這里的電壓差定義為：晶閘管調功器的另外一種接法是三角形連接：晶閘管電阻絲串聯角接兩種方法的控制方式沒有區別，不再贅述。電阻星形接法與三角形接法有什么不同假設有三個電阻絲R1，R2，R3，電阻絲的阻值相等，供電電源為220V對稱三相電源，把三個電阻絲分別接成星形和三角形兩種接法，如果供電電源發出的電流相等，那么，電阻絲的阻值如何選擇？電阻絲星接上圖中，三個阻值相同的阻抗連接成星形結構，它們構成了對稱三相負載，對于A相電路來說，電阻R流過的電流為：而對于采用三角形連接的電阻，如下圖所示：電阻絲角接線電流Ia等于流經電阻R的電流Iab與流經電阻R的Iac的和，當三相對稱電源分別接星形接法的對稱電阻網絡與三角形接法的對稱電阻網絡，產生相同的相電流，對應的星形網絡和三角形網絡的電阻值之間的關系：可見，對于三相對稱電源，獲得相同的相電流情況下，如果定義星接網絡電阻值為R，則角接網絡電阻值為3R。而如果把電阻值為R的星接網絡改成三角形連接網絡，則三角形網絡的等效星形網絡電阻為R/3。注意，這里把同樣的電阻，由星接改成角接，得到的結果是把角接等效為星接后，電阻值縮小了三分之一。電阻結構變化對功率的影響在三相電路中。以客戶至上為理念，為客戶提供咨詢服務。MTAC450晶閘管智能模塊

    如果所裝的中頻電源不需要復位功能、報警功能、內接頻率表的話，端子CON2-6、CON2-1、CON3-8、CON3-9便可不用。11、應用舉例圖示為一臺KGPS-160KW中頻電源的電氣原理圖，可作為其它裝置原理設計的參考，由于控制電路已經對開機，關機的邏輯進行了設計，因此，不必考慮主回路與控制回路的上電順序。12、調試一臺20M示波器，若示波器的電源是三芯插頭時，注意“地線”千萬不能接，示波器外殼對地需絕緣，僅使用一蹤探頭，示波器的X軸、Y軸均需較準，探頭需在測試信號下補償好。若無高壓示波器探頭，應用電阻做一個分壓器，以適應600V以上電壓的測量。一個≤500Ω、≥500W的電阻性負載。為了調試的安全，調試前，應該使逆變橋不工作。例如：把平波電抗器的一端斷開，再在整流橋直流口接入一個≤500Ω、≥500W的電阻性負載。電路板上的IF微調電位器W1順時針旋至比較高端（調試過程發生短路時，可以提供過流保護）。主控板上的DIP-1開關撥在ON位置；用示波器做好測量整流橋輸出直流電壓波形的準備；把面板上的“給定”電位器逆時針旋至最小。送上三相供電（可以不分相序），檢查是否有缺相報警報示，若有，可以檢查進線快速熔斷器是否損壞。把面板上的“給定”電位器順時針旋大。MTAC450晶閘管智能模塊正高電氣用先進的生產工藝和規范的質量管理，打造優良的產品！

    由于晶閘管在導通期間，載流子充滿元件內部，所以元件在關斷過程中，正向電壓下降到零時，內部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失，這時反向電流消失的極快，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小，電感產生的感應電勢L（di/dt）值仍很大，這個電勢與電源電壓串聯，反向加在已恢復阻斷的元件上，可能導致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關斷引起的過電壓，稱為關斷過電壓，其數值可達工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容與電感產生諧振、限制晶閘管開通損耗與電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導通到截止時產生的過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子，即引線要短。比較好采用無感電阻，以取得較好的保護效果。各型號模塊對應的電阻和電容值根據表10選取。（2）壓敏電阻吸收過電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產生能量較大、持續時間較長的過電壓。壓敏電阻標稱電壓（V1mA），是指壓敏電阻流過1mA電流時它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇，主要考慮額定電壓和通流容量。

    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯電阻和電容在實際晶閘管(可控硅)電路中，常在其兩端并聯RC串聯網絡，該網絡常稱為RC阻容吸收電路。我們知道，晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數－斷態電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結溫和門極斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態轉入通態的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發生這種情況。因為晶閘管(可控硅)可以看作是由三個PN結組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態下，因各層相距很近，其J2結結面相當于一個電容C0。當晶閘管(可控硅)陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容C0，并通過J3結，這個電流起了門極觸發電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關斷時，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發信號的情況下，晶閘管(可控硅)誤導通現象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管(可控硅)上的陽極電壓上升率應有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管(可控硅)安全運行，常在晶閘管(可控硅)兩端并聯RC阻容吸收網絡。正高電氣嚴格控制原材料的選取與生產工藝的每個環節，保證產品質量不出問題。

晶閘管智能模塊的應用領域

晶閘管智能模塊普遍應用于溫度控制、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、焊機、等離子弧焊、逆變電源等領域，如工業、通訊、等電氣控制、電源等。根據模塊的控制端口，可以與多功能控制板連接，實現穩流、穩壓、軟啟動等功能，可實現過熱、缺乏等保護功能。

晶閘管智能模塊的控制方式

該輸入模塊控制該接口的可調節電壓或電流信號，該模塊的輸出電壓可通過調整該信號的大小來平穩地調節，以實現將該模塊的輸出電壓從0V切換到任意一個或全部的過程。

電壓或電流信號可從各種控制儀表和計算機D/A輸出中獲取，電位器可直接與直流電源分開，控制信號采用3種常用的控制形式：0-5V、0-10V、4-20mA。

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    但是在設定電流限值時必須要根據電動機的初始轉矩來設定，否則設置過小會起動失敗或燒壞電機。此種起動方式起動時間相對較長。圖3限流起動4、突跳起動這種起動方式主要應用在負載相對較重的工作環境下。在轉矩控制的基礎下，在起動的瞬間采用一個突跳轉矩用來克服負載的靜轉矩，然后轉矩在逐漸上升，直至電動機到達正常工作狀態。這種起動方式的優點是可以縮短起動時間，起動較重的負載，但在起動的時候會對電網產生一定的沖擊，影響同一電網下其他負荷的工作。圖4突跳起動5、軟停車軟停車的實際上就相當于相反軟起動過程，主要作用是消除了系統的反慣性沖擊，對于泵類負載來講就是克服了“水錘”效應。其主要過程是在電動機實行軟停車時軟起動裝置的旁路接觸器斷開，同時晶閘管開始工作，使電機電壓逐漸下降，轉速降低，達到軟停車的效果。（如圖5）圖5軟起動和軟停車全過程6、泵控起動及停車由于水泵類負載其相對特殊的機械特性，部分軟起動廠家針對泵類負載的特性曲線專門設計了泵控型起動和停車方式，該種起動方式可以通過電機平滑的加速和減速，使離心泵在起動和停機期間降低水錘沖擊。主控電路通過采集信號分析電機的各個運行參數。MTAC450晶閘管智能模塊

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