根據場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結型場效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極Ｇ。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極，測其電阻值。當出現兩次測得的電阻值近似相等時，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大，說明是ＰＮ結的反向，即都是反向電阻，可以判定是Ｎ溝道場效應管，且黑表筆接的是柵極；若兩次測出的電阻值均很小，說明是正向ＰＮ結，即是正向電阻，判定為Ｐ溝道場效應管，黑表筆接的也是柵極。若不出現上述情況，可以調換黑、紅表筆按上述方法進行測試，直到判別出柵極為止。盟科有插件封裝形式的MOS管。東莞雙P場效應管現貨

膩流暢的磁性聲，彈性十足震撼人心的低頻轟炸聲，別有一番霸道氣勢。在一般的設計中場效應管特長沒有得到充分發揮，甚至認為聲音偏冷、偏暗，其實這不是場效應管的原因。其聲音不好，一方面是人們使用它直接代換晶體管，晶體管的線路是不能發揮出場效應管的特性的；另一方面，這些電路通常使用AB類的偏置。根據場效應管轉移特性，在低偏置時具有嚴重的非線性，帶來嚴重的失真，解決的辦法是讓其工作在A類狀態，特別是單端A類，瞬態特性較好，音質純美，偶次諧波豐富，音色悅耳動聽，更具有電子管的醇美音色。東莞雙P場效應管現貨mos管代工選擇深圳盟科電子。

書上說，MOS管的主要作用是放大。不過實際在智能硬件產品開發和物聯網產品開發中，幾乎沒有用到放大用的MOS管，絕大部分是用來做開關的。偶爾有些放大作用的MOS管，也是集成在芯片里面的。可以毫不夸張的講，只要不是做IC設計的，幾乎用不到MOS管的放大功能。自己搭出來的MOS放大電路，性能不可能有專業芯片公司做的好的。MOS管在常用的數字電路板上的用法：用作開關的時候，不管是N-MOS還是P-MOS，記住一句話即可：VGS有電壓差，MOS管就導通。VGS沒有電壓差，MOS管就關閉。MOS管常見的主要用途有以下幾種負極開關（N-MOS）：設備控制LED燈控制電路馬達控制電路N-MOS廣泛應用于設備通斷的控制。例如LED燈控制和電動馬達的控制。GPIO口拉高，MOS管就導通，LED燈亮、馬達轉動。GPIO拉低，MOS管就關閉，LED燈滅，馬達就停止轉動。在普通的低電壓數字電路上，這種控制方式對MOS管本身沒有什么特定高要求，隨便抓一個N-MOS也可以用。NPN的三極管也可以用。正極開關（P-MOS）：電源控制P-MOS通常用作電源的開關，控制設備的電源打開或者關閉。

近些年來，隨著電子電腦技術的不斷發展，各種電子合成器、各種音頻效果器和膽音效果器軟件以及虛擬揚聲器技術層出不窮。這使得音頻放大器硬件的發展和普及遠遠趕不上軟件的速度，在精確度上硬件往往也趕不上軟件，如電腦模擬3D效果逼真度很大超過真實3D效果，不受聽音室的空間以及聲源合成的限制，同時也節省投入硬件的開支。綠色音響、雙料發燒——電腦音響很有可能會成為未來音響的主流，硬件不行軟件來，實行軟硬兼施，功能強悍，集中體現了高效、便捷、神奇以及經濟的特點。如在電腦中設置虛擬光驅，每次播放樂曲時，就不必啟動物理光驅，這樣不僅減少等待曲目時間及物理光驅的磨損，更重要的是消除了物理光驅的噪聲，實現高保真放音。再如，膽管功放放音柔和耐聽，而制作成本不薄，并且取得靚音的要件比較多，而通過膽音效果器軟件，可為我們在電腦中造就一個“軟膽”，就可以模擬出膽機的音**科MK6801參數是可以替代AO6801的。

通常拆封后烘烤方式來去除板內濕氣，烘烤條件為110～120℃，1h。(**長時間不要超過h)。化金板真空包裝前后之存放條件:溫度<30℃，相對濕度<60%.真空包裝后有效保存時間半年。儲存時間超過六個月時，為了避免板材儲藏濕氣造成爆板,通常拆封后用烘烤方式來去除板內濕氣，烘烤條件為120℃，1h。(**長時間不要超過2h)。噴錫板真空包裝前后之存放條件：溫度<25℃,相對濕度<60%.真空包裝后有效保存時間一年。儲存時間超過六個月時，為了避免板材儲藏濕氣造成爆板,通常拆封后用烘烤方式來去除板內濕氣,烘烤條件為120℃，1h。(**長時間不要超過h)。PCB污染造成虛焊及預防：PCB板在生產過程中，PCB收貨、存儲，SMT印刷、貼片，THT插件、波峰焊等工序，操作人員都要與PCB接觸，灰塵、油污及汗漬均會污染焊盤，從而使PCB可焊性下降，造成虛焊。保持潔凈的生產環境，按生產工藝操作規程操作，是避免PCB污染的良好習慣。發現有污染的PCB，應清洗除污烘干后方可使用。PCB變形造成虛焊及預防：PCB變形后，元件貼裝的共面性變差，部分元件腳與焊盤懸空（距離較小，可能不然會造成空焊），造成虛焊。特別是SMT工藝中的BGA、QFP封裝元件。形成虛焊的可能性較大。252封裝MOS管選擇深圳盟科電子。東莞雙P場效應管現貨

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柵極電壓（UGs）對漏極電流（ID）的控制作用稱為轉移特性，反映這兩者之間關系的曲線稱為轉移特性曲線。下圖1-60所示為N溝道結型場效應管的轉移特性曲線。當柵極電壓UGs取不同的電壓值時，漏極電流ID將隨之改變。當ID=0時,UGS的值為場效應管的夾斷電壓Uq；當UGs=0時，ID的值為場效應管的飽和漏極電流Idss。在Ugs一定時，反映ID與Uds之間的關系曲線為輸出特性曲線，也稱為漏極特性曲線。上圖1-61所示為N溝道結型場效應管的輸出特性曲線。由圖可見，它分為三個區：飽和區、擊穿區和非飽和區。起放大作用時，應工作在飽和區（這一點與前面講的普通三極管不同）。注意，此處的“飽和區”對應普通三極管的“放大區”。東莞雙P場效應管現貨

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