是一種具有三個PN結的功率型半導體器件。常見的晶閘管有塑封式、陶瓷封裝式、金屬殼封裝式和大功率螺栓式等形狀。晶體閘流管可分為:單向晶閘管、雙向晶閘管、可關斷晶閘管等多種。[12]晶體閘流管的文字符號為“VS”,圖形符號如圖示。晶閘管的主要參數有:額定通態平均電流、正反向阻斷峰值電壓、維持電流、控制極觸發電壓和電流等。使用時應注意不能超過其極限參數指標,并留有一定余量,以免造成器件損壞。[13]晶閘管具有三個電極。單向晶閘管的三個電極是:陽極A、陰極K、控制極G。雙向晶閘管的三個電極是:兩個主電極T1、T2以及控制極G。使用中應注意識別。[14]晶閘管具有可控的單向導電性,即不但具有一般二極管單向導電的整流作用,而且可以對導通電流進行控制。單向晶閘管是PNPN四層結構,形成三個PN結,具有三個外電極A、K和G,可等效為PNP、NPN兩晶體管組成的復合管,見圖14左邊。在A、K間加上正向電壓后,管子并不導通。此時在控制極G加上正電壓時,VT1、VT2相繼迅速導通,此時即使去掉控制極電壓,管子仍維持導通狀態。雙向晶閘管可以等效為兩個單向晶閘管反向并聯,見圖14右邊,雙向晶閘管可以控制雙向導通,因此除控制極G外的另兩個電極不再分陽極陰極。正高電氣尊崇團結、信譽、勤奮。威海MTAC480晶閘管智能模塊價格
晶閘管智能模塊的選擇
晶閘管智能模塊是電加熱爐控制裝置中**關鍵的功率器件,整機裝置是否工作可靠與正確選擇智能可控硅調壓模塊的額定電壓、額定電流等參數有很大關系,選型的原則是考慮工作可靠性,即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V,選擇工作電壓為460V的晶閘管智能模塊,其他電壓的晶閘管智能模塊需要訂做。對晶閘管智能模塊電流的選擇,必須考慮加熱爐爐絲(或加熱件)的額定工作電流及智能可控硅調壓模塊的比較大輸出電壓值,如果加熱絲為NTC或PTC特性的(即加熱絲額定電流隨溫度變化,開機時溫度很低,額定電流會很大或加熱到比較高溫度時,額定電流會很大或加熱到比較高溫度時,額定電流會很大),必須考慮加熱絲整個工作狀態的比較大電流值,作為加熱絲的額定電流值來確定晶閘管智能模塊的規格大小。 威海MTAC480晶閘管智能模塊價格正高電氣不懈追求產品質量,精益求精不斷升級。
由與非門的邏輯關系可知此時YFA3腳輸出為高電平,經過YF2反相變為低電平,D1截止后級電路不動作。晚上光線暗RG阻值變大,YFA1腳電位升高,如果此時有聲音被MIC接收,經C1耦合T1放大,在R3上形成音頻電壓,此電壓如高于1/2電源電壓,則YF13腳輸出低電平,經YFB反相,4腳輸出的高電平經D1向C2瞬間充電,使YFC輸入端接近電源電壓,10腳輸出低電平,由YFD反相緩沖后經R6觸發可控硅導通,電燈正常點亮。(此時則由C3向電路供電)如此后無聲被MIC接收,則YFA輸出恢復為高電平,C2通過R5緩慢放電,當C2電壓下降到低于1/2電源電壓時(按圖中參數約一分鐘)YFC反轉、YFD反轉,可控硅(SCR)截止電燈關閉,等待下次觸發。元件選擇:MIC用駐極體話筒,RG用一般光敏電阻即可,YFA-YFD用一片低工S四與非門電路TC4011,T1用9014低頻管,放大倍數越大靈敏度越高,D1用IN4148,D2是,C2、C3用電解電容、SCR可選用MCR100-61A的單向可控硅,電阻均為1/8w炭膜電阻,阻值按圖。D4-D7用IN4007,反向漏電必須小。電燈的功率不能超過60W。
雙向晶閘管看起來與單向晶閘管的外形差不多,也有三個電極,它的主要工作特性是什么呢?雙向晶閘管相當于兩個單向晶閘管的反向并聯,但只有一個控制極。這樣,雙向晶閘管在正、反兩個方向上都能夠控制導電,而單向晶閘管卻是一種可控的單方向導電器件。給雙向晶閘管的控制極加正的或負的觸發脈沖,都能使管子觸發導通。這樣,觸發電路的設計就具有很大的靈活性,可以采用多種不同的觸發方式。此外,雙向晶閘管的兩個主電極不再分為陽極和陰極,而是稱為電極T1和第二電極T2。雙向晶閘管在電路中不能用作可控整流元件,主要用來進行交流調壓、交流開關、可逆直流調速等等。雙向晶閘管觸發電路中,使用了雙向觸發二極管,我們過去沒有聽說過這種管子,這是一種什么樣的器件呢?雙向觸發二極管從結構上來說,是一種沒有控制極的晶閘管,我們可以把它看成是兩個二極管的反向并聯。這樣,無論在雙向觸發二極管的兩極之間外加什么極性的電壓,只要電壓的數值達到管子的轉折電壓值,就能使它導通。值得注意的是,雙向觸發二極管的轉折電壓較高,一般在20~40V范圍。雙向觸發二極管組成的雙向晶閘管觸發電路的工作原理吧。調壓器電路主要由阻容移相電路和雙向晶閘管兩部分組成。正高電氣公司狠抓產品質量的提高,逐年立項對制造、檢測、試驗裝置進行技術改造。
晶閘管智能模塊工作原理
晶閘管智能模塊用于電加熱控制柜內,通過溫控儀表的溫度傳感器來采集爐內溫度,然后由恒溫儀表來控制智能可控硅調壓模塊的輸出電壓,形成一個溫度閉環系統,來保持爐內溫度恒定。
晶閘管智能模塊過壓保護:
晶閘管智能模塊工作時由導通到截止時或因雷擊及其他原因都會產生能量較大,持續時間較長的過電壓,此電壓直接作用與晶閘管上會使晶閘管超過額定電壓而擊穿,為了保護晶閘管,常采用壓敏電阻吸收與阻容吸收的方法來吸收過電壓,有效避免晶閘管被擊穿。 正高電氣始終以適應和促進工業發展為宗旨。威海MTAC480晶閘管智能模塊價格
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[1]單結管即單結晶體管,又稱為雙基極二極管,是一種具有一個PN結和兩個歐姆電極的負阻半導體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結晶體管。[2]單結晶體管可分為N型基極單結管和P型基極單結管兩大類。單結晶體管的文字符號為“VT”,圖形符號如圖所示。[3]單結晶體管的主要參數有:①分壓比η,指單結晶體管發射極E至基極B1間的電壓(不包括PN結管壓降)在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點電壓UP,是指單結晶體管剛開始導通時的發射極E與基極B1的電壓,其所對應的發射極電流叫做峰點電流IP。③谷點電壓UV,是指單結晶體管由負阻區開始進入飽和區時的發射極E與基極B1間的電壓,其所對應的發射極電流叫做谷點電流IV。[4]單結晶體管共有三個管腳,分別是:發射極E、基極B1和第二基極B2。圖示為兩種典型單結晶體管的管腳電極。[5]單結晶體管**重要的特性是具有負阻性,其基本工作原理如圖示(以N基極單結管為例)。當發射極電壓UE大于峰點電壓UP時,PN結處于正向偏置,單結管導通。隨著發射極電流IE的增加,大量空穴從發射極注入硅晶體,導致發射極與基極間的電阻急劇減小,其間的電位也就減小,呈現出負阻特性。[6]檢測單結晶體管時,萬用表置于“R×1k”擋。威海MTAC480晶閘管智能模塊價格
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