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壓電PMM 6D

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024年11月21日

什么是壓電陶瓷呢?其實(shí)它是一能夠?qū)C(jī)械能和電能互相轉(zhuǎn)換的功能陶瓷材料。所謂壓電效應(yīng)是指某些介質(zhì)在受到機(jī)械壓力時(shí),哪怕這種壓力微小得像聲波振動(dòng)那樣小,都會(huì)產(chǎn)生壓縮或伸長(zhǎng)等形狀變化,引起介質(zhì)表面帶電,這是正壓電效應(yīng)。反之,施加激勵(lì)電場(chǎng),介質(zhì)將產(chǎn)生機(jī)械變形,稱逆壓電效應(yīng)。1880年法國(guó)人居里兄弟發(fā)現(xiàn)了“壓電效應(yīng)”。1942年,***個(gè)壓電陶瓷材料——鈦酸鋇先后在美國(guó)、前蘇聯(lián)和日本制成。1947年,鈦酸鋇拾音器——***個(gè)壓電陶瓷器件誕生了。50年代初,又一種性能**優(yōu)于鈦酸鋇的壓電陶瓷材料--鋯鈦酸鉛研制成功。從此,壓電陶瓷的發(fā)展進(jìn)入了新的階段。60年代到70年代,壓電陶瓷不斷改進(jìn),逐趨完美。如用多種元素改進(jìn)的鋯鈦酸鉛二元系壓電陶瓷,以鋯鈦酸鉛為基礎(chǔ)的三元系、四元系壓電陶瓷也都應(yīng)運(yùn)而生。這些材料性能優(yōu)異,制造簡(jiǎn)單,成本低廉,應(yīng)用***。利用壓電陶瓷將外力轉(zhuǎn)換成電能的特性,可以制造出壓電點(diǎn)火器、移動(dòng)X光電源、炮彈***裝置。用兩個(gè)直徑3毫米、高5毫米的壓電陶瓷柱取代普通的火石,可以制成一種可連續(xù)打火幾萬(wàn)次的氣體電子打火機(jī)。PMM 壓電顯微操作儀提高ICSI成功率。壓電PMM 6D

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06年是居里兄弟皮爾(P·Curie)與杰克斯(J·Curie)發(fā)現(xiàn)壓電效應(yīng)(piezo electric effect,注一)的一百二十六周年。1880年前在杰克斯的實(shí)驗(yàn)室發(fā)現(xiàn)了壓電性。起先,皮爾致力于焦電現(xiàn)象(pyroelectriceffect,注二)與晶體對(duì)稱性關(guān)系的研究,后來(lái)兄弟倆卻發(fā)現(xiàn),在某一類晶體中施以壓力會(huì)有電性產(chǎn)生。他們又系統(tǒng)的研究了施壓方向與電場(chǎng)強(qiáng)度間的關(guān)系,及預(yù)測(cè)某類晶體具有壓電效應(yīng)。經(jīng)他們實(shí)驗(yàn)而發(fā)現(xiàn),具有壓電性的材料有:閃鋅礦(zincblende)、鈉氯酸鹽(sodiumchlorate)、電氣石(tourmaline)、石英(quartz)、酒石酸(tartaricacid)、蔗糖(canesuger)、方硼石(boracite)、異極礦(calamine)、黃晶(topaz)及若歇爾鹽(Rochellesalt)。這些晶體都具有各向異性(anisotropic)結(jié)構(gòu),各向同性(isotropic)材料是不會(huì)產(chǎn)生壓電性的。上海Piezo壓電PMM 6 MB-D-2中等力度輸出型號(hào),適用于ICSI、ES細(xì)胞注射、活檢操作等。

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壓電效應(yīng)的原理是,如果對(duì)壓電材料施加壓力,它便會(huì)產(chǎn)生電位差(稱之為正壓電效應(yīng)),反之施加電壓,則產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力(稱為逆壓電效應(yīng))。如果壓力是一種高頻震動(dòng),則產(chǎn)生的就是高頻電流。而高頻電信號(hào)加在壓電陶瓷上時(shí),則產(chǎn)生高頻聲信號(hào)(機(jī)械震動(dòng)),這就是我們平常所說(shuō)的超聲波信號(hào)。也就是說(shuō),壓電陶瓷具有機(jī)械能與電能之間的轉(zhuǎn)換和逆轉(zhuǎn)換的功能,這種相互對(duì)應(yīng)的關(guān)系確實(shí)非常有意思。壓電材料可以因機(jī)械變形產(chǎn)生電場(chǎng),也可以因電場(chǎng)作用產(chǎn)生機(jī)械變形,這種固有的機(jī)-電耦合效應(yīng)使得壓電材料在工程中得到了廣泛的應(yīng)用。例如,壓電材料已被用來(lái)制作智能結(jié)構(gòu),此類結(jié)構(gòu)除具有自承載能力外,還具有自診斷性、自適應(yīng)性和自修復(fù)性等功能,在未來(lái)的飛行器設(shè)計(jì)中占有重要的地位。

Piezo-ICSI程序:

使用直徑100-mm的細(xì)胞培養(yǎng)皿上蓋,準(zhǔn)備操作盤(pán);按照Piezo操作系統(tǒng)的要求,將4μL左右的汞從后部裝入注射針中,輕輕將汞推至針尖處,在20-25℃室溫下,準(zhǔn)備進(jìn)行顯微操作。具體操作前,首先取10枚卵母細(xì)胞置于15L含3 % suerose的HEPES-CZB操作滴中備用;然后將2.5μL精子溶液與5pLHEPES-CZB+ 12 % PVP-360操作滴充分混合;再將單個(gè)精子從尾部吸入注射針,用Piezo脈沖從頸部斷開(kāi)頭和尾;連續(xù)剪切5個(gè)精子后,將吸入全部精子頭的注射針轉(zhuǎn)移到放置卵母細(xì)胞的操作滴中,準(zhǔn)備將精子頭逐個(gè)注射至卵母細(xì)胞質(zhì)中。注射時(shí),從時(shí)鐘9點(diǎn)的方向吸住卵母細(xì)胞,使紡錘體保持在6點(diǎn)或12點(diǎn)的位置,從3點(diǎn)的方向輕輕進(jìn)針,同時(shí)用Piezo脈沖擊穿透明帶,將透明帶碎片吹出注射針的同時(shí),將精子頭吹至針尖處,繼續(xù)進(jìn)針,直至針尖插入卵母細(xì)胞深處,幾乎貼近對(duì)側(cè)質(zhì)膜時(shí),用Piezo弱脈沖擊穿卵母細(xì)胞質(zhì)膜,將精子頭吐出,回吸注入卵內(nèi)多余的操作液,輕輕退針,完成一次注射。依次操作,盡快實(shí)現(xiàn)該批卵母細(xì)胞的注射,室溫放置5min,然后用大量CZB溶液洗滌ICSI胚胎,并且移入CO?箱培養(yǎng)。依法進(jìn)行第二批卵母細(xì)胞的精子頭注射,在注射HCG后17 h,完成全部卵母細(xì)胞的精子注射。 壓電破膜儀 PMM 具有高度的精確性和可調(diào)節(jié)性,可以根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行調(diào)整,提高操作效率。

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單精子顯微注射技術(shù)——解決因精子問(wèn)題導(dǎo)致的不育癥

在自然受孕過(guò)程中,精子需要經(jīng)歷一系列復(fù)雜的生理反應(yīng),包括頂體反應(yīng)、穿越透明帶等,才能與卵子結(jié)合。然而,當(dāng)男性存在嚴(yán)重的少精子癥、弱精子癥或畸形精子癥時(shí),這些自然過(guò)程可能無(wú)法順利完成,導(dǎo)致不育。此時(shí),單精子顯微注射技術(shù)便成為了一種有效的解決方案。

單精子顯微注射技術(shù)針對(duì)男性精子問(wèn)題而設(shè)計(jì),也被稱為第二代試管嬰兒技術(shù),其**在于通過(guò)顯微操作,將單個(gè)精子直接注入卵母細(xì)胞的胞漿內(nèi),從而繞過(guò)自然受精過(guò)程中精子需要穿越卵子透明帶的障礙。

單精子顯微注射的操作過(guò)程即使用一根極細(xì)的顯微操作針,將經(jīng)過(guò)篩選的單個(gè)精子注入到卵母細(xì)胞的胞漿內(nèi)。這一過(guò)程需要極高的精確度和技巧,以確保精子能夠成功進(jìn)入卵子。受精成功后,受精卵將被培養(yǎng)至早期胚胎階段,并移植到母體子宮內(nèi),以期實(shí)現(xiàn)妊娠。 壓電輔助ICSI于1995年被描述,可用于標(biāo)準(zhǔn)ICSI失敗的動(dòng)物(如小鼠)的輔助受孕。上海透明帶壓電150 FU

PRIME TECH 公司生產(chǎn)的PMM 150FU為全世界較早的壓電破膜儀。壓電PMM 6D

傳統(tǒng)的ICSI是通過(guò)授精針刺破卵子,將挑選好的精子注入使之受精。本質(zhì)上對(duì)卵子來(lái)說(shuō)是一種物理性侵入,特別對(duì)于幼弱老化的卵子可能會(huì)有一定損傷的風(fēng)險(xiǎn)。而全新的壓電式胞漿內(nèi)單精子注射(Piezo-ICSI)技術(shù),可以減少對(duì)卵子的傷害,相較于常規(guī)式的ICSI相比更能提高受精率。

Piezo-ICSI超音振動(dòng)顯微受精法,采用極細(xì)(0.908毫米)的平口注射針,比常規(guī)的注射針(1.473mm)細(xì)小了將近一半,能夠?qū)⒙殉驳膫档奖容^低。另一方面,精子注射的過(guò)程對(duì)卵子的影響也極其重要。Piezo-ICSI技術(shù)通過(guò)超音振動(dòng)來(lái)打開(kāi)卵子透明帶再將精子注入,減少了對(duì)卵子的損傷,也能夠提高胚胎成功受精的幾率。研究數(shù)據(jù)顯示,以原有的人工授精療法ICSI與Piezo-ICSI進(jìn)行比較,受精率從83.1%提高到90.3%,細(xì)胞分裂優(yōu)化由84.60%提高到88.10%。 壓電PMM 6D

標(biāo)簽: 時(shí)差培養(yǎng)箱
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