4、法標熔斷器法標熔斷器具有循環性能強、體積小、構造獨特等特點,適用于占用空間小的小型UPS、小型交流驅動器以及其它小功率應用。 [2]對于高電流保護區,所選熔斷器應具備以下性能: ①容量大,通常在幾...
應用類型雙向可控硅的特性曲線圖4示出了雙向可控硅的特性曲線。由圖可見,雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個象限內的曲線組合成的。***象限的曲線說明當加到主電極上的電壓使Tc對T1的極性為正時,我們稱為...
瞬態電壓抑制二極管用萬用表測量管子的好壞對于單要極型的TVS,按照測量普通二極管的方法,可測出其正、反向電阻,一般正向電阻為4kΩ左右,反向電阻為無窮大。 [8]對于雙向極型的瞬態電壓抑制二極管,任意...
快速熔斷器:快速熔斷器主要用于半導體整流元件或整流裝置的短路保護。由于半導體元件的過載能力很低。只能在極短時間內承受較大的過載電流,因此要求短路保護具有快速熔斷的能力。快速熔斷器的結構和有填料封閉式熔...
1、英標熔斷器英式熔斷器主要用于英聯邦國家生產的設備。英標熔斷器殼體采用陶瓷材質,產品具有體積小、性價比高等特點,特別受到240V以下的UPS廠商青睞。2、美標熔斷器美式熔斷器應用**為***,涵蓋了...
PNPN四層組成(2)可控硅由關斷轉為導通必須同時具備兩個條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓。(3)可控硅導通后,當陽極電流小干維持電流In時.可控硅關斷。(4)可控硅的特性主要是:1....
大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導體材料組成的,有三個PN結,對外有三個電極〔圖2(P型半導體引出的電極叫陽極A,第三層P型半導體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導體...
?IGBT電源模塊?是一種由絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)構成的功率模塊。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)...
晶閘管T在工作過程中,它的陽極A和陰極K與電源和負載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路雙向晶閘管的結構與符號。它屬于NPNP四層器件,三個電極...
1947年12月,美國貝爾實驗室的肖克利、巴丁和布拉頓組成的研究小組,研制出一種點接觸型的鍺晶體管。晶體管的問世,是20世紀的一項重大發明,是微電子**的先聲。晶體管出現后,人們就能用一個小巧的、消耗...
Q 為柵極電荷,可參考IGBT模塊參數手冊。例如,常見IGBT驅動器(如TX-KA101)輸出正電壓15V,負電壓-9V,則U=24V,假設 F=10KHz,Q=2.8uC可計算出 P=0.67w ,...
(3)現今產品多具有智能特點,除保護功能外,還有電量測量、故障記錄,以及通信接口,實現配電裝置及系統集中監控管理。2、主要問題(1)價格很高,因此只宜在配電線路首端和特別重要場所的分干線使用;(2)尺...
快速熔斷器是一種熔斷器的一種,快速熔斷器主要用于半導體整流元件或整流裝置的短路保護。由于半導體元件的過載能力很低。只能在極短時間內承受較大的過載電流,因此要求短路保護具有快速熔斷的能力??焖偃蹟嗥鞯慕Y...
IGBT的應用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區域。多使用在工業用電機、民用小容量電機、變換器(逆變器)、照相機的頻閃觀測器、感應加熱(InductionHeatin...
觸發二極管又稱雙向觸發二極管(DIAC)屬三層結構,具有對稱性的二端半導體器件。常用來觸發雙向可控硅 ,在電路中作過壓保護等用途。圖1是它的構造示意圖。圖2、圖3分別是它的符號及等效電路,可等效于基極...
Cies : IGBT的輸入電容(Cies 可從IGBT 手冊中找到)如果IGBT數據手冊中已經給出了正象限的門極電荷曲線,那么只用Cies 近似計算負象限的門極電荷會更接近實際值:門極電荷 QG ≈...
雙向可控硅可被認為是一對反并聯連接的普通可控硅的集成,工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅有兩個主電極T1和T2, 一個門極G, 門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發導通,所以雙向可控硅在第1...
2、熔斷器參數確定通常熔斷器的額定電流值是基于環境溫度23±5 ℃時的值,為了滿足電動汽車實際工況要求,需要對額定電流值進行修正??稍试S的比較大連續負載電流可以用以下公式進行計算Ib=In·Kt·Ke...
為了抑制n+pn-寄生晶體管的工作IGBT采用盡量縮小p+n-p晶體管的電流放大系數α作為解決閉鎖的措施。具體地來說,p+n-p的電流放大系數α設計為0.5以下。 IGBT的閉鎖電流IL為額定電流(直...
二極管的電路符號如圖1所示。二極管有兩個電極,由P區引出的電極是正極,又叫陽極;由N區引出的電極是負極,又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向,二極管的文字符號用VD表示。 [4]二極管的主要原理就...
3、調節功率開關器件的通斷速度柵極電阻小,開關器件通斷快,開關損耗??;反之則慢,同時開關損耗大。但驅動速度過快將使開關器件的電壓和電流變化率**提高,從而產生較大的干擾,嚴重的將使整個裝置無法工作,因...
為防止發生越級熔斷、擴大事故范圍,上、下級(即供電干、支線)線路的熔斷器間應有良好配合。選用時,應使上級(供電干線)熔斷器的熔體額定電流比下級(供電支線)的大1~2個級差。常用的熔斷器有管式熔斷器R1...
確定IGBT 的門極電荷對于設計一個驅動器來說,**重要的參數是門極電荷QG(門極電壓差時的IGBT 門極總電荷),如果在IGBT 數據手冊中能夠找到這個參數,那么我們就可以運用公式計算出:門極驅動能...
再由這三組英文名詞的較早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅。以“BCR”來命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱,如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。雙 向:Bi-dire...
發光二極管的**部分是由P型半導體和N型半導體組成的晶片,在P型半導體和N型半導體之間有一個過渡層,稱為PN結。在某些半導體材料的PN結中,注入的少數載流子與多數載流子復合時會把多余的能量以光的形式釋...
當柵極和發射極短接并在集電極端子施加一個正電壓時,P/NJ3結受反向電壓控制。此時,仍然是由N漂移區中的耗盡層承受外部施加的電壓。 [2]閂鎖IGBT在集電極與發射極之間有一個寄生PNPN晶閘管。在特...
Cies : IGBT的輸入電容(Cies 可從IGBT 手冊中找到)如果IGBT數據手冊中已經給出了正象限的門極電荷曲線,那么只用Cies 近似計算負象限的門極電荷會更接近實際值:門極電荷 QG ≈...
LED燈就是發光二極管,是采用固體半導體芯片為發光材料,與傳統燈具相比,LED燈節能、環保、顯色性與響應速度好。 [3](一)節能是LED燈**突出的特點在能耗方面,LED燈的能耗是白熾燈的十分之一,...
1947年12月,美國貝爾實驗室的肖克利、巴丁和布拉頓組成的研究小組,研制出一種點接觸型的鍺晶體管。晶體管的問世,是20世紀的一項重大發明,是微電子**的先聲。晶體管出現后,人們就能用一個小巧的、消耗...
電力熔斷器的結構與熔斷器的結構大致相同。它主要由熔體、外殼和支座3部分組成,其中熔體是控制熔斷特性的關鍵元件。熔體的材料、尺寸和形狀決定了熔斷特性。熔體材料分為低熔點和高熔點兩類。低熔點材料如鉛和鉛合...