dimm)的集成電路產(chǎn)生大量的熱量，特別是在高密度配置中。現(xiàn)有許多技術(shù)對集成電路進行冷卻，但是存在許多與這些現(xiàn)有技術(shù)相關(guān)的缺點。空氣冷卻是嘈雜的，并且因此當靠近辦公室人員/在工作環(huán)境中布置時是不期望的。當需要維護雙列直插式存儲模塊時，液體浸入式冷卻是雜亂的。另一種方法使用將雙列直插式存儲模塊封裝在散熱器中的雙列直插式存儲模塊組件，所述散熱器熱耦聯(lián)至循環(huán)制冷液體的冷卻管。所公開的實施例以兩個系統(tǒng)板為一對。深圳市硅宇電子有限公司（SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD）成立于2000年，總部位于深圳福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座，2002年成立北京分公司，是專業(yè)的IC供貨商（只做原裝），其中有8位單片機、32位單片機；在該領(lǐng)域已經(jīng)營多年，資源豐富，目前已發(fā)展成為一家專業(yè)化、規(guī)模化的電子元器件經(jīng)銷商，且得到廠商的大力支持與新老客戶的認同，公司工程技術(shù)力量強大，可為客戶設(shè)計指導方案開發(fā)。每個系統(tǒng)板具有在雙列直插式存儲模塊之間交錯的冷卻管。當這些系統(tǒng)板相對地放置在一起時，每個系統(tǒng)板上的雙列直插式存儲模塊由在另一個系統(tǒng)板上的冷卻管冷卻。相比于之前的方法，這種方法允許更高密度的雙列直插式存儲模塊，同時仍然提供必要的冷卻。ic芯片封裝要求有哪些呢？AR9344-DC3A

    所述雙列直插式存儲模塊組件中的一個雙列直插式存儲模塊組件標記為。特別地，每個雙列直插式存儲模塊組件的連接側(cè)布置在印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座中。當所述兩個印刷電路裝配件a和b相對地放置在一起，如圖b中所示出的那樣。所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件上的散熱器a、b的頂表面與另一個印刷電路裝配件上的熱接口材料層接觸，并且與該熱接口材料層熱耦聯(lián)，如在a和b處所指示的那樣。在這種配置中，每個印刷電路裝配件上的雙列直插式存儲模塊組件由另一個印刷電路裝配件的冷卻管冷卻。圖是移除了雙列直插式存儲模塊組件的印刷電路裝配件的圖。參考圖。深圳市硅宇電子有限公司（SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD）成立于2000年，總部位于深圳福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座，2002年成立北京分公司，是專業(yè)的IC供貨商（只做原裝），其中有8位單片機、32位單片機；在該領(lǐng)域已經(jīng)營多年，資源豐富，目前已發(fā)展成為一家專業(yè)化、規(guī)模化的電子元器件經(jīng)銷商，且得到廠商的大力支持與新老客戶的認同，公司工程技術(shù)力量強大，可為客戶設(shè)計指導方案開發(fā)。可以清楚地看到印刷電路板插座、鄰接并且平行的冷卻管以及布置在平行的冷卻管上的熱接口材料層。AR9344-DC3A通信領(lǐng)域：IC芯片在通信領(lǐng)域中廣泛應用，如手機、路由器、調(diào)制解調(diào)器、無線電、衛(wèi)星通信等。

    盡管元素周期表的一些III-V價化合物如砷化鎵應用于特殊用途如：發(fā)光二極管、激光、太陽能電池和高速集成電路，單晶硅成為集成電路主流的基層。創(chuàng)造無缺陷晶體的方法用去了數(shù)十年的時間。半導體集成電路工藝，包括以下步驟，并重復使用：光刻刻蝕薄膜（化學氣相沉積或物相沉積）摻雜（熱擴散或離子注入）化學機械平坦化CMP使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層，然后使用光刻、摻雜、CMP等技術(shù)制成MOSFET或BJT等組件，再利用薄膜和CMP技術(shù)制成導線，如此便完成芯片制作。因產(chǎn)品性能需求及成本考量，導線可分為鋁工藝（以濺鍍?yōu)橹鳎┖豌~工藝（以電鍍?yōu)橹鲄⒁奃amascene）。深圳市硅宇電子有限公司（SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD）成立于2000年，總部位于深圳福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座，2002年成立北京分公司，是專業(yè)的IC供貨商（只做原裝），其中有8位單片機、32位單片機；在該領(lǐng)域已經(jīng)營多年，資源豐富，目前已發(fā)展成為一家專業(yè)化、規(guī)模化的電子元器件經(jīng)銷商，且得到廠商的大力支持與新老客戶的認同，公司工程技術(shù)力量強大，可為客戶設(shè)計指導方案開發(fā)。主要的工藝技術(shù)可以分為以下幾大類：黃光微影、刻蝕、擴散、薄膜、平坦化制成、金屬化制成。

    目前已發(fā)展成為一家專業(yè)化、規(guī)模化的電子元器件經(jīng)銷商，且得到廠商的大力支持與新老客戶的認同，公司工程技術(shù)力量強大，可為客戶設(shè)計指導方案開發(fā)。圖a是雙列直插式存儲模塊組件在其裝配狀態(tài)下的圖。雙列直插式存儲模塊組件的分解圖在圖b中示出。雙列直插式存儲模塊組件包括印刷電路板，印刷電路板上安裝有一個或多個集成電路(一般地以示出)。印刷電路板一般是雙側(cè)的，集成電路安裝在印刷電路板的兩側(cè)上。熱接口材料a、b的層熱耦聯(lián)至集成電路。一種常見的熱接口材料是熱間隙墊。然而，可以使用其他的熱接口材料，例如，使用諸如導熱膏及類似物。在所描繪的實施例中，具有一對側(cè)板a、b的能夠移除的散熱器與熱接口材料a、b的層物理接觸，并且因此所述散熱器熱耦聯(lián)至所述熱接口材料a、b。側(cè)板a、b可以由鋁制成。然而，可以使用其他材料來形成側(cè)板a、b，例如，使用諸如不銹鋼或類似物來形成側(cè)板。為了降造成本，側(cè)板a、b可以是相同的。能夠移除的一個或多個彈性夾a、b、c、d可以定位在側(cè)板a、b周圍，以將側(cè)板壓靠在熱接口材料a、b上，以確保合適的熱耦聯(lián)。圖示出了圖的雙列直插式存儲模塊組件的一側(cè)的視圖。如何判斷IC芯片的好壞：不在路檢測，歡迎來電咨詢。

    注:接口類產(chǎn)品四個字母后綴的個字母是E，則表示該器件具備抗靜電功能封裝技術(shù)的發(fā)展播報編輯早的集成電路使用陶瓷扁平封裝，這種封裝很多年來因為可靠性和小尺寸繼續(xù)被軍方使用。商用電路封裝很快轉(zhuǎn)變到雙列直插封裝，開始是陶瓷，之后是塑料。20世紀80年代，VLSI電路的針腳超過了DIP封裝的應用限制，后導致插針網(wǎng)格數(shù)組和芯片載體的出現(xiàn)。表面貼著封裝在20世紀80年代初期出現(xiàn)，該年代后期開始流行。它使用更細的腳間距，引腳形狀為海鷗翼型或J型。以Small-OutlineIntegratedCircuit（SOIC）為例，比相等的DIP面積少30-50%，厚度少70%。這種封裝在兩個長邊有海鷗翼型引腳突出，引腳間距為。Small-OutlineIntegratedCircuit（SOIC）和PLCC封裝。20世紀90年代，盡管PGA封裝依然經(jīng)常用于微處理器。PQFP和thinsmall-outlinepackage（TSOP）成為高引腳數(shù)設(shè)備的通常封裝。Intel和AMD的微處理從PineGridArray）封裝轉(zhuǎn)到了平面網(wǎng)格陣列封裝（LandGridArray，LGA）封裝。球柵數(shù)組封裝封裝從20世紀70年始出現(xiàn)，90年發(fā)了比其他封裝有更多管腳數(shù)的覆晶球柵數(shù)組封裝封裝。在FCBGA封裝中，晶片（die）被上下翻轉(zhuǎn)（flipped）安裝，通過與PCB相似的基層而不是線與封裝上的焊球連接。IC這個詞聽著也非常耳熟，那它表示的是什么呢？AR9344-DC3A

我們始終致力于研發(fā)和制造具有競爭力的IC芯片，為客戶創(chuàng)造更多價值。AR9344-DC3A

    減輕了電路設(shè)計師的重擔，不需凡事再由基礎(chǔ)的一個個晶體管處設(shè)計起。集成電路可以把模擬和數(shù)字電路集成在一個單芯片上，以做出如模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器和數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器等器件。這種電路提供更小的尺寸和更低的成本，但是對于信號必須小心。[1]制造播報編輯參見：半導體器件制造和集成電路設(shè)計從20世紀30年始，元素周期表中的化學元素中的半導體被研究者如貝爾實驗室的威廉·肖克利（WilliamShockley）認為是固態(tài)真空管的可能的原料。從氧化銅到鍺，再到硅，原料在20世紀40到50年代被系統(tǒng)的研究。盡管元素周期表的一些III-V價化合物如砷化鎵應用于特殊用途如：發(fā)光二極管、激光、太陽能電池和高速集成電路，單晶硅成為集成電路主流的基層。創(chuàng)造無缺陷晶體的方法用去了數(shù)十年的時間。半導體集成電路工藝，包括以下步驟，并重復使用：光刻刻蝕薄膜（化學氣相沉積或物相沉積）摻雜（熱擴散或離子注入）化學機械平坦化CMP使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層，然后使用光刻、摻雜、CMP等技術(shù)制成MOSFET或BJT等組件，再利用薄膜和CMP技術(shù)制成導線，如此便完成芯片制作。因產(chǎn)品性能需求及成本考量，導線可分為鋁工藝（以濺鍍?yōu)橹鳎┖豌~工藝（以電鍍?yōu)橹鲄⒁奃amascene）。AR9344-DC3A