9、頻率倍增用二極管對(duì)二極管的頻率倍增作用而言，有依靠變?nèi)荻O管的頻率倍增和依靠階躍（即急變）二極管的頻率倍增。頻率倍增用的變?nèi)荻O管稱為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動(dòng)頻率控制用的變?nèi)荻O管的工作原理相同，但電抗器的構(gòu)造卻能承受大功率。階躍二極管又被稱為階躍恢復(fù)二極管，從導(dǎo)通切換到關(guān)閉時(shí)的反向恢復(fù)時(shí)間 trr 短，因此，其特長(zhǎng)是急速地變成關(guān)閉的轉(zhuǎn)移時(shí)間顯示地短。如果對(duì)階躍二極管施加正弦波，那么，因 tt（轉(zhuǎn)移時(shí)間）短，所以輸出波形急驟地被夾斷，故能產(chǎn)生很多高頻諧波。 只做原裝，穩(wěn)壓二極管，選深圳市凱軒業(yè)科技有限公司。北京質(zhì)量穩(wěn)壓二極管

二極管的工作原理晶體二極管為一個(gè)由 p 型半導(dǎo)體和 n 型半導(dǎo)體形成的 p-n 結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于 p-n 結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流 I0。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，p-n 結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過(guò)程，產(chǎn)生大量電子空穴對(duì)，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。北京質(zhì)量穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管選原裝就咨詢深圳市凱軒業(yè)科技有限公司。

早期的二極管也就是半導(dǎo)體的制作工藝是將兩個(gè)立體的摻雜材料放在一起高溫熔接而成，現(xiàn)在的二極管和原來(lái)相比只是制作工藝更加精確，讓兩個(gè)相鄰的不同摻雜區(qū)域組合構(gòu)成，一個(gè)區(qū)域是在半導(dǎo)體材料中摻入施主原子產(chǎn)生自由電子的n區(qū)域，另一個(gè)是摻入受主原子形成有自由空穴的p型區(qū)域，兩個(gè)區(qū)域的交界就是二極管的物理結(jié)，其電子結(jié)包括各區(qū)域的狹窄邊緣，稱為耗盡層也就是上面介紹的PN結(jié)，二極管的p型區(qū)域?yàn)檎龢O，n型區(qū)域則相反，大體結(jié)構(gòu)圖如下。

6、平面型二極管在半導(dǎo)體單晶片（主要地是 N 型硅單晶片）上，擴(kuò)散 P 型雜質(zhì)，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在 N 型硅單晶片上但選擇性地?cái)U(kuò)散一部分而形成的 PN 結(jié)。因此，不需要為調(diào)整 PN 結(jié)面積的藥品腐蝕作用。由于半導(dǎo)體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN 結(jié)合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認(rèn)為是穩(wěn)定性好和壽命長(zhǎng)的類型。較初，對(duì)于被使用的半導(dǎo)體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對(duì)平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號(hào)很少，而作小電流開關(guān)用的型號(hào)則很多。 線性穩(wěn)壓電源是比較早使用的一類直流穩(wěn)壓電源，凱軒業(yè)電子科技有限公司。

6、放大用二極管用二極管放大，有依靠隧道二極管和體效應(yīng)二極管那樣的負(fù)阻性器件的放大，以及用變?nèi)荻O管的參量放大。因此，放大用二極管通常是指隧道二極管、體效應(yīng)二極管和變?nèi)荻O管。7、開關(guān)用二極管有在小電流下（10mA 程度）使用的邏輯運(yùn)算和在數(shù)百毫安下使用的磁芯激勵(lì)用開關(guān)二極管。小電流的開關(guān)二極管通常有點(diǎn)接觸型和鍵型等二極管，也有在高溫下還可能工作的硅擴(kuò)散型、臺(tái)面型和平面型二極管。開關(guān)二極管的特長(zhǎng)是開關(guān)速度快。而肖特基型二極管的開關(guān)時(shí)間特短，因而是理想的開關(guān)二極管。2AK 型點(diǎn)接觸為中速開關(guān)電路用；2CK 型平面接觸為高速開關(guān)電路用；用于開關(guān)、限幅、鉗位或檢波等電路；肖特基（SBD）硅大電流開關(guān)，正向壓降小，速度快、效率高。穩(wěn)壓二極管只選凱軒業(yè)科技有限公司，信賴之選。北京質(zhì)量穩(wěn)壓二極管

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13、江崎二極管 （Tunnel Diode）它是以隧道效應(yīng)電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其 P 型區(qū)的 N 型區(qū)是高摻雜的（即高濃度雜質(zhì)的）。隧道電流由這些簡(jiǎn)并態(tài)半導(dǎo)體的量子力學(xué)效應(yīng)所產(chǎn)生的。如發(fā)生隧道效應(yīng)具備如下三個(gè)條件：①費(fèi)米能級(jí)位于導(dǎo)帶和滿帶內(nèi)；②空間電荷層寬度必須很窄（0.01 微米以下）；簡(jiǎn)并半導(dǎo)體 P 型區(qū)和 N 型區(qū)中的空穴和電子在同一能級(jí)上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數(shù)有峰谷電流比（IP／PV），其中，下標(biāo)“P”表示“峰”；而下標(biāo)“V”表示“谷”。江崎二極管可以被應(yīng)用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達(dá)毫米波段），也可以被應(yīng)用于高速開關(guān)電路中。北京質(zhì)量穩(wěn)壓二極管