光電二極管，光電二極管又稱光敏二極管，英文名稱為Photo-Diode，光電二極管是在反向電壓作用之下工作的，在一般照度的光線照射下，所產生的電流叫光電流。如果在外電路上接上負載，負載上就獲得了電信號，而且這個電信號隨著光的變化而相應變化。光電二極管和發光二極管外形很像，只不過前者是被動接受光源導通電路，后者是主動發出光源，因此光電二極管的發光方向是向內的，表示是外部照時進來的光源，原理圖庫和發光二極管有點不同。二極管還可以用于設計逆變器、振蕩器、繼電器、光電設備等電子器件。佛山半導體二極管行價

交流二極管（DIAC）、突波保護二極管、雙向觸發二極管，當施加超過規定電壓（Break Over電壓，VBO）的電壓會開始導通使得端子之間的電壓降低的雙方向元件。用于電路的突波保護上。另，雖被稱為二極管，實際的構造、動作原理都應歸類為閘流管/可控硅整流器的復雜分類中。非線性電阻器，若超過一定電壓，電阻就會降低。是保護電路受到突波電壓傷害的雙向元件。通常由二氧化鋅的燒結體顆粒制成，當作非線性電阻使用。雖然一般認為它的作用應是由內部眾多金屬氧化物顆粒間的肖特基接面二極管效應而產生，但對外并不呈現二極管的特性，因此平常并不列在二極管分類之中。深圳有機發光二極管參數二極管在電路中的位置和方向對電路功能有重要影響。

半導體二極管的參數介紹如下：1、反向電流IR：指管子末擊穿時的反向電流， 其值愈小，則管子的單向導電性愈好。由于溫度增加，反向電流會急劇增加，所以在使用二極管時要注意溫度的影響。2、正向壓降VD：在規定的正向電流下，二極管的正向電壓降。小電流硅二極管的正向壓降在中等電流水平下，約0.6～0.8V；鍺二極管約0.2～0.3V。3、動態電阻rd：反映了二極管正向特性曲線斜率的倒數。顯然，rd與工作電流的大小有關，即：rd=△VD/△ID。4、極間電容CJ：二極管的極間電容包括勢壘電容和擴散電容，在高頻運用時必須考慮結電容的影響。二極管不同的工作狀態，其極間電容產生的影響效果也不同。

恒流二極管 （ 英語 ： Constant Current Diode ） （或稱定電流二極管，CRD、Current Regulative Diode），被施加順方向電壓的場合，無論電壓多少，可以得到一定的電流的元件。通常的電流容量在1~15mA的范圍。雖然被稱為二極管，但是構造、動作原理都與接合型電場效應晶體管相似。變容二極管，施加反向偏置，二極管PN接合的耗盡層厚度會因電壓不同而變化，產生靜電容量（接合容量）的變化，可當作由電壓控制的可變電容器使用。沒有機械零件所以可靠度高，普遍應用于壓控振蕩器或可變電壓濾波器，也是電視接收器和移動電話不可缺少的零件。使用二極管時，需要注意正向電壓不超過其額定值，以避免損壞。

二極管反向區也分兩個區域：當VBR＜V＜0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS。當V≥VBR時，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。在反向區，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡，反向飽和電流也很小；鍺二極管的反向擊穿特性比較軟，過渡比較圓滑，反向飽和電流較大。從擊穿的機理上看，硅二極管若|VBR|≥7 V時，主要是雪崩擊穿；若VBR≤4 V則主要是齊納擊穿，當在4 V～7 V之間兩種擊穿都有，有可能獲得零溫度系數點。二極管的整流作用可將交流轉化為直流。點接觸型二極管廠家供應

二極管的價格相對較低，適合大規模生產和應用。佛山半導體二極管行價

晶體二極管分類如下：平面型二極管，在半導體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴散P型雜質，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上只選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此，不需要為調整PN結面積的藥品腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN結合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩定性好和壽命長的類型。較初，對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號很少，而作小電流開關用的型號則很多。佛山半導體二極管行價