合理的熱設計余量,這個就不多說了,各個企業(yè)都有自己的降額規(guī)范,嚴格執(zhí)行就可以了,不行就加散熱器。MOSFET發(fā)熱原因分析,做電源設計,或者做驅動方面的電路,難免要用到MOS管。MOS管有很多種類,也有很多作用。做電源或者驅動的使用,當然就是用它的開關作用。無論N型或者P型MOS管,其工作原理本質是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性,不會發(fā)生像三極管做開關時的因基極電流引起的電荷存儲效應,因此在開關應用中,MOS管的開關速度應該比三極管快。場效應管的電阻特性取決于柵極電壓,可實現(xiàn)精確控制。廣州耗盡型場效應管
場效應管應用場景:電路主電源開關,完全切斷,低功耗省電。大功率負載供電開關,如:電機,太陽能電池充電\放電,電動車電池充電逆變器SPWM波升壓部分功率電路;功放,音響的功率線性放大電路;數(shù)字電路中用于電平信號轉換;開關電源中,高頻大功率狀態(tài);用于LED燈的恒流驅動電路;汽車、電力、通信、工業(yè)控制、家用電器等。MOS管G、S、D區(qū)分以及電流流向。MOS管G、S、D表示什么?G:gate 柵極S:source 源極D:drain 漏極。MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxid)—半導體(Semiconductor)場效應晶體管。市面上常有的一般為N溝道和P溝道。N溝道的電源一般接在D,輸出S,P溝道的電源一般接在S,輸出D。廣州耗盡型場效應管場效應管在功率電子領域具有重要作用,如變頻器、逆變器等,提高電能轉換效率。
mos管,mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬-絕緣體(insulator)-半導體,MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的性能,這樣的器件被認為是對稱的。MOS電容的特性能被用來形成MOS管,Gate,電介質和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區(qū)域。其中一個稱為source,另一個稱為drain,假設source 和backgate都接地,drain接正電壓,只要GATE對BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓,就不會形成channel。
結型場效應管(JFET):1、結型場效應管的分類:結型場效應管有兩種結構形式,它們是N溝道結型場效應管和P溝道結型場效應管。結型場效應管也具有三個電極,它們是:柵極;漏極;源極。電路符號中柵極的箭頭方向可理解為兩個PN結的正向導電方向。2、結型場效應管的工作原理(以N溝道結型場效應管為例),N溝道結構型場效應管的結構及符號,由于PN結中的載流子已經(jīng)耗盡,故PN基本上是不導電的,形成了所謂耗盡區(qū),當漏極電源電壓ED一定時,如果柵極電壓越負,PN結交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚,則漏、源極之間導電的溝道越窄,漏極電流ID就愈小;反之,如果柵極電壓沒有那么負,則溝道變寬,ID變大,所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化,就是說,場效應管是電壓控制元件。場效應管的優(yōu)勢之一是具有高輸入阻抗,可以減少對輸入信號源的負載。
對于開關頻率小于100kHz的信號一般取(400~500)kHz載波頻率較好,變壓器選用較高磁導如5K、7K等高頻環(huán)形磁芯,其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅動電路只適合于信號頻率小于100kHz的場合,因信號頻率相對載波頻率太高的話,相對延時太多,且所需驅動功率增大,UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高,故100kHz以上開關頻率只對較小極電容的MOSFET才可以。對于1kVA左右開關頻率小于100kHz的場合,它是一種良好的驅動電路。該電路具有以下特點:單電源工作,控制信號與驅動實現(xiàn)隔離,結構簡單尺寸較小,尤其適用于占空比變化不確定或信號頻率也變化的場合。來看這個電路,控制信號PGC控制V4.2是否給P_GPRS供電。此電路中,源漏兩端沒有接反,R110與R113存在的意義在于R110控制柵極電流不至于過大,R113控制柵極的常態(tài),將R113上拉為高,截至PMOS,同時也可以看作是對控制信號的上拉,當MCU內部管腳并沒有上拉時,即輸出為開漏時,并不能驅動PMOS關閉,此時,就需要外部電壓給予的上拉,所以電阻R113起到了兩個作用。R110可以更小,到100歐姆也可。場效應管的工作原理是利用電荷的寄主控制電流流動,具有與電阻不同的工作方式。廣州耗盡型場效應管
MOSFET在數(shù)字電路、功率放大器等領域普遍應用。廣州耗盡型場效應管
VMOS場效應管,VMOS場效應管(VMOSFET)簡稱VMOS管或功率場效應管,其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關器件。它不只繼承了MOS場效應管輸入阻抗高(≥108W)、驅動電流小(左右0.1μA左右),還具有耐壓高(較高可耐壓1200V)、工作電流大(1.5A~100A)、輸出功率高(1~250W)、跨導的線性好、開關速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點集于一身,因此在電壓放大器(電壓放大倍數(shù)可達數(shù)千倍)、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得普遍應用。廣州耗盡型場效應管