存儲器產線建設開啟；全球AI芯片獨角獸初創公司成立；華為發布全球款人工智能芯片麒麟970。2018年，紫光量產32層3DNAND（零突破）。2019年，華為旗下海思發布全球5GSoC芯片海思麒麟990，采用了全球**的7納米工藝；64層3DNAND閃存芯片實現量產；中芯**14納米工藝量產。[5]2021年7月，采用自主指令系統LoongArch設計的處理器芯片，龍芯3A5000正式發布[12]挑戰2020年8月7日，華為常務董事、華為消費者業務CEO余承東在**信息化百人會2020年峰會上的演講中說，受管制影響，下半年發售的Mate40所搭載的麒麟9000芯片，或將是華為自研的麒麟芯片的后一代。以制造為主的芯片下游，是我國集成電路產業薄弱的環節。由于工藝復雜，芯片制造涉及到從學界到產業界在材料、工程、物理、化學、光學等方面的長期積累，這些短板短期內難以補足。[6]任正非早就表示：華為很像一架被打得千瘡百孔的飛機，正在加緊補洞，現在大多數洞已經補好，還有一些比較重要的洞，需要兩三年才能完全克服。隨著禁令愈加嚴苛，要補的洞越來越多，[10]余承東是承認，當初只做設計不做生產是個錯誤。深圳市硅宇電子有限公司（SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD）成立于2000年。硅宇電子的IC芯片以其出色的耐用性和穩定性，贏得了廣大客戶的贊譽。MAX813LESA

    目前已發展成為一家專業化、規模化的電子元器件經銷商，且得到廠商的大力支持與新老客戶的認同，公司工程技術力量強大，可為客戶設計指導方案開發。圖a是雙列直插式存儲模塊組件在其裝配狀態下的圖。雙列直插式存儲模塊組件的分解圖在圖b中示出。雙列直插式存儲模塊組件包括印刷電路板，印刷電路板上安裝有一個或多個集成電路(一般地以示出)。印刷電路板一般是雙側的，集成電路安裝在印刷電路板的兩側上。熱接口材料a、b的層熱耦聯至集成電路。一種常見的熱接口材料是熱間隙墊。然而，可以使用其他的熱接口材料，例如，使用諸如導熱膏及類似物。在所描繪的實施例中，具有一對側板a、b的能夠移除的散熱器與熱接口材料a、b的層物理接觸，并且因此所述散熱器熱耦聯至所述熱接口材料a、b。側板a、b可以由鋁制成。然而，可以使用其他材料來形成側板a、b，例如，使用諸如不銹鋼或類似物來形成側板。為了降造成本，側板a、b可以是相同的。能夠移除的一個或多個彈性夾a、b、c、d可以定位在側板a、b周圍，以將側板壓靠在熱接口材料a、b上，以確保合適的熱耦聯。圖示出了圖的雙列直插式存儲模塊組件的一側的視圖。OPA627AU/2K5航空航天：IC芯片在航空航天領域中的應用也非常廣，如導航系統、通信系統、控制系統等。

    中星微電子手機多媒體芯片全球銷量突破1億枚。2009年，**“核高基”重大專項進入申報與實施階段。2011年，《關于印發進一步鼓勵軟件產業和繼承電路產業發展若干政策的通知》。[5]2012年-2019年高質量發展期2012年，《集成電路產業“十二五”發展規劃》發布；韓國三星70億美元一期投資閃存芯片項目落戶西安。2013年，紫光收購展訊通信、銳迪科；大陸IC設計公司進入10億美元俱樂部。2014年，《**集成電路產業發展推進綱要》正式發布實施；“**集成電路產業發展投資基金”（大基金）成立。2015年，長電科技以；中芯**28納米產品實現量產。2016年，大基金、紫光投資長江儲存。深圳市硅宇電子有限公司（SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD）成立于2000年，總部位于深圳福田區福虹路世界貿易廣場A座，2002年成立北京分公司，是專業的IC供貨商（只做原裝），其中有8位單片機、32位單片機；在該領域已經營多年，資源豐富，目前已發展成為一家專業化、規模化的電子元器件經銷商，且得到廠商的大力支持與新老客戶的認同，公司工程技術力量強大，可為客戶設計指導方案開發。臺全部采用國產處理器構建的超級計算機“神威太湖之光”獲世界超算。2017年，長江存儲一期項目封頂。

    臺全部采用國產處理器構建的超級計算機“神威太湖之光”獲世界超算。2017年，長江存儲一期項目封頂；存儲器產線建設開啟；全球AI芯片獨角獸初創公司成立；華為發布全球款人工智能芯片麒麟970。2018年，紫光量產32層3DNAND（零突破）。2019年，華為旗下海思發布全球5GSoC芯片海思麒麟990，采用了全球**的7納米工藝；64層3DNAND閃存芯片實現量產；中芯**14納米工藝量產。[5]2021年7月，采用自主指令系統LoongArch設計的處理器芯片，龍芯3A5000正式發布[12]挑戰2020年8月7日，華為常務董事、華為消費者業務CEO余承東在**信息化百人會2020年峰會上的演講中說，受管制影響，下半年發售的Mate40所搭載的麒麟9000芯片，或將是華為自研的麒麟芯片的后一代。以制造為主的芯片下游，是我國集成電路產業薄弱的環節。由于工藝復雜，芯片制造涉及到從學界到產業界在材料、工程、物理、化學、光學等方面的長期積累，這些短板短期內難以補足。[6]任正非早就表示：華為很像一架被打得千瘡百孔的飛機，正在加緊補洞，現在大多數洞已經補好，還有一些比較重要的洞，需要兩三年才能完全克服。隨著禁令愈加嚴苛，要補的洞越來越多，[10]余承東是承認，當初只做設計不做生產是個錯誤。制作工藝：IC芯片按制作工藝可分為半導體IC芯片和膜IC芯片。

    主要的工藝技術可以分為以下幾大類：黃光微影、刻蝕、擴散、薄膜、平坦化制成、金屬化制成。IC由很多重疊的層組成，每層由視頻技術定義，通常用不同的顏色表示。一些層標明在哪里不同的摻雜劑擴散進基層（成為擴散層），一些定義哪里額外的離子灌輸（灌輸層），一些定義導體（多晶硅或金屬層），一些定義傳導層之間的連接（過孔或接觸層）。所有的組件由這些層的特定組合構成。在一個自排列（CMOS）過程中，所有門層（多晶硅或金屬）穿過擴散層的地方形成晶體管。電阻結構，電阻結構的長寬比，結合表面電阻系數，決定電阻。電容結構，由于尺寸限制，在IC上只能產生很小的電容。更為少見的電感結構，可以制作芯片載電感或由回旋器模擬。因為CMOS設備只引導電流在邏輯門之間轉換，CMOS設備比雙極型組件（如雙極性晶體管）消耗的電流少很多。透過電路的設計，將多顆的晶體管管畫在硅晶圓上，就可以畫出不同作用的集成電路。隨機存取存儲器是常見類型的集成電路，所以密度高的設備是存儲器，但即使是微處理器上也有存儲器。盡管結構非常復雜－幾十年來芯片寬度一直減少－但集成電路的層依然比寬度薄很多。組件層的制作非常像照相過程。雖然可見光譜中的光波不能用來曝光組件層。通過不斷的技術創新和研發投入，硅宇電子的IC芯片在業界樹立了良好的口碑和形象。B2020W

手機是電源IC芯片比較重要的應用場合。MAX813LESA

    除了補洞更要拓展新的領地。華為和合作伙伴正在朝這個方向走去——華為的計劃是做IDM，業內人士對投中網表示。[10]IDM，是芯片領域的一種設計生產模式，從芯片設計、制造、封裝到測試，覆蓋整個產業鏈。[10]一方面，華為正在從芯片設計向上游延伸。余承東曾表示，華為將扎根，突破物理學材料學的基礎研究和精密制造。[10]華為消費者業務成立專門部門做屏幕驅動芯片，進軍屏幕行業。早前，網絡爆出華為在內部開啟塔山計劃：預備建設一條完全沒有美國技術的45nm的芯片生產線，同時還在探索合作建立28nm的自主技術芯片生產線。據流傳的資料顯示，這項計劃包括EDA設計、材料、材料的生產制造、工藝、設計、半導體制造、芯片封測等在內的各個半導體產業關鍵環節，實現半導體技術的自主可控。[10]外媒聲音1、日本《日經亞洲評論》8月12日文章稱，**招聘了100多名前臺積電工程師以力爭獲得芯片（產業）地位。作為全世界大的芯片代工企業，臺積電成為**（大陸）求賢若渴的芯片項目的首要目標。高德納咨詢半導體分析師羅杰·盛（音）說：“**芯片人才依然奇缺，因為該國正在同時開展許多大型項目。人才不足是制約半導體發展的瓶頸。[7]2、華為消費者業務CEO余承東近日承認。MAX813LESA