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當于給場效應管加上1.5V的電源電壓。這時表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應電壓作為輸入信號加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發生變化，也相當于D-S極間電阻發生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極時表針擺動很小，說明管子的放大能力較弱；若表針不動，說明管子已經損壞。由于場效應管的輸入阻抗高，可以減少電路中的信號損失，因此在放大低電平信號時非常有用。中壓場效應管廠家現貨

場效應管和MOS管在主體、特性和原理規則方面存在一些區別。以下是具體的比較：1.主體：場效應管是V型槽MOS場效應管，繼MOSFET之后新發展起來的高效功率開關器件。MOS管是金屬-氧化物-半導體型場效應管，屬于絕緣柵型。2.特性：場效應管不僅繼承了MOS場效應管的優良特性，如輸入阻抗高（≥108W）和驅動電流小（左右0.1μA左右），還具有耐壓高（比較高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導的線性好、開關速度快等特性。MOS管主要特點是金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（比較高可達1015Ω）。3.原理規則：場效應管將電子管與功率晶體管之優點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數可達數千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用。而MOS管在VGS=0時處于截止狀態，加入正確的VGS后，多數載流子被吸引到柵極，形成導電溝道。嘉興P溝道場效應管接線圖場效應管具有高輸入電阻、低噪聲、低功耗、寬動態范圍、易于集成、無二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。

晶閘管可分為單向晶閘管和雙向晶閘管兩種。它們在電子電路中可以作為電子開關使用，用來控制負載的通斷；可以用來調節交流電壓，從而實現調光、調速、調溫。另外，單向晶閘管還可以用于整流。
晶閘管在日常中用的很廣，像家里用的聲控燈，一般采用BT169、MCR100-6這類小功率單向晶閘管作為電子開關驅動燈泡工作。在白熾燈泡無級調光或電風扇無級調速電路中，常用BT136這類大功率的雙向晶閘管來實現調光或調速。
場效應管屬于單極型半導體器件，其可以分為結型場效應管和MOS場效應管兩種，每種類型的場效應管又有P溝道和N溝道之分。場效應管在電子電路中既可以作為放大器件用來放大信號，又可以作為開關器件用來控制負載的通斷，故場效應管的用途比晶閘管更廣一些。在功放電路中，采用VMOS場效應管作為功率放大元件，可以提高音質。在開關電路中，驅動電機等大電流負載時，選用MOS場效應管作為電子開關，可以減輕前級驅動電路的負擔（若選用晶閘管的話，需要從前級電路汲取較大的驅動電流）。

場效應管（FieldEffectTransistor，簡稱FET）是一種利用場效應原理工作的半導體器件。它具有輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功率小、易于集成等特點。在電路中，場效應管通常用字母“Q”表示。場效應管一般具有3個極，即柵極（G）、源極（S）和漏極（D）。它的工作原理是當柵極接的負偏壓增大時，溝道減少，漏極電流減小；當柵極接的負偏壓減小時，耗盡層減小，溝道增大，漏極電流增大。漏極電流受柵極電壓的控制，因此場效應管是電壓控制器件，即通過輸入電壓的變化來控制輸出電流的大小，從而達到放大等目的。場效應管在電路中被廣泛應用于放大、調制、阻抗變換、恒流源、可變電阻等場合。此外，它還有許多其他應用，如開關電源、逆變器、電子鎮流器等。場效應管在電路設計和電子設備中扮演著非常重要的角色。場效應管的尺寸小，適合集成電路應用。

用測電阻法判別場效應管的好壞：測電阻法是用萬用表測量場效應管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100檔，測量源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的），如果測得阻值大于正常值，可能是由于內部接觸不良；如果測得阻值是無窮大，可能是內部斷極。然后把萬用表置于Ｒ×１０ｋ檔，再測柵極Ｇ1與Ｇ2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當測得其各項電阻值均為無窮大，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或為通路，則說明管是壞的。要注意，若兩個柵極在管內斷極，可用元件代換法進行檢測。場效應管的工作溫度范圍較寬。中山氧化物半導體場效應管生產廠家

場效應管是一種常用的電子器件。中壓場效應管廠家現貨

絕緣柵型場效應管中的MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應管）是目前應用為的一種場效應管。它具有制造工藝簡單、集成度高、性能穩定等優點。MOSFET可以分為增強型和耗盡型兩種。增強型MOSFET在柵極電壓為零時處于截止狀態，只有當柵極電壓高于一定閾值時才導通；耗盡型MOSFET在柵極電壓為零時已經有一定的導電溝道，當柵極電壓為負時可以使溝道變窄甚至截止。MOSFET的這些特性使其在各種電子設備中都有著廣泛的應用，如手機、平板電腦、電視等。中壓場效應管廠家現貨