由于電容的兩端電壓不會(huì)突變,形象的說電容像個(gè)水塘,因?yàn)樗晾锏乃粫?huì)因幾滴水的加入或蒸發(fā)而引起水量的變化。 它把電壓的變化轉(zhuǎn)作為電流的變化,從而緩沖了輸出電壓。濾波就是充電,放電的過程。起到穩(wěn)定輸出電...
早期的二極管也就是半導(dǎo)體的制作工藝是將兩個(gè)立體的摻雜材料放在一起高溫熔接而成,現(xiàn)在的二極管和原來相比只是制作工藝更加精確,讓兩個(gè)相鄰的不同摻雜區(qū)域組合構(gòu)成,一個(gè)區(qū)域是在半導(dǎo)體材料中摻入施主原子產(chǎn)生自由...
時(shí)鐘振蕩器的原理主要有由電容器和電感器組成的LC回路,通過電場能和磁場能的相互轉(zhuǎn)換產(chǎn)程自由振蕩。要維持振蕩還要有具有正反饋的放大電路,LC振蕩器又分為變壓器耦合式和三點(diǎn)式振蕩器,很多應(yīng)用石英晶體的石英...
便攜電子設(shè)備不管是由交流市電經(jīng)過整流(或交流適配器)后供電,還是由蓄電池組供電,工作過程中,電源電壓都將在很大范圍內(nèi)變化。比如單體鋰離子電池充足電時(shí)的電壓為4.2V,放完電后的電壓為2.3V,變化范圍...
較高反向工作電壓VR:指二極管兩端允許施加的較大反向電壓。若大于此值,則反向電流(IR)劇增,二極管的單向?qū)щ娦员黄茐模瑥亩鸱聪驌舸MǔH》聪驌舸╇妷篤B的一半作為VR。(3)較大反向電流IR:...
電腦和智能手機(jī)早期就采用了FinFET技術(shù),目前也正推動(dòng)著市場需求。這些功能無論是在智能手機(jī)上,還是CPU中的都大致相同。2015年,三星(韓國)在ExynosOcta7的芯片制作上引入了14nm的F...
3. 快速瞬態(tài)應(yīng)用。線性穩(wěn)壓器反饋環(huán)路一般都是內(nèi)置的,因此無需外部補(bǔ)償。相比于SMPS,線性穩(wěn)壓器通常具有較寬的控制環(huán)路帶寬和較快的瞬態(tài)響應(yīng)。4. 低壓差應(yīng)用。對(duì)于那些輸出電壓接近輸入電壓的應(yīng)用來說,...
濾波器是由電感器和電容器構(gòu)成的網(wǎng)路,可使混合的交直流電流分開.電源整流器中,即借助此網(wǎng)路濾凈脈動(dòng)直流中的漣波,而獲得比較純凈的直流輸出.基本的濾波器,是由一個(gè)電容器和一個(gè)電感器構(gòu)成,稱為L型濾波.所有...
VB---反向峰值擊穿電壓Vc---整流輸入電壓VB2B1---基極間電壓VBE10---發(fā)射極與基極反向電壓VEB---飽和壓降VFM---最大正向壓降(正向峰值電壓)VF---正向壓降(正向直流電...
晶體管(transistor)是一種類似于閥門的固體半導(dǎo)體器件,可以用于放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其他功能。在1947年,由美國物理學(xué)家約翰·巴丁、沃爾特·布喇頓和英國物理學(xué)家威廉·肖克利(Wi...
2015年,北美占據(jù)了FinFET市場的大多數(shù)份額.2016到2022年,亞太區(qū)市場將以年復(fù)合增長率比較高的速度擴(kuò)大.一些亞太地區(qū)的國家是主要的制造中心,將為的FinFET技術(shù)的發(fā)展提供充足機(jī)會(huì).智能...
光電二極管原理光電二極管的工作原理是,當(dāng)一個(gè)能量充足的光子撞擊二極管時(shí),會(huì)產(chǎn)生一對(duì)電子空穴。這種機(jī)制也稱為內(nèi)光電效應(yīng)。如果在耗盡區(qū)結(jié)中出現(xiàn)吸收,則載流子被耗盡區(qū)的內(nèi)置電場從結(jié)中去除。通常當(dāng)用光照亮PN...
功率的區(qū)分實(shí)際上就是電流的區(qū)分,大功率就是流過電流大的,小功率就相反,就是流過電流小的。簡單舉個(gè)例,如下圖為1N400系列二極管的參數(shù),如下圖可以看出IF為1A,而1N400系列二極管的管壓降為0.7...
6、自恢復(fù)保險(xiǎn)絲120V系列PTC熱敏電阻額定工作電壓為120V.額定維持電流為0.10A--1.60A專門為電子整流器等設(shè)計(jì)的過流保護(hù)器,具有室溫電阻小可靠性高,安裝方便,可在60攝氏度以上的環(huán)境中...
半導(dǎo)體二極管的伏安特性:二極管的基本特性是單向?qū)щ娦裕ㄗⅲ汗韫艿膶?dǎo)通電壓為-;鍺管的導(dǎo)通電壓為-),而工程分析時(shí)通常采用的是.半導(dǎo)體二極管的伏安特性曲線:(通過二極管的電流I與其兩端電壓U的關(guān)系曲線為...
由于浪涌電流會(huì)使二極管在很短的時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生大量熱,結(jié)溫快速上升,長治肖特基二極管,在器件內(nèi)部產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力,因此對(duì)于大功率二極管模塊而言,機(jī)械應(yīng)力容易造成芯片與絕緣基板開裂,浪涌電流要留有足夠的余量。晶體...
一是:影響產(chǎn)品正常的散放熱過程,導(dǎo)致產(chǎn)品動(dòng)作特性不穩(wěn)定二是:嚴(yán)密或太硬的封裝會(huì)影響PTC材料的物理縮放過程,導(dǎo)致產(chǎn)品失效.一般不建議對(duì)自恢復(fù)保險(xiǎn)絲產(chǎn)品進(jìn)行額外的封裝.如果一定要進(jìn)行封裝的話則應(yīng)該注意對(duì)...
按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管.按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管.晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶...
3. 快速瞬態(tài)應(yīng)用。線性穩(wěn)壓器反饋環(huán)路一般都是內(nèi)置的,因此無需外部補(bǔ)償。相比于SMPS,線性穩(wěn)壓器通常具有較寬的控制環(huán)路帶寬和較快的瞬態(tài)響應(yīng)。4. 低壓差應(yīng)用。對(duì)于那些輸出電壓接近輸入電壓的應(yīng)用來說,...
3、高反向電阻點(diǎn)接觸型二極管正向電壓特性和一般用二極管相同。雖然其反方向耐壓也是特別地高,但反向電流小,因此其特長是反向電阻高。使用于高輸入電阻的電路和高阻負(fù)荷電阻的電路中,就鍺材料高反向電阻型二極管...
一是:影響產(chǎn)品正常的散放熱過程,導(dǎo)致產(chǎn)品動(dòng)作特性不穩(wěn)定二是:嚴(yán)密或太硬的封裝會(huì)影響PTC材料的物理縮放過程,導(dǎo)致產(chǎn)品失效.一般不建議對(duì)自恢復(fù)保險(xiǎn)絲產(chǎn)品進(jìn)行額外的封裝.如果一定要進(jìn)行封裝的話則應(yīng)該注意對(duì)...
CT---勢壘電容Cj---結(jié)(極間)電容,;表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下,鍺檢波二極管的總電容Cjv---偏壓結(jié)電容Co---零偏壓電容Cjo---零偏壓結(jié)電容Cjo/Cjn---結(jié)電容變化Cs--...
晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)=0時(shí),晶體管內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)示意圖如下圖所示。1.發(fā)射結(jié)加正向電壓,擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成發(fā)射極電流因?yàn)榘l(fā)射結(jié)加正向電壓,發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度高,所以大量自由電子因擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)越過發(fā)射結(jié)到達(dá)基區(qū)。與...
現(xiàn)代線性穩(wěn)壓器,以滿足一個(gè)獨(dú)特的結(jié)構(gòu)數(shù)量提供具有挑戰(zhàn)性的要求。基本上,線性穩(wěn)壓器是一個(gè)運(yùn)算放大器和晶體管加答運(yùn)算放大器使用兩個(gè)參考點(diǎn)- 一個(gè)是內(nèi)部帶隙基準(zhǔn),另一種是分頻電路的輸出電阻。在監(jiān)管過程中,電...
選型注意耐壓值的選擇,一般,保險(xiǎn)絲是串聯(lián)在電路中的,上面的電壓很小.在保險(xiǎn)絲起保護(hù)作用熔斷時(shí)開路,電源電壓會(huì)直接加在保險(xiǎn)絲兩端,所有,保險(xiǎn)絲耐壓值需要大于電源的電壓,并留合適的余量.保險(xiǎn)絲額定電流的選...
電感的作用: 濾波、振蕩、延遲、陷波,形象說法:通直流,阻交流。電感是導(dǎo)線內(nèi)通過交流電流時(shí),在導(dǎo)線的內(nèi)部周圍產(chǎn)生交變磁通,導(dǎo)線的磁通量與生產(chǎn)此磁通的電流之比。電感的作用簡單的說法是通直流阻交流,對(duì)交流...
我們?cè)谏厦娴腘PN晶體管中討論過,它也處于有源模式.大多數(shù)電荷載流子是用于p型發(fā)射極的孔.對(duì)于這些孔,基極發(fā)射極結(jié)將被正向偏置并朝基極區(qū)域移動(dòng).這導(dǎo)致發(fā)射極電流Ie.基極區(qū)很薄,被電子輕摻雜,形成了電...
IRM---反向峰值電流IRR---晶閘管反向重復(fù)平均電流IDR---晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流IRRM---反向重復(fù)峰值電流IRSM---反向不重復(fù)峰值電流(反向浪涌電流)Irp---反向恢復(fù)電流Iz-...
晶體管的結(jié)構(gòu)及類型用不同的摻雜方式在同一個(gè)硅片上制造出三個(gè)摻雜區(qū)域,并形成兩個(gè)PN結(jié),就構(gòu)成了晶體管。結(jié)構(gòu)如圖(a)所示,位于中間的P區(qū)稱為基區(qū),它很薄且雜質(zhì)濃度很低;位于上層的N區(qū)是發(fā)射區(qū),摻雜濃度...
整流橋的整流作用及分類整流橋的整流作用及分類整流橋的整流作用及分類整流這一個(gè)術(shù)語,它是通過二極管的單向?qū)ㄔ韥硗瓿晒ぷ鞯模ㄋ椎膩碚f二極管它是正向?qū)ê头聪蚪卣鳂蚓褪菍⒄鞴芊庠谝粋€(gè)殼內(nèi)了.分全橋...