普通晶閘管普通晶閘管（SCR）是由PNPN四層半導(dǎo)體材料構(gòu)成的三端半導(dǎo)體器件，三個(gè)引出端分另為陽極A、陰極K和門極G、圖8-4是其電路圖形符號(hào)。普通晶閘管的陽極與陰極之間具有單向?qū)щ姷男阅埽鋬?nèi)部可以等效為由一只PNP晶閘管和一只NPN晶閘管組成的組合管，如圖8-5所示。當(dāng)晶閘管反向連接（即A極接電源負(fù)端，K極接電源正端）時(shí)，無論門極G所加電壓是什么極性，晶閘管均處于阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管正向連接（即A極接電源正端，K極接電源負(fù)端）時(shí)，若門極G所加觸發(fā)電壓為負(fù)時(shí)，則晶閘管也不導(dǎo)通，只有其門極G加上適當(dāng)?shù)恼蛴|發(fā)電壓時(shí)，晶閘管才能由阻斷狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)，晶閘管陽極A極與陰極K極之間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，A、K極之間壓降約為1V。普通晶閘管受觸發(fā)導(dǎo)通后，其門極G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，晶閘管將維持低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽極A電壓撤除或陽極A、陰極K之間電壓極性發(fā)生改變（如交流過零）時(shí)，普通晶閘管才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻阻斷狀態(tài)。普通晶閘管一旦阻斷，即使其陽極A與陰極K之間又重新加上正向電壓，仍需在門極G和陰極K之間重新加上正向觸發(fā)電壓后方可導(dǎo)通。普通晶閘管的導(dǎo)通與阻斷狀態(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合和斷開狀態(tài)。正高電氣公司可靠的質(zhì)量保證體系和經(jīng)營管理體系，使產(chǎn)品質(zhì)量日趨穩(wěn)定。威海MTAC100晶閘管智能模塊

    難以實(shí)現(xiàn)起動(dòng)方式的多樣化。三是液阻軟起動(dòng)需要維護(hù)，液箱中水需要定期補(bǔ)充。電極板長期浸泡于電解液中，表面會(huì)有一定的銹蝕，需要作表面處理（大概2-3年一次）。四是液阻軟起動(dòng)裝置不適合置放在易結(jié)水或顛簸的現(xiàn)場。近年有所謂的熱變液阻軟啟動(dòng)裝置，通過液阻本身在軟起動(dòng)過程中的溫升，借助電解液電導(dǎo)率與溫度的正相關(guān)性實(shí)現(xiàn)無極板伺服機(jī)構(gòu)的軟啟動(dòng)。但是，其可行性大受質(zhì)疑；它的限流器件不具備限流能力易控性，裝置對(duì)使用環(huán)境溫度要求高，軟起動(dòng)重復(fù)性差。二、磁控軟起動(dòng)器磁控軟起動(dòng)在起動(dòng)開始時(shí)限流作用較強(qiáng)，在軟起動(dòng)過程中逐漸減弱。電抗器在起動(dòng)完成后被旁路。限流作用的強(qiáng)弱變化是通過控制直流勵(lì)磁電流、改變鐵心的飽和度實(shí)現(xiàn)的，所以叫做磁控軟起動(dòng)。因?yàn)榇棚柡碗娍蛊鞯妮敵龉β时瓤刂乒β蚀髱资叮部煞Q為“磁放大器”。由于它不具有零輸入對(duì)應(yīng)零輸出的特點(diǎn)，所以，不建議采用“磁放大器”這一詞。磁飽和電抗器有三對(duì)交流繞組（每相一對(duì)）和三相共有的一個(gè)直流勵(lì)磁繞組。在交流繞組里流過的是電動(dòng)機(jī)定子電流，它必然會(huì)在直流勵(lì)磁繞組上感應(yīng)出電勢；后者會(huì)影響勵(lì)磁回路的運(yùn)行。不是用一個(gè)，二是用一對(duì)交流繞組的主要原因就是為了抵消這種影響。顯然。威海MTAC100晶閘管智能模塊正高電氣公司將以質(zhì)量的產(chǎn)品，完善的服務(wù)與尊敬的用戶攜手并進(jìn)！

晶閘管模塊的應(yīng)用方法

1、模塊的控制功能端口定義

+12V：   外接 +12V直流電源正極。

GND：   直流電源地線。

GND1:    控制信號(hào)地線，與GND 相通。

CON10V:  0～10V 控制信號(hào)輸入。

TESTE： 檢測電源,可外接 4.7K～20K電位器，取出0～10V 信號(hào)。

CON20mA：4～20mA控制信號(hào)輸入。

2、模塊的控制端口與控制線

模塊控制端接口有5腳、9腳和15腳三種形式，分別對(duì)應(yīng)于5芯、9芯、15芯的控制線。采用電壓信號(hào)的產(chǎn)品只用**腳端口，其余為空腳，采用電流信號(hào)的9腳為信號(hào)輸入，控制線的屏蔽層銅線應(yīng)焊接到直流電源地線上,連接時(shí)注意不要同其它的端子短路,以免不能正常工作或可能燒壞模塊。

    過流保護(hù)如果想得到較安全的過流保護(hù)，建議用戶優(yōu)先使用內(nèi)部帶過流保護(hù)功能的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過電流繼電器、傳感器的方法。快速熔斷器是**簡單常用的方法，介紹如下：（1）快速熔斷器的選擇：①、熔斷器的額定電壓應(yīng)大于模塊輸入端電壓；②、熔斷器的額定電流應(yīng)為模塊標(biāo)稱輸入電流的，按照計(jì)算值選擇相同電流或稍大一點(diǎn)的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關(guān)系參考本本博客有關(guān)文章。用戶也可根據(jù)經(jīng)驗(yàn)和試驗(yàn)自行確定熔斷器的額定電流。（2）接線方法：快速熔斷器接在模塊的輸入端，負(fù)載接輸出端。2、過壓保護(hù)晶閘管承受過電壓的能力較差，當(dāng)元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時(shí)，即使時(shí)間很短，也會(huì)造成元件反向擊穿損壞。如果正向電壓超過晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓，會(huì)引起晶閘管硬開通，它不僅使電路工作失常，且多次硬開通后元件正向轉(zhuǎn)折電壓要降低，甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此必須采用過電壓保護(hù)措施用以晶閘管上可能出現(xiàn)的過電壓。模塊的過壓保護(hù)，推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護(hù)措施。（1）阻容吸收回路晶閘管從導(dǎo)通到阻斷時(shí)，和開關(guān)電路一樣，因線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量會(huì)產(chǎn)生過電壓。正高電氣通過專業(yè)的知識(shí)和可靠技術(shù)為客戶提供服務(wù)。

晶閘管智能模塊導(dǎo)通角與模塊輸出電流的關(guān)系

晶閘管模塊的導(dǎo)通角與模塊能輸出的較大電流有直接關(guān)系，模塊的標(biāo)稱電流是較大導(dǎo)通角時(shí)能輸出的較大電流。在小導(dǎo)通角（輸出電壓與輸入電壓比值很小）下輸出的電流峰值很大，但電流的有效值很小（直流儀表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時(shí)比實(shí)際值小），但是輸出電流的有效值很大，半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比，會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此，模塊應(yīng)選擇在極較大導(dǎo)通角的65％以上工作，及控制電壓應(yīng)在5V以上。 我公司生產(chǎn)的產(chǎn)品、設(shè)備用途非常多。威海MTAC100晶閘管智能模塊

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    以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。目前，GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強(qiáng)大的生命力。可關(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào)。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和，所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)即可關(guān)斷。GTO的一個(gè)重要參數(shù)就是關(guān)斷增益，βoff，它等于陽極比較大可關(guān)斷電流IATM與門極比較大負(fù)向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說明門極電流對(duì)陽極電流的控制能力愈強(qiáng)。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測關(guān)斷增益βoff的方法。1．判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻，*當(dāng)黑表筆接G極，紅表筆接K極時(shí)，電阻呈低阻值。威海MTAC100晶閘管智能模塊

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