9、頻率倍增用二極管對二極管的頻率倍增作用而言，有依靠變容二極管的頻率倍增和依靠階躍（即急變）二極管的頻率倍增。頻率倍增用的變容二極管稱為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動頻率控制用的變容二極管的工作原理相同，但電抗器的構造卻能承受大功率。階躍二極管又被稱為階躍恢復二極管，從導通切換到關閉時的反向恢復時間 trr 短，因此，其特長是急速地變成關閉的轉移時間顯示地短。如果對階躍二極管施加正弦波，那么，因 tt（轉移時間）短，所以輸出波形急驟地被夾斷，故能產生很多高頻諧波。 只做原裝，穩壓二極管，選深圳市凱軒業科技有限公司。北京質量穩壓二極管

二極管的工作原理晶體二極管為一個由 p 型半導體和 n 型半導體形成的 p-n 結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于 p-n 結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流 I0。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n 結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。北京質量穩壓二極管穩壓二極管選原裝就咨詢深圳市凱軒業科技有限公司。

早期的二極管也就是半導體的制作工藝是將兩個立體的摻雜材料放在一起高溫熔接而成，現在的二極管和原來相比只是制作工藝更加精確，讓兩個相鄰的不同摻雜區域組合構成，一個區域是在半導體材料中摻入施主原子產生自由電子的n區域，另一個是摻入受主原子形成有自由空穴的p型區域，兩個區域的交界就是二極管的物理結，其電子結包括各區域的狹窄邊緣，稱為耗盡層也就是上面介紹的PN結，二極管的p型區域為正極，n型區域則相反，大體結構圖如下。

6、平面型二極管在半導體單晶片（主要地是 N 型硅單晶片）上，擴散 P 型雜質，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在 N 型硅單晶片上但選擇性地擴散一部分而形成的 PN 結。因此，不需要為調整 PN 結面積的藥品腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN 結合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩定性好和壽命長的類型。較初，對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號很少，而作小電流開關用的型號則很多。 線性穩壓電源是比較早使用的一類直流穩壓電源，凱軒業電子科技有限公司。

6、放大用二極管用二極管放大，有依靠隧道二極管和體效應二極管那樣的負阻性器件的放大，以及用變容二極管的參量放大。因此，放大用二極管通常是指隧道二極管、體效應二極管和變容二極管。7、開關用二極管有在小電流下（10mA 程度）使用的邏輯運算和在數百毫安下使用的磁芯激勵用開關二極管。小電流的開關二極管通常有點接觸型和鍵型等二極管，也有在高溫下還可能工作的硅擴散型、臺面型和平面型二極管。開關二極管的特長是開關速度快。而肖特基型二極管的開關時間特短，因而是理想的開關二極管。2AK 型點接觸為中速開關電路用；2CK 型平面接觸為高速開關電路用；用于開關、限幅、鉗位或檢波等電路；肖特基（SBD）硅大電流開關，正向壓降小，速度快、效率高。穩壓二極管只選凱軒業科技有限公司，信賴之選。北京質量穩壓二極管

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13、江崎二極管 （Tunnel Diode）它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其 P 型區的 N 型區是高摻雜的（即高濃度雜質的）。隧道電流由這些簡并態半導體的量子力學效應所產生的。如發生隧道效應具備如下三個條件：①費米能級位于導帶和滿帶內；②空間電荷層寬度必須很窄（0.01 微米以下）；簡并半導體 P 型區和 N 型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數有峰谷電流比（IP／PV），其中，下標“P”表示“峰”；而下標“V”表示“谷”。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應用于高速開關電路中。北京質量穩壓二極管