N溝道耗盡型MOSFET場效應管的基本結構：a.結構：N溝道耗盡型MOS管與N溝道增強型MOS管基本相似。b.區別：耗盡型MOS管在vGS=0時，漏——源極間已有導電溝道產生，而增強型MOS管要在vGS≥VT時才出現導電溝道。c.原因：制造N溝道耗盡型MOS管時，在SiO2絕緣層中摻入了大量的堿金屬正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時摻入負離子)，如圖1(a)所示，因此即使vGS=0時，在這些正離子產生的電場作用下，漏——源極間的P型襯底表面也能感應生成N溝道(稱為初始溝道)，只要加上正向電壓vDS，就有電流iD。 如果加上正的vGS，柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子，溝道加寬，溝道電阻變小，iD增大。反之vGS為負時，溝道中感應的電子減少，溝道變窄，溝道電阻變大，iD減小。當vGS負向增加到某一數值時，導電溝道消失，iD趨于零，管子截止，故稱為耗盡型。溝道消失時的柵－源電壓稱為夾斷電壓，仍用VP表示。與N溝道結型場效應管相同，N溝道耗盡型MOS管的夾斷電壓VP也為負值，但是，前者只能在vGS<0的情況下工作。而后者在vGS=0，vGS>0場效應管可用于開關電路，實現電路的通斷控制，如電子開關、繼電器驅動等。深圳單極型場效應管批發

mos管，mos管是金屬（metal）-氧化物（oxide）-半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬-絕緣體（insulator）-半導體，MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能，這樣的器件被認為是對稱的。MOS電容的特性能被用來形成MOS管，Gate，電介質和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區域。其中一個稱為source，另一個稱為drain，假設source 和backgate都接地，drain接正電壓，只要GATE對BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓，就不會形成channel。中山N溝道場效應管價格場效應管具有放大作用，能將較小的輸入信號放大成較大的輸出信號，普遍應用于音頻放大器、射頻放大器等。

場效應管注意事項：（1）結型場效應管的柵源電壓不能接反，可以在開路狀態下保存，而絕緣柵型場效應管在不使用時，由于它的輸入電阻非常高，須將各電極短路，以免外電場作用而使管子損壞。（2）焊接時，電烙鐵外殼必須裝有外接地線，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對于少量焊接，也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接。特別在焊接絕緣柵場效應管時，要按源極－漏極－柵極的先后順序焊接，并且要斷電焊接。（3）用25W電烙鐵焊接時應迅速，若用45～75W電烙鐵焊接，應用鑷子夾住管腳根部以幫助散熱。結型場效應管可用表電阻檔定性地檢查管子的質量（檢查各PN結的正反向電阻及漏源之間的電阻值），而絕緣柵場效管不能用萬用表檢查，必須用測試儀，而且要在接入測試儀后才能去掉各電極短路線。取下時，則應先短路再取下，關鍵在于避免柵極懸空。

MOS管發熱情況有：1.電路設計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態，而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發熱。這是設計電路的較忌諱的錯誤。2.頻率太高，主要是有時過分追求體積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發熱也加大了。3.沒有做好足夠的散熱設計，電流太高，MOS管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于較大電流，也可能發熱嚴重，需要足夠的輔助散熱片。4.MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，MOS管內阻沒有充分考慮，導致開關阻抗增大。場效應管具有低噪聲、低功耗的特點，適用于需要高靈敏度和低功耗的電子設備中。

馬達控制應用馬達控制應用是功率MOSFET大有用武之地的另一個應用領域。典型的半橋式控制電路采用2個MOSFET (全橋式則采用4個)，但這兩個MOSFET的關斷時間(死區時間)相等。對于這類應用，反向恢復時間(trr) 非常重要。在控制電感式負載(比如馬達繞組)時，控制電路把橋式電路中的MOSFET切換到關斷狀態，此時橋式電路中的另一個開關經過MOSFET中的體二極管臨時反向傳導電流。于是，電流重新循環，繼續為馬達供電。當頭一個MOSFET再次導通時，另一個MOSFET二極管中存儲的電荷必須被移除，通過頭一個MOSFET放電，而這是一種能量的損耗，故trr 越短，這種損耗越小。場效應管利用電場控制載流子的流動，通過改變柵極電壓，控制源極和漏極之間的電流。中山N溝道場效應管價格

場效應管的靈敏度較高，可以實現精確的電流控制。深圳單極型場效應管批發

判斷源極S、漏極D，將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。因為測試前提不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。丈量漏-源通態電阻RDS（on），在源-漏之間有一個PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。深圳單極型場效應管批發