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江蘇省-蘇州市 -
IGBT是強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。MOSFET由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個...
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當運行點到達控制范圍的**右端，節(jié)點電壓進一步升高后將不能由控制系統(tǒng)來補償，因為TCR的電抗器已經(jīng)處于完全導通狀態(tài)，所以運行點將沿...
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這個實驗告訴我們，要使晶閘管導通，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個正向觸發(fā)電壓。晶...
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導通壓降電導調(diào)制效應使電阻RN減小，使通態(tài)壓降小。關斷當在柵極施加一個負偏壓或柵壓低于門限值時，溝道被禁止，沒有空穴注入N-區(qū)內(nèi)。...
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Ug到來得早，晶閘管導通的時間就早；Ug到來得晚，晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間，就可以調(diào)節(jié)負載上輸...