晶閘管關斷過電壓（換流過電壓、空穴積蓄效應過電壓）及保護晶閘管從導通到阻斷，線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產生過電壓。由于晶閘管在導通期間，載流子充滿元件內部，在關斷過程中，管子在反向作用下，正向電流下降到零時，元件內部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時出現較大的反向電流，使殘存的載流子迅速消失，這時反向電流減小即diG/dt極大，產生的感應電勢很大，這個電勢與電源串聯，反向加在已恢復阻斷的元件上，可導致晶閘管反向擊穿。這就是關斷過電壓（換相過電壓）。數值可達工作電壓的5~6倍。保護措施：在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。2．交流側過電壓及其保護由于交流側電路在接通或斷開時出現暫態過程，會產生操作過電壓。高壓合閘的瞬間，由于初次級之間存在分布電容，初級高壓經電容耦合到次級，出現瞬時過電壓。措施：在三相變壓器次級星形中點與地之間并聯適當電容，就可以減小這種過電壓。與整流器并聯的其它負載切斷時，因電源回路電感產生感應電勢的過電壓。變壓器空載且電源電壓過零時，初級拉閘，因變壓器激磁電流的突變，在次級感生出很高的瞬時電壓，這種電壓尖峰值可達工作電壓的6倍以上。淄博正高電氣講誠信，重信譽，多面整合市場推廣。濟寧雙向可控硅調壓模塊批發

晶閘管智能模塊在電機調速中的應用晶閘管智能模塊是新一代電力調控產品，它將晶閘管智能模塊和移相觸發電路集成為一體，具有使用方便、穩定可靠、節材節能等優點，能降低用戶系統的開發及使用成本，主要應用于交直流電動機的調速及穩定電源等領域。一、晶閘管智能模塊按主電路形式可分為三相模塊和交流模塊，下面是晶閘管智能模塊的工作特性。1.與單純的晶閘管電路不同，該模塊將相觸發電路及控制系統與晶閘管智能模塊集成于一體，使其成為一個完整的電力調控開環系統，外加一定的輔助電路可實現閉環控制。2.三相模塊主電路交流輸入電壓范圍較寬，且無相序及相數限制，突破了以往整流電路對觸發電路要求同步及移相范圍等約束，模塊內部能自動協調工作。3.控制信號0-10V直流信號，在此范圍內，可平滑調節輸出電壓，控制設為手動或計算機控制。4.可適用多種負載形式，如阻性、感性、容性負載。下面講解在電動機調速系統中應用晶閘管智能模塊應注意的問題基于晶閘管整流模塊供電的直流電動機開環調速系統，直流電動機工作室需兩路直流電源，一路給電樞回路供電，一路給勵磁回路供電，采用該模塊設計的幾套實際系統經過一年多時間的運行，效果良好。濟寧雙向可控硅調壓模塊批發淄博正高電氣為企業打造高水準、高質量的產品。

N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源極。N+區稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。切斷基極電流，使IGBT關斷。IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對N一層進行電導調制，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態電壓。IGBT和可控硅區別IGBT與晶閘管1.整流元件（晶閘管）簡單地說：整流器是把單相或三相正弦交流電流通過整流元件變成平穩的可調的單方向的直流電流。其實現條件主要是依靠整流管。晶閘管等元件通過整流來實現。除此之外整流器件還有很多，如：可關斷晶閘管GTO，逆導晶閘管，雙向晶閘管，整流模塊，功率模塊IGBT，SIT，MOSFET等等，這里只探討晶閘管。晶閘管又名可控硅，通常人們都叫可控硅。是一種功率半導體器件，由于它效率高，控制特性好，壽命長，體積小等優點，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發展，并已形成了一門單獨的學科。“晶閘管交流技術”。晶閘管發展到，在工藝上已經非常成熟，品質更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發展。

三相可控硅觸發板原理三相可控硅觸發板是以高級工業級單片機為組成的全數字控制、數字觸發板，并將電源變壓器、脈沖變壓器焊裝在控制板上。使用靈活，安裝簡便。電源用部對變壓器，性能穩定可靠。三相同步方案，定制可適應交流5V～380V各種同步電壓。4種高性能PID方案，適應不同性質負載，控制精度高，動態特性好。全數字觸發，脈沖不對稱度≤°，用部對脈沖變壓器觸發，脈沖前沿陡度≤。功能、參數設定采用按鍵操作，故障、報警、界面采用LED數碼管顯示，操作方便，顯示直觀。本控制板的所有控制參數均為數字量，無溫度漂移變化，運行穩定、工作可靠。強抗干擾能力，三相觸發板配件，采用獨特措施，惡劣干擾環境正常運行。通用性強，適用范圍寬，控制板適應任何主電路，任何性質負載。手動、自動；穩流、穩壓；電位器控制、儀表控制可任意選擇和切換。三相晶閘管數控板直接觸發六個10000A以內的晶閘管元件的設備，外接脈沖功放板。誠摯的歡迎業界新朋老友走進淄博正高電氣！

安裝注意事項：1、考慮到電網電壓的波動和負載在起動時一般都比其額定電流大幾倍，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，建議您在選取模塊電流規格時應留出適當裕量。2、模塊管芯工作結溫：可控硅為-40℃∽125℃；環境溫度不得高于40℃；環境濕度小于86%。3、使用環境應無劇烈振動和沖擊，環境介質中應無腐蝕金屬和破壞絕緣的雜質和氣氛。4、由于可控硅模塊是絕緣型（即模塊接線柱對銅底板之間的絕緣耐壓大于），因此可以把多個模塊安裝在同一散熱器上，需接地線。5、散熱器安裝表面應平整、光滑，不能有劃痕、磕碰和雜物。散熱器表面光潔度應小于10μm。模塊安裝到散熱器上時，在它們的接觸面之間應涂一層很薄的導熱硅脂。涂脂前，用細砂紙把散熱器接觸面的氧化層去掉，然后用無水乙醇把表面擦干凈，使接觸良好，以減少熱阻。模塊緊固到散熱器表面時，采用M5或M6螺釘和彈簧墊圈，并以4NM力矩緊固螺釘與模塊主電極的連線應采用銅排，并有光滑平整的接觸面，使接觸良好。模塊工作３小時后，各個螺釘須再次緊固一遍。淄博正高電氣過硬的產品質量、優良的售后服務、認真嚴格的企業管理，贏得客戶的信譽。濟寧雙向可控硅調壓模塊批發

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可控硅又稱晶閘管（晶體閘流管），是一種常用的功率型半導體器件，其主要的功能是功率控制。可控硅可分為單向可控硅、雙向可控硅、可關斷可控硅等。可控硅的特點是具有可控的單向導電性，以小電流控制大電流，以低電壓控制高電壓。可控硅可以用萬用表進行檢測。一、檢測單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結構，形成3個PN結，具有3個外電極：陽極A、陰極K、控制極G。檢測時，萬用表置于“Rx10Ω”檔，黑表筆（表內電池正極）接單向可控硅的控制極G，紅表筆（表內電池負極）接單向可控硅的陰極K，這時測量的是單向可控硅PN結的正向電阻，應有較小的阻值。如下圖所示。對調兩表筆后，測其反向電阻，應比正向電阻明顯大一些。萬用表黑表筆仍接單向可控硅控制極G，紅表筆改接單向可控硅的陽極A，阻值應為無窮大。對調兩表筆后，再測，阻值仍應為無窮大。這是因為G、A間為兩個PN結反向串聯，正常情況下其正、反向阻值均為無窮大。二、檢測單向晶閘管導通特性萬用表置于Rx1Ω檔，黑表筆接單向可控硅陽極A，紅表筆接單向可控硅陰極K，表針應指示為無窮大。這是用金屬導體將控制極G與陽極A短接一下（短接后馬上斷開）。濟寧雙向可控硅調壓模塊批發