光電二極管在電路中一般處于反向工作狀態，在沒有光照時，反向電阻很大，反向電流被稱為暗電流，此時暗電流小，相當于斷路；當光照射在PN結上時，光子打在PN附近，使PN結附近產生光生電子和光生空穴對，他們在PN結處的內電場作用下做定向運動，形成光電流，光的照射強度越大，光電流就越大。因此，光電二極管在不受光照射時處于截止狀態，在受光照射時處于導通狀態，在電路中經常做為一個開關器件使用。如果正接了，那就和普通二極管功能一樣了。二極管有正向導通和反向截止的特性，用于整流、限流、保護和變頻等電路中。深圳穩壓二極管制造商

二極管是否損壞如何判斷：單負導電性能的檢測及好壞的判斷，通常，鍺材料二極管的正向電阻值為1kΩ左右，反向電阻值為300左右。硅材料二極管的電阻值為5kΩ左右，反向電阻值為（無窮大）。正向電阻越小越好，反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊，說明二極管的單向導電特性越好。若測得二極管的正、反向電阻值均接近0或阻值較小，則說明該二極管內部已擊穿短路或漏電損壞。若測得二極管的正、反向電阻值均為無窮大，則說明該二極管已開路損壞。佛山續流二極管參數二極管具有低功耗特性，可節省能源。

二極管的正向特性，當外加正向電壓時，隨著電壓U的逐漸增加，電流I也增加。但在開始的一段，由于外加電壓很低。外電場不能克服PN結的內電場，半導體中的多數載流子不能順利通過阻擋層，所以這時的正向電流極小（該段所對應的電壓稱為死區電壓，硅管的死區電壓約為0～0.5伏，鍺管的死區電壓約為0～0.2伏）。當外加電壓超過死區電壓以后，外電場強于PN結的內電場，多數載流子大量通過阻擋層，使正向電流隨電壓很快增長。即：當V＞0，二極管處于正向特性區域。正向區又分為兩段：當0＜V＜Vth時，正向電流為零，Vth稱為死區電壓或開啟電壓。當V＞Vth時，開始出現正向電流，并按指數規律增長。

頻率倍增用二極管，頻率倍增用二極管英文名稱為Frequency doubled diode，對二極管的頻率倍增作用而言，有依靠變容二極管的頻率倍增和依靠階躍（即急變）二極管的頻率倍增。頻率倍增用的變容二極管稱為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動頻率控制用的變容二極管的工作原理相同，但電抗器的構造卻能承受大功率。階躍二極管又被稱為階躍恢復二極管，從導通切換到關閉時的反向恢復時間TRR短，因此，其特長是急速地變成關閉的轉移時間明顯的短。如果對階躍二極管施加正弦波，那么，因TT（轉移時間）短，所以輸出波形急驟地被夾斷，故能產生很多高頻諧波。二極管是一種電子器件，具有單向導電性，可用于整流、開關和信號調節等應用。

反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。雪崩擊穿，另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結長久性損壞。在焊接二極管時，應避免過高的溫度和過長的焊接時間，以防止熱損傷。中山單向導電二極管

二極管的價格相對較低，適合大規模生產和應用。深圳穩壓二極管制造商

二極管伏安特性曲線說明：1.反向特性，二極管兩端加上反向電壓時，在開始很大范圍內，二極管相當于非常大的電阻，反向電流很小，且不隨反向電壓而變化。此時的電流稱之為反向飽和電流IR，見圖中OC（OC′）段。2.溫度對特性的影響，由于二極管的主要是一個PN結，它的導電性能與溫度有關，溫度升高時二極管正向特性曲線向左移動，正向壓降減小;反向特性曲線向下移動，反向電流增大。3.反向擊穿特性，二極管反向電壓加到一定數值時，反向電流急劇增大，這種現象稱為反向擊穿。此時對應的電壓稱為反向擊穿電壓，用UBR表示，如圖1.11中CD（C′D′）段。深圳穩壓二極管制造商