晶閘管智能模塊的散熱要求

模塊散熱條件的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短時過載能力，溫度越低模塊的輸出電流越大，所以在使用中一定要配備散熱器和風(fēng)機(jī)，建議采用帶有過熱保護(hù)功能的產(chǎn)品，有水冷散熱條件的優(yōu)先選擇水冷散熱。我們經(jīng)過嚴(yán)格測算，確定了不同型號的產(chǎn)品所應(yīng)該配備的散熱器型號，推薦采用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī)，用戶自備時按以下原則選取：

1、軸流風(fēng)機(jī)的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s ；

2、一定要能保證模塊正常工作時散熱底板溫度不大于 80℃；

3、模塊負(fù)載較輕時，可減小散熱器的大小或采用自然冷卻；

4、采用自然方式冷卻時散熱器周圍的空氣能實現(xiàn)對流并適當(dāng)增大散熱器面積；

5、所有緊固模塊的螺釘一定要擰緊，壓線端子連接牢固，以減少次生熱量的產(chǎn)生，模塊底板和散熱器之間一定要要涂敷一層導(dǎo)熱硅脂或墊上一片底板大小的導(dǎo)熱墊，以達(dá)到良好散熱效果。 正高電氣生產(chǎn)的產(chǎn)品質(zhì)量上乘。濱州MTAC75晶閘管智能模塊供應(yīng)商

    難以實現(xiàn)起動方式的多樣化。三是液阻軟起動需要維護(hù)，液箱中水需要定期補(bǔ)充。電極板長期浸泡于電解液中，表面會有一定的銹蝕，需要作表面處理（大概2-3年一次）。四是液阻軟起動裝置不適合置放在易結(jié)水或顛簸的現(xiàn)場。近年有所謂的熱變液阻軟啟動裝置，通過液阻本身在軟起動過程中的溫升，借助電解液電導(dǎo)率與溫度的正相關(guān)性實現(xiàn)無極板伺服機(jī)構(gòu)的軟啟動。但是，其可行性大受質(zhì)疑；它的限流器件不具備限流能力易控性，裝置對使用環(huán)境溫度要求高，軟起動重復(fù)性差。二、磁控軟起動器磁控軟起動在起動開始時限流作用較強(qiáng)，在軟起動過程中逐漸減弱。電抗器在起動完成后被旁路。限流作用的強(qiáng)弱變化是通過控制直流勵磁電流、改變鐵心的飽和度實現(xiàn)的，所以叫做磁控軟起動。因為磁飽和電抗器的輸出功率比控制功率大幾十倍，它也可稱為“磁放大器”。由于它不具有零輸入對應(yīng)零輸出的特點，所以，不建議采用“磁放大器”這一詞。磁飽和電抗器有三對交流繞組（每相一對）和三相共有的一個直流勵磁繞組。在交流繞組里流過的是電動機(jī)定子電流，它必然會在直流勵磁繞組上感應(yīng)出電勢；后者會影響勵磁回路的運行。不是用一個，二是用一對交流繞組的主要原因就是為了抵消這種影響。顯然。濱州MTAC75晶閘管智能模塊供應(yīng)商正高電氣公司地理位置優(yōu)越，擁有完善的服務(wù)體系。

    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實際晶閘管(可控硅)電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路。我們知道，晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結(jié)溫和門極斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因為晶閘管(可控硅)可以看作是由三個PN結(jié)組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個電容C0。當(dāng)晶閘管(可控硅)陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容C0，并通過J3結(jié)，這個電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關(guān)斷時，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號的情況下，晶閘管(可控硅)誤導(dǎo)通現(xiàn)象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管(可控硅)上的陽極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管(可控硅)安全運行，常在晶閘管(可控硅)兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)。

晶閘管智能模塊的保護(hù)

在實際應(yīng)用中，除合理選擇智能可控硅調(diào)壓模塊的額定電壓及電流外，還必須采取有效的保護(hù)措施來保證晶閘管智能模塊能可靠工作。

過熱保護(hù)：晶閘管智能模塊與其他功率器件一樣，在實際工作中由于自身功耗，都會引起芯片溫度上升，溫度過高后，會使漏電流增加，芯片特性變軟，直至過熱擊穿，在實際應(yīng)用中，通常采用強(qiáng)迫風(fēng)冷的方法來及時散除晶閘管工作時產(chǎn)生的熱量，控制散熱器比較高溫度不超過75°，使晶閘管智能模塊在安全溫度下工作。 正高電氣以創(chuàng)百年企業(yè)、樹百年品牌為使命，傾力為客戶創(chuàng)造更大利益！

    調(diào)試告結(jié)束。13、注意事項，請取下控制板，否則可能造成控制板長久性損壞。，恕不另行通知。，本公司概不負(fù)責(zé)。MPU器件是一種CMOS器件，使用時應(yīng)注意，器件的兩個引腳之間嚴(yán)禁短路，否則將損壞芯片，為保護(hù)器件的安全，因此忌用萬用表直接測量器件的引腳。，控制板上有高壓電，請注意，以免觸電。14.問題討論控制電路上已經(jīng)把過壓保護(hù)電平固定在額定輸出電壓的，當(dāng)進(jìn)行定額電壓整定時，過壓保護(hù)就自動整定好了。若覺得，可改變控制板上的R28電阻值，減小R28，過壓保護(hù)電平增高；反之減小。控制電路上已經(jīng)把過流保護(hù)電平固定在額定直流電流的，當(dāng)進(jìn)行額定電流的整定時，過流保護(hù)就自動設(shè)定好。若覺得，增大R27，過流保護(hù)電平增高，反之減小。當(dāng)，可在系統(tǒng)運行于重負(fù)荷下，逆時針調(diào)節(jié)控制板上的W1電流反饋微調(diào)電位器，使直流表達(dá)到額定值。這與一般的中頻電源的電源整定是一樣的。一定要使它激頻率高于槽路可能的比較大諧振頻率，否則，系統(tǒng)由于它激頻率的“拽著”而不能正常運行。它激頻率高于槽路可能的比較大諧振頻率。對熔煉負(fù)載來說，恒功率輸出是很重要的，要想使恒功率的范圍大，就要使逆變引前角從最小變到比較大的范圍盡可能的大，同時負(fù)載阻抗的匹配也很重要。正高電氣在客戶和行業(yè)中樹立了良好的企業(yè)形象。濱州MTAC75晶閘管智能模塊供應(yīng)商

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    晶閘管是晶體閘流管的簡稱，原名可控硅整流器（SCR），簡稱可控硅，其派生器件有雙向晶閘管和可關(guān)斷晶閘管。晶閘管的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體器件從弱電領(lǐng)域進(jìn)入強(qiáng)電領(lǐng)域。主要應(yīng)用于整流、逆變、調(diào)壓、開關(guān)等方面，應(yīng)用最多在晶閘管可控整流。1.單向晶閘管具有3個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的器件，引出的電極分別為陽極A、陰極K和控制極G。右邊為其等效電路。通斷轉(zhuǎn)換條件：主要參數(shù)1）額定正向平均電流。在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過陽極和陰極之間的電流平均值。2）維持電流。在規(guī)定環(huán)境溫度、控制極斷開的條件下，保持晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)所需要的最小正向電流。3）門極觸發(fā)電壓。在規(guī)定環(huán)境溫度及一定正向電壓條件下，使晶閘管從阻斷到導(dǎo)通，控制極所需的最小電壓，一般為1~5V。4）門極觸發(fā)電流。在規(guī)定環(huán)境溫度即一定正向電壓條件下，使晶閘管從阻斷到導(dǎo)通，控制極所需的最小電流，一般為幾十到幾百毫安。5）正向重復(fù)峰值電壓。在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓，稱為正向重復(fù)峰值電壓。6）正向重復(fù)峰值電流。在控制極斷路時，可以重復(fù)加在晶閘管上的反向峰值電壓。濱州MTAC75晶閘管智能模塊供應(yīng)商

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