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山東低本底計數(shù)器制造商

來源: 發(fā)布時間:2024年08月28日

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LLB1000用到了閃爍體探測器和PIPS探測器。其中,閃爍體探測器是采用α閃爍物質(zhì)和β閃爍物質(zhì)復合閃爍體作為發(fā)光元件。由于α粒子的射程短,當粒子進入α閃爍物質(zhì)時,將全部能量損失在ZnS(Ag)材料上,引起閃爍發(fā)光,光電倍增管產(chǎn)生α信號。β粒子由于穿透能力較強,β粒子穿過ZnS(Ag)材料進入β閃爍物質(zhì),產(chǎn)生閃爍光,進入光電倍增管產(chǎn)生β信號。PIPS探測器是半導體兩端加反向電壓,N區(qū)接正,P區(qū)接負,外加電場方向與內(nèi)建電場方向相同,使耗盡層增厚,漂移運動增強。當帶電粒子穿過時產(chǎn)生電子-空穴對,在高電場下分別向正負電極漂移,產(chǎn)生信號。信號幅度正比于電子空穴對數(shù)目,正比于入射粒子損失能量。山東低本底計數(shù)器制造商

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