因此，即使外腔體10與內(nèi)反應(yīng)腔20在氣路上相互連通，但外腔體10中的污染物也很難進(jìn)入到內(nèi)反應(yīng)腔20中，從而可以保證內(nèi)反應(yīng)腔20始終保持清潔的工藝環(huán)境。由此，外腔體10與所述內(nèi)反應(yīng)腔20可共用一套抽真空系統(tǒng)。由于外腔體10與內(nèi)反應(yīng)腔20之間應(yīng)屬于相互連通的氣路環(huán)境，因此，當(dāng)對外腔體10進(jìn)行抽真空處理時(shí)，內(nèi)反應(yīng)腔20也同時(shí)進(jìn)行抽真空處理。本實(shí)施方式中，自動(dòng)門設(shè)置于所述第二側(cè)壁22上，所述外腔體10內(nèi)設(shè)有傳送裝置13，所述工件自所述傳送裝置13經(jīng)所述自動(dòng)門23傳遞至所述內(nèi)反應(yīng)腔20中。自動(dòng)門控制器控制自動(dòng)門的啟閉。抽真空完成后，自動(dòng)門控制器檢測傳送裝置上是否有工件存在，經(jīng)檢測若有工件存在，則控制自動(dòng)門打開，工件在傳送裝置的作用下進(jìn)入內(nèi)反應(yīng)腔中;然后自動(dòng)門控制器再控制自動(dòng)門關(guān)閉。可以理解的是，傳送裝置包括轉(zhuǎn)動(dòng)軸和套設(shè)在轉(zhuǎn)動(dòng)軸上的傳送帶，以及驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng)軸旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，例如電機(jī)。其中，傳送帶的設(shè)置高度與內(nèi)反應(yīng)腔中的工件反應(yīng)載臺(tái)相對應(yīng)。繼續(xù)參照圖2，為了保證作為工藝區(qū)域的內(nèi)反應(yīng)腔20的環(huán)境溫度恒溫可控，第二底板21和/或所述第二側(cè)壁22上設(shè)有用于對所述內(nèi)反應(yīng)腔20進(jìn)行控溫的溫控裝置，以使內(nèi)反應(yīng)腔20內(nèi)的溫度始終處于所需的工藝溫度范圍內(nèi)。 寶來利五金裝飾真空鍍膜設(shè)備性能穩(wěn)定，膜層均勻耐磨，細(xì)膩有光澤，有需要可以來咨詢！浙江真空鍍鋁真空鍍膜設(shè)備推薦廠家

因此可以有效減少工藝原料的浪費(fèi)，降低原料的使用成本，提高原料的利用率。同時(shí)，由于工藝反應(yīng)區(qū)的減少，可以有效控制該區(qū)域內(nèi)的溫度，使該區(qū)域內(nèi)的工藝溫度更易于均勻化，進(jìn)而提高工藝質(zhì)量。附圖說明此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，示出了符合本實(shí)用新型的實(shí)施例，并與說明書一起用于解釋本實(shí)用新型的原理。為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本實(shí)用新型一種實(shí)施方式的真空反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1所示結(jié)構(gòu)中的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為設(shè)置于第二底板底部的溫控管的結(jié)構(gòu)示意圖。圖標(biāo)：10-外腔體；11-寶來利真空底板；12-寶來利真空側(cè)壁；13-傳送裝置；20-內(nèi)反應(yīng)腔；21-第二底板；22-第二側(cè)壁；23-自動(dòng)門；30-密封蓋板；40-溫控管；41-恒溫控制器。具體實(shí)施方式為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和***更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然。 浙江相機(jī)鏡頭真空鍍膜設(shè)備供應(yīng)商品質(zhì)真空鍍膜設(shè)備膜層亮度高，請選丹陽市寶來利真空機(jī)電有限公司，有需要可以來咨詢考察！

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真空鍍膜設(shè)備在操作過程中，膜層不均勻的可能原因主要包括靶材與基片的距離不當(dāng)、磁場設(shè)計(jì)不均勻以及乙炔引入不均勻等。具體內(nèi)容如下：距離問題：靶材與待鍍基片之間的距離若未優(yōu)化，會(huì)影響濺射的均勻性。磁場設(shè)計(jì)問題：磁控濺射的均勻性在很大程度上依賴于磁場的設(shè)計(jì)，如果磁場分布和強(qiáng)度不均，則會(huì)導(dǎo)致膜層均勻度不佳。氣體引入問題：如乙炔在反應(yīng)濺射過程中引入不均，也會(huì)導(dǎo)致沉積膜層的質(zhì)量在基片上存在差異。為了解決這些問題，可以考慮以下方案：調(diào)整靶材與基片間的距離：確保兩者間距離適宜，以便改善濺射的均勻性。優(yōu)化磁場設(shè)計(jì)：通過改善和優(yōu)化磁場的分布及強(qiáng)度，提高靶材表面離子轟擊的均勻性，進(jìn)而提升膜層均勻度。旋轉(zhuǎn)基片或靶材：在濺射過程中，改變它們的相對位置和角度，使得材料能夠更均勻地分布在基片上。品質(zhì)真空鍍膜設(shè)備，請選丹陽市寶來利真空機(jī)電有限公司，有需要可以電話聯(lián)系我！

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