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漏極電流iD沿溝道產生的電壓降使溝道內各點與柵極間的電壓不再相等，靠近源極一端的電壓較大，這里溝道較厚，而漏極一端電壓較小，其值為VGD=vGS－vDS，因而這里溝道較薄。但當vDS較小（vDS 隨著...

恒流二極管 （ 英語 ： Constant Current Diode ） （或稱定電流二極管，CRD、Current Regulative Diode），被施加順方向電壓的場合，無論電壓多少，可以得...

MOS場效應管，即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特...

可能朋友們都有一個疑惑，集電結反向偏置了應該截止，怎么導通了？擊穿了？這還要從二極管原理說起，上一篇介紹了二極管原理的文章提到了，當給PN結施加反向偏置電壓的時候，內部電場強度增強，空間電荷區變寬，空...

晶體三極管的種類：硅管和鍺管（按半導體材料分），鍺管比硅管的起始工工作電壓低、飽和壓降較低。三極管導通時，發射極和集電極的電壓鍺管比硅管更低。因為鍺材料制成的PN結比硅材料制成的PN結的正向導通電壓低...

三極管測量，具體方法是將萬用表調至電阻擋的R×1k擋，先用紅表筆放在三極管的一只腳上，用黑表筆去碰三極管的另兩只腳，如果兩次全通，則紅表筆所放的腳就是三極管的基極(B)。如果一次沒找到，則紅表筆換到三...

在較初被發明的那個年代，二極管通常被稱作“整流器”。在1919年四極管被人發明后，威廉·亨利·埃克爾斯創造了術語 Diode ，是從希臘語詞根（ δ? ，di，“二”）和（ ?δ?? ，ode，“路徑...

場效應管由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個主要部分組成。在JFET中，柵極和通道之間通過PN結隔離；而在MOSFET中，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離...

三極管的飽和狀態，當三極管發射結正偏，集電結正偏時，三極管工作在飽和狀態。在飽和狀態下，三極管集電極電流ic的大小已經不受基極電流ib的控制，ic與ib不再成比例關系。飽和狀態下的三極管基極電流ib變...

多晶硅金場效應管在物聯網芯片中的作用：在物聯網蓬勃發展的時代，海量設備需要互聯互通，多晶硅金場效應管為物聯網芯片注入了強大動力。物聯網芯片需要在低功耗的前提下，高效處理大量的數據。多晶硅金場效應管的穩...

MOSFET的作用如下：1.可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。3....

下面對MOS失效的原因總結以下六點，然后對1，2重點進行分析：1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失...