二極管反向區也分兩個區域：當VBR＜V＜0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS。當V≥VBR時，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。在反向區，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡，反向飽和電流也很??；鍺二極管的反向擊穿特性比較軟，過渡比較圓滑，反向飽和電流較大。從擊穿的機理上看，硅二極管若|VBR|≥7 V時，主要是雪崩擊穿；若VBR≤4 V則主要是齊納擊穿，當在4 V～7 V之間兩種擊穿都有，有可能獲得零溫度系數點。二極管的溫度也會影響其性能，應注意避免過熱。肇慶二極管廠商

二極管是否損壞如何判斷：（1）極性的判別，將萬用表置于R×100檔或R×1k檔，兩表筆分別接二極管的兩個電極，測出一個結果后，對調兩表筆，再測出一個結果。兩次測量的結果中，有一次測量出的阻值較大（為反向電阻），一次測量出的阻值較小（為正向電阻）。在阻值較小的一次測量中，黑表筆接的是二極管的正極，紅表筆接的是二極管的負極。溫度對二極管的性能有較大的影響，溫度升高時，反向電流將呈指數規律增加，如硅二極管溫度每增加8℃，反向電流將約增加一倍；鍺二極管溫度每增加12℃，反向電流大約增加一倍。另外，溫度升高時，二極管的正向壓降將減小，每增加1℃，正向壓降VD大約減小2 mV，即具有負的溫度系數。肇慶二極管廠商二極管的導通特性與P-N結有關。

穩壓二極管和普通二極管結構區別，穩壓二極管和普通二極管在結構上也有所不同。穩壓二極管一般由三層不同類型的半導體材料組成，即P型半導體、N型半導體和Intrinsic型半導體。這種特殊結構使得穩壓二極管在反向電壓超過其工作電壓時，能夠迅速將反向電流增大，同時保持電壓恒定。這種特性使得穩壓二極管能夠在電路中發揮穩定的電壓支撐作用。而普通二極管則只有兩層半導體材料，即P型半導體和N型半導體。這種簡單結構使得普通二極管在正向電壓下能夠導通，而在反向電壓下則截止。這種結構使得普通二極管在開關電路和整流電路中能夠發揮良好的性能。

光電二極管在電路中一般處于反向工作狀態，在沒有光照時，反向電阻很大，反向電流被稱為暗電流，此時暗電流小，相當于斷路；當光照射在PN結上時，光子打在PN附近，使PN結附近產生光生電子和光生空穴對，他們在PN結處的內電場作用下做定向運動，形成光電流，光的照射強度越大，光電流就越大。因此，光電二極管在不受光照射時處于截止狀態，在受光照射時處于導通狀態，在電路中經常做為一個開關器件使用。如果正接了，那就和普通二極管功能一樣了。氮化鎵二極管使用于高溫、高頻、高電壓和高功率的應用場合，具有較高的工作效率。

瞬態抑制二極管(TVS管)，瞬態電壓抑制二極管英文名稱為Transient Voltage Suppressor，簡稱TVS，它是一種高效保護器件的一種二極管。當瞬態電壓抑制二極的兩極受到反向瞬態高能量沖擊時，它能以10的負12次方秒量級的速度，將其兩極間的高阻抗變為低阻抗，吸收高達數千瓦的浪涌功率，使兩極間的電壓鉗位于一個預定值，有效地保護電子線路中的精密元 器件，免受各種浪涌脈沖的損壞。由于它具有響應時間快、瞬態功率大、漏電流 低、擊穿電壓偏差 、箝位電壓較易控制、無損壞極限、體積小等優點。普遍應用于計算機系統、通訊設備、交/直流電源、汽車、電子鎮流 器、家用電器、儀器儀表電路中。瞬態電壓抑制二極管有單向和雙向兩種，單向的引腳有正負極方向性，使用方法和穩壓管相同，正極接入低電位，負極接入高電位，反向接入電路中。二極管能夠實現信號放大、信號檢測和波形整形等功能。肇慶二極管廠商

二極管還具有穩壓作用，可以穩定電路中的電壓波動。肇慶二極管廠商

穩壓二極管和普通二極管電性能區別，穩壓二極管和普通二極管在電性能方面也存在明顯差異。穩壓二極管的電性能主要表現在穩定的工作電壓、穩定的反向阻斷電壓和低動態電阻等方面。這使得穩壓二極管在需要高精度控制電壓的電路中表現出色，如通信設備、電源設備、工業自動化設備等。而普通二極管在正向導通時具有很低的電阻值，允許電流順暢通過；在反向截止時則有較高的反向電阻，阻止電流通過。這種電性能使得普通二極管在開關電路和整流電路中能夠發揮良好的性能，如電源電路中的整流器、數字電路中的開關元件等。肇慶二極管廠商